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[实用新型]一种电芯组件、电池包及用电设备-CN202320901879.1有效
发明人：刘亮;杨益;谷鹏;华玺 -专利权人：湖南麦格米特电气技术有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本实用新型涉及动力电池技术领域，尤其涉及一种电芯组件、电池包及用电设备，电芯组件包括散热板、隔热结构和电芯，两散热板沿第一方向间隔设置，散热板包括主体部，主体部沿第二方向的相对两侧设置有第一折边和第二折边，主体部沿第三方向的一侧设置有第三折边，第一折边、第二折边和第三折边均朝向另一散热板弯折，以配合主体部围合形成容置空间；一电芯对应设置于一容置空间内，电芯与主体部、第一折边、第二折边和第三折边均热接触；隔热结构至少部分设置于两电芯之间，以使两电芯间隔。通过散热板半包裹电芯，增加与电芯之间的热接触面积，提高电芯的散热效率；并且折边还能与壳体热接触，以将热量转移至壳体进行散热，提高电池包散热效率。
一种组件电池用电设备

[实用新型]一种电池包以及电动车辆-CN202223468481.8有效
发明人：刘亮;谷鹏;杨益 -专利权人：深圳麦格米特电气股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01M50/258 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及电动车辆技术领域,尤其公开了一种电池包以及电动车辆，包括箱体组件，设置有收容腔；电池组件，设置于所述收容腔内；第一减振件，设置于所述电池组件的底部和箱体组件的底板的内表面之间；第二减振件，设置于所述箱体组件的底板的外表面；控制板，设置于所述收容腔，所述控制板与所述电池组件电连接。通过上述方式，本实用新型实施例的第一电池组和第二电池组收容于收容腔，使占用空间减小。
一种电池以及电动车辆

[发明专利]一种氮化镓基HEMT器件及制作方法-CN202310790597.3在审
发明人：宋文杰;谷鹏;刘胜厚 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基HEMT器件及制作方法，其是在外延生长未激活的Mg掺杂氮化物层后，采用电子束对预设栅极区域的Mg掺杂氮化物层进行轰击，通过改变电子束加速电压和电子束发射电流控制Mg掺杂氮化物层厚度方向上不同区域的Mg激活浓度，使Mg激活浓度向背离势垒层方向的变化趋势为降低，形成激活的P型氮化物区，从而降低栅极漏电，增强肖特基栅的耐压能力，提升器件可靠性。本发明的方法避免了小尺寸的P型氮化物干法蚀刻工艺，加工精度高。
一种氮化 hemt 器件制作方法

[实用新型]一种食品检测用搅拌装置-CN202320179904.X有效
发明人：谷鹏;黄德成;黄艳丽 -专利权人：辽宁黄氏食品有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食品检测用搅拌装置，包括搅拌箱以及搅拌管，所述搅拌管转动连接在搅拌箱内壁，所述搅拌管外围固定连接有多组搅拌叶，所述搅拌叶位于搅拌箱内，所述搅拌管上靠近底端处固定连接有电磁阀，所述搅拌管顶端贯穿搅拌箱设置有导液管，所述导液管为U型结构，所述导液管一端转动设置在搅拌管顶端内壁。通过电磁阀和抽气机构的设置，能避免搅拌过程中有样品混合液进入至搅拌管内，保证样品混合液在充分混合后导入至取样罐内取样，以防影响检测结果，提升检测的准确性，且使用方便，操作便捷，提升使用效率。
一种食品检测搅拌装置

[发明专利]一种电芯组件、电池包及用电设备-CN202310430371.2在审
发明人：刘亮;杨益;谷鹏;华玺 -专利权人：湖南麦格米特电气技术有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M10/613 文献下载
摘要：本发明涉及动力电池技术领域，尤其涉及一种电芯组件、电池包及用电设备，电芯组件包括散热板、隔热结构和电芯，两散热板沿第一方向间隔设置，散热板包括主体部，主体部沿第二方向的相对两侧设置有第一折边和第二折边，主体部沿第三方向的一侧设置有第三折边，第一折边、第二折边和第三折边均朝向另一散热板弯折，以配合主体部围合形成容置空间；一电芯对应设置于一容置空间内，电芯与主体部、第一折边、第二折边和第三折边均热接触；隔热结构至少部分设置于两电芯之间，以使两电芯间隔。通过散热板半包裹电芯，增加与电芯之间的热接触面积，提高电芯的散热效率；并且折边还能够与壳体热接触，以将热量转移至壳体进行散热，提高电池包的散热效率。
一种组件电池用电设备

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]氮化物器件及其制备方法-CN202110984217.0有效
发明人：蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。
氮化物器件及其制备方法

[实用新型]一种食品检测用离心装置-CN202320263098.4有效
发明人：黄艳丽;谷鹏;黄德成 -专利权人：辽宁黄氏食品有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食品检测用离心装置，包括处理箱以及离心筒，所述离心筒转动设置在处理箱内，所述离心筒顶端一侧设置有进料管，所述处理箱顶端设置有驱动离心筒上下移动的支撑机构，所述支撑机构与离心筒转动连接，所述离心筒内壁底端固定连接有电磁阀，所述离心筒侧壁固定连接有与电磁阀固定连通的导料管，所述导料管呈倾斜向下设置。通过支撑机构和电磁阀的设置，开启电磁阀便于使离心筒内的样品从导料管内进入至取样罐内，能对样品进行全密封式的取样，以便于对样品进行检测，能避免离心过程中有样品溢出，全密封式的进行离心，并且能封闭式的取样，以防样品与外界空气接触，以防影响检测的准确性，提升使用效率。
一种食品检测离心装置

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729642.5有效
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[实用新型]一种空间定位器支撑定位装置-CN202222906319.3有效
发明人：王炳强;陈俊礼;王靖;谷鹏 -专利权人：山东威高医疗科技有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A61B34/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种空间定位器支撑定位装置，其解决现有脊柱和骨创伤磁导航手术系统中，移动式C形臂X射线机拍摄CT影像时，空间定位器固定在支撑于地面的支架上，移动该支架调整空间定位器的位置存在操作不方便，耗时长，效率低下，定位不准确的技术问题，其包括伸缩机构和空间定位器夹具，空间定位器夹具与伸缩机构的下端连接；伸缩机构包括第一伸缩固定板、第二伸缩固定板、蝶形螺母和第一滚花手拧螺丝，空间定位器夹具包括具有开口的圆环部、连接杆部、第一限位部件、第二限位部件和第三限位部件。
一种空间定位器支撑定位装置

[实用新型]一种食品检测用切割装置-CN202320319723.2有效
发明人：黄磊;谷鹏;黄德成 -专利权人：辽宁黄氏食品有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B26D7/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食品检测用切割装置，包括第一板体和第二固定块以及第二板体，所述第一板体下壁面安装有夹持移动机构，所述第一板体下壁面安装有两对第一支撑柱，所述第二板体上壁面开设有矩形通孔，所述矩形通孔内部安装有食品传送机构，所述第二板体下壁面安装有桌体移动机构，所述第二板体下壁面安装有刀具替换机构和刀具机构，启动安装于第二板体矩形通孔内部的电动传送带，从而将食品通过电动传送带进行传送，在完成食品传送后，停止电动传送带，此时将第二板体通过第二支撑柱下壁面的万向轮进行移动，从而将第二板体移动到不同的位置从而完成清理。
一种食品检测切割装置

[发明专利]一种基于内置阵列磁强计的平台剩磁实时估计方法-CN202310131004.2在审
发明人：高东;谷鹏;朱明慧;卞春江 -专利权人：中国科学院国家空间科学中心
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于内置阵列磁强计的平台剩磁实时估计方法，所述方法包括：将j个磁强计部署在平台内部；测量每台磁强计相对于平台坐标系的位置信息；根据位置信息建立差分测量矩阵；使用平台剩磁估计算法计算差分测量矩阵，估计平台剩磁。本发明的优势在于：基于内置阵列磁强计的平台剩磁实时估计技术通过在载体平台内部布局阵列磁强计实时估计出平台的剩磁大小。该项技术对运动平台本身的运动无任何要求，方便了各种运动平台的应用。
一种基于内置阵列磁强计平台剩磁实时估计方法

[发明专利]用于测量磁导航下机械臂颅内穿刺误差的装置及方法-CN201910164334.5有效
发明人：王炳强;谷鹏;丛海波;余志平;侯红军;张海清 -专利权人：山东威高医疗科技有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： A61B34/20 文献下载
摘要：本发明提出一种用于测量磁导航下机械臂颅内穿刺误差的装置，包括底板，在底板上设有平面直角坐标系，在底板上可拆卸的设有第一基座，在第一基座的上表面和下表面之间设有第一圆柱形通孔，第一圆柱形通孔的直径与试验所用的呈正球形的泡沫球的直径相同，当第一基座与底板连接时，第一圆柱形通孔的中心点与平面直角坐标系的原点重合；在第一基座上、并且沿着Z轴的方向可拆卸的设有第二基座，在第二基座的上表面和下表面之间设有第二圆柱形通孔，第二圆柱形通孔的直径与试验所用的穿刺针的直径相同，当第二基座与第一基座连接时，穿刺针穿过第二圆柱形通孔。上述装置成本低，使用简单，其能够简化穿刺误差的测量过程，并且使测量精度更高。
用于测量导航机械臂颅内穿刺误差装置方法

[实用新型]一种食品检测用液体萃取装置-CN202320179899.2有效
发明人：黄德成;谷鹏;黄艳丽 -专利权人：辽宁黄氏食品有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01D15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种食品检测用液体萃取装置，包括底座，所述底座的顶端固定连接有支撑框，所述支撑框内部的顶端插接有萃取槽，所述萃取槽的顶端设置有顶盖，所述顶盖的底部设置有搅拌机构，所述萃取槽一侧的顶部设置有进液口，所述萃取槽底端的中间位置处插接有排液管。通过在底座顶端的中间位置处设置有收集结构，在使用时将限位卡板对准定位卡槽向下嵌接，以此将连接底板插接进限定槽的内部，随后向左或右旋转使得定位卡槽和限位卡板错开，以此即可将连接底板限定在限定槽的内部，从而将收集槽稳固放置在底座的顶部，通过收集槽对萃取排出萃取液进行收集，并且还方便将收集槽取下以转运萃取液进行后续的检测工作，可操作性强。
一种食品检测液体萃取装置

[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN202321185781.7有效
发明人：谷鹏;刘胜厚 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件的技术领域，公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其具有设于HEMT外延层上的复合介质层；复合介质层中，第一介质层具有第一开口，第二介质层对应第一开口具有第二开口，且第二开口的侧壁覆盖第一开口的侧壁，第三介质层对应第二开口的上方设有第三开口，第三开口的宽度大于第二开口，组合形成裸露HEMT外延层表面的复合栅槽，且第二介质层和第三介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数。采用不同介电常数的多层复合结构，在不影响钝化效果的前提下，显著降低栅极的寄生电容，缓解栅下强电场，减小电流崩塌，从而提升氮化镓基HEMT性能。
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

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