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[发明专利]金属堆叠源漏电极场效应管及其制作方法-CN201811438044.7有效
发明人：曾荣周;周细凤 -专利权人：湖南工业大学
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属堆叠源漏电极场效应管的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成沟道材料层；在沟道材料层上光刻定义源、漏电极区域；在源、漏电极区域依次沉积第一金属层、第二金属层、第三金属层；腐蚀源、漏电极区域的第二金属层内侧，形成侧向凹陷形状的源漏电极；在沟道材料层上光刻定义栅电极区域；在栅电极区域沉积栅介质；在栅介质上沉积栅金属，形成栅电极。本发明先形成三层金属堆叠的源漏电极，再腐蚀第二层金属，形成侧向凹陷的源漏电极，源漏电极侧向凹陷的程度不会改变连接电阻的大小，并且只用一次沉积工艺就形成了足够厚的源漏电极金属且实现了自对准。本发明还公开了一种金属堆叠源漏电极场效应管。
金属堆叠漏电场效应及其制作方法

[发明专利]GaN HEMT半导体器件及其制备方法-CN202010672036.X在审
发明人：马飞;冯光建;程明芳 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN HEMT半导体器件及其制备方法，该方法包括：提供GaN HEMT半导体器件薄膜结构；于GaN HEMT半导体器件薄膜结构上形成源电极及漏电极并沉积SiN钝化层；于SiN钝化层内形成自下向上逐渐增大的金属栅电极；至少去除部分SiN钝化层；于上步骤形成的结构表面沉积电极补充层。采用gate‑last工艺并通过形成自下向上逐渐增大的金属栅电极，二次沉积形成源电极和漏电极的电极补充层或源电极和栅场板的电极补充层，从而缩短源电极‑金属栅电极、漏电极‑金属栅电极的距离，降低了源电极、漏电极的接入电阻，提高器件耐压性能，同时由于金属栅电极于源、漏电极之后制备，避免了源漏电极制备工艺对金属栅电极造成损伤，提高了器件性能。
gan hemt 半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件-CN202310463021.6在审
发明人：张春利;吴俊杰;陈伟球 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于挠曲电效应和光电效应增强的MESFET器件；该器件包括激光光源、硅基底、绝缘层、金属栅电极、二维半导体层、第一源漏电极和第二源漏电极。绝缘层设置在硅基底上；金属栅电极和二维半导体层设置在绝缘层上，且二维半导体层覆盖金属栅电极。第一源漏电极和第二源漏电极设置在二维半导体层上，且分别位于金属栅电极的相反侧。激光光源朝向二维半导体层。第一源漏电极和第二源漏电极均包括电极主体。第一源漏电极和/或第二源漏电极的电极主体上设置有多个下压针尖。下压针尖的尖端朝向二维半导体层。本发明利用挠曲电场的作用下，MESFET器件的源漏电流更容易达到饱和，增大了MESFET器件源漏电流的驱动能力。
一种基于挠曲效应光电效应增强 mesfet 器件

[发明专利]一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410458211.X有效
发明人：黄如;王佳鑫;黄芊芊;吴春蕾;朱昊;赵阳 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对于n型器件，金属源电极的功函数较大，与其接触的石墨烯呈p型掺杂，金属漏电极的功函数较小，与其接触的石墨烯呈n型掺杂；p型器件的电极与n型器件相反；顶栅介质层覆盖在金属源电极、金属漏电极与两电极之间的石墨烯上，顶栅电极位于顶栅介质层的上方，且与金属源电极和金属漏电极都交叠。该器件制备工艺简单，与传统的双层石墨烯场效应晶体管相比，此隧穿场效应晶体管的金属源电极和漏电极分别完成。
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制备方法-CN201510415622.5在审
发明人：姚琪;张锋;曹占锋;何晓龙;张斌;李正亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该氧化物薄膜晶体管的制备方法包括：形成栅极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极。形成所述有源层、所述源电极和所述漏电极包括：在衬底基板上依次形成氧化物半导体薄膜和源漏电极金属薄膜，所述氧化物半导体薄膜的整个表面与所述源漏电极金属薄膜直接接触；以及采用双色调掩模板图案化所述氧化物半导体薄膜和所述源漏电极金属薄膜以通过一次构图工艺形成所述有源层、所述源电极和所述漏电极。
氧化物薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法-CN202111528367.7在审
发明人：张国和;宫晨蓉;刘佳;俞宙;陈琳 -专利权人：西安交通大学;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明一种碳基多端仿生突触器件及其制备方法，该仿生突触器件从下至上包括衬底、导电层及电介质层，所述电介质层的上表面分别设有第一栅电极、第二栅电极、源电极及漏电极，源电极和漏电极通过半导体沟道相连接，所述导电层包括从下至上设置的金属导电层和半导体导电层该制备方法包括：在衬底的一表面沉积金属导电层；在得到的金属导电层上形成半导体导电层；在得到的基底上形成电介质层；在得到的电介质层上显影出栅电极、源电极和漏电极图案，将电极金属材料沉积在栅电极、源电极和漏电极图案上形成栅电极、源电极和漏电极；在得到的源电极和漏电极之间形成半导体沟道，得到碳基多端仿生突触器件。
一种基多仿生突触器件及其制备方法

[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法-CN200510065592.6无效
发明人：申铉亿 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种有机发光显示装置能够防止源电极和漏电极以及像素电极之间发生电反应并防止金属线路的电压降。有机发光显示装置可以包括形成在基板上的有源层；形成在栅极绝缘层上的栅电极；形成在层间绝缘层上的金属线路；以及通过接触孔与源极和漏极区域电连接的源电极和漏电极和电连接至源电极和漏电极之一的像素电极。源电极和漏电极以及金属线路由具有低电阻且相对于所述像素电极具有大约0.3或更小氧化还原电位差的材料形成。
有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]全透明薄膜晶体管器件及其制备方法-CN202210928806.1在审
发明人：张磊;王欢;李东旭;于军胜 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供了全透明薄膜晶体管器件及其制备方法，涉及电子器件技术领域，该薄膜晶体管自下而上包括衬底、栅极、栅绝缘层、金属氧化物半导体有源层、三明治结构源漏电极，其中三明治结构源电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体源电极、第二层金属源电极、第三层金属氧化物半导体源电极；同时，三明治结构漏电极自下而上依次是第一层金属氧化物半导体漏电极、第二层金属漏电极、第三层金属氧化物半导体漏电极，其中金属氧化物半导体与有源层所用材料相同；本发明中源漏电极具有较低的电阻率并且与有源层的接触特性更好，有利于载流子的传输，从而提升了薄膜晶体管器件的电学性能，并且所制备的器件具有较好的透明度，可用于全透明显示。
透明薄膜晶体管器件及其制备方法

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201710338749.0有效
发明人：金成虎;许宗茂 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：所述有机发光二极管显示器包括基底、半导体、栅电极、被连接到半导体的第一部分的源电极、被连接到半导体的第二部分的漏电极、以及被连接到漏电极的像素电极。源电极、漏电极和像素电极中的每个包括屏障金属层、低电阻金属层、金属氧化物层、以及被设置在低电阻金属层与金属氧化物层之间的接触辅助层。源电极、漏电极和像素电极各自具有台阶形状。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[发明专利]一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法-CN202111407815.8在审
发明人：马晓华;祝杰杰;刘思雨;郭静姝;宓珉瀚 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压高效率氮化镓功率器件及其制作方法，方法包括：获取外延基片；对外延基片进行电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域，利用二次外延技术和图形化刻蚀技术在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源电极、漏电极；在源电极、漏电极和帽层上生长钝化层；在钝化层上光刻出凹槽区域，刻蚀凹槽区域内的钝化层直至预设位置形成凹槽；在凹槽内生长栅介质层；在钝化层上和凹槽上方光刻出栅电极区域，在栅电极区域内的钝化层上和凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极；刻蚀源电极、漏电极上的钝化层直至源电极、漏电极，分别在源电极、漏电极和T型栅电极上生长互联电极。
一种低压高效率氮化功率器件及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置-CN201210181618.3有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。本发明的技术方案能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。
薄膜晶体管阵列及其制造方法显示面板显示装置

[实用新型]薄膜晶体管阵列基板、显示面板、显示装置-CN201220261684.7有效
发明人：刘翔;李禹奉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-06-04 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：其中，该薄膜晶体管阵列基板包括：由第一金属氧化物层形成的有源层；由第二金属氧化物层形成的过渡层，过渡层的导电率比有源层的导电率大，过渡层包括源电极过渡层和漏电极过渡层；由源漏金属层形成的源电极、漏电极；其中，源电极过渡层位于所述有源层和所述源电极之间，所述漏电极过渡层位于所述有源层和所述漏电极之间。本实用新型的技术方案能够简化金属氧化物TFT阵列基板的制造工艺，降低产品的生产成本。
薄膜晶体管阵列显示面板显示装置

[发明专利]一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法-CN201310226455.0有效
发明人：金智;彭松昂;麻芃;张大勇;史敬元;陈娇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-07 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该自对准石墨烯场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、导电通道、源电极、漏电极、栅介质层、栅金属和自对准金属，其中，绝缘层形成于半导体衬底上，导电沟道形成于绝缘体上，导电沟道由石墨烯构成，源电极和漏电极分别形成于导电通道的两侧，栅介质层选择性沉积在源电极和漏电极之间的导电沟道上，栅金属形成于栅介质层之上，栅介质层与栅金属同时图形化堆砌在一起形成栅堆积层，对沟道区载流子浓度进行调控；自对准金属层覆盖源电极、漏电极、导电通道以及栅金属之上，减小未被栅条覆盖区域面积，实现器件栅与源漏的自对准。
一种对准石墨场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法-CN201811573358.8有效
发明人：吴志明;石沅林;向梓豪;姬春晖;王军;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场效应晶体管的量子点近红外探测器及其制备方法，属于光电探测领域；该探测器利用结型场效应晶体管的原理进行探测，结构从下至上包括：硅衬底层、硅沟道层、离子注入区、绝缘介质层、金属电极层、量子点层，金属电极层包括由金属源电极和金属源漏电极构成的金属源漏电极阵列，每两个源漏电极之间有一层量子点层，金属源漏电极与量子点由绝缘介质层隔开。本发明通过设计叉指电极，从而使得该结构的单元探测器易于阵列化集成，并且同时根据量子点材料的选取不同在可见光到近红外波段具有高响应度和低响应时间。
基于场效应晶体管量子红外探测器及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制作方法，显示元件，图像显示装置和系统-CN201780044106.3有效
发明人：草柳岭秀;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一;新江定宪 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
场效应晶体管及其制作方法显示元件图像显示装置系统

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