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[发明专利]治疗设备及细胞滤膜的制备方法-CN202010333713.5有效
发明人：马啸尘;宁策;袁广才;卢鑫泓;贺家煜;赵雪飞;王利波;李菲菲;李正亮;王天奇;冯洁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A61M1/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种治疗设备及细胞滤膜的制备方法，属于生化检测技术领域。该治疗设备包括：密封腔体、位于密封腔体内的细胞滤膜，以及与密封腔体连通的第一管路和第二管路。当通过该治疗设备对患者进行治疗时，第一管路的一端与第二管路的一端均与患者的血管连通，使得患者血液通过第一管路进入密封腔体内，并通过密封腔体内的细胞滤膜滤除患者血液中的CTC细胞，而滤除CTC细胞的血液可以通过第二管路回流至患者体内。通过该治疗设备能够去除患者血液中的CTC细胞，使得该治疗设备能够对患者起到治疗效果。
治疗设备细胞滤膜制备方法

[发明专利]半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置-CN202280000202.9在审
发明人：袁广才;胡合合;刘凤娟;宁策;李正亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种半导体材料、发光器件、显示面板及显示装置，半导体材料包括：第一元素的氧化物、第二元素的氧化物、第三元素的氧化物、第四元素的氧化物与第五元素的化合物中的至少两种，且至少包括第一元素的氧化物与第五元素的化合物；第一元素包括In、Zn、Sn、Cd、Tl、Pb中至少一种，第二元素包括Ta、Ga、W、Ba、V、Hf、Nb中至少一种，第三元素包括Sn、Zr、Cr、Si中至少一种，第四元素包括Zn、Al、Sn、Ta、Hf、Zr、Ti中至少一种，第五元素的化合物包括MxA，M包括Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Tb和Dy中至少一种；A包括O、N、S、Se、Te、Br、I、As和B中至少一种。半导体材料迁移率高，稳定性好，可以提高TFT迁移率和提高稳定性。
半导体材料发光器件显示面板显示装置

[实用新型]一种河湖整治提升设备-CN202320788679.X有效
发明人： 李正亮;于乃乾 -专利权人：汇鑫建设工程有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B01D36/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种河湖整治提升设备，涉及水处理领域，包括箱体，所述箱体一面上设置有排水口，所述箱体内底部设置有若干抽水泵，所述抽水泵于箱体内一端设置有连接块。本实用新型通过一套过滤桶清洁结构通过吸水泵将污水吸入，进入过滤桶与连接块空间内，通过过滤桶对污水进行过滤，过滤之后的水进入箱体内部随着过滤污水的增多，过滤网内壁囤积的赃物越来越多，水愈发难以通过，此时吸水泵还在工作，因此固定块和过滤网内的水压增大，此时挤压设置在固定块凹槽内的顶板，使第一导体和第二导体接触，使往复丝杆带动刮板移动，从而对过滤桶内壁进行清理。
一种整治提升设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板-CN202180003703.8在审
发明人：黄杰;宁策;李正亮;胡合合;贺家煜;姚念琦;赵坤;李菲菲;雷利平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，薄膜晶体管，包括：基板(100)；以及设置在基板(100)上的栅极(101)、栅极绝缘层(102)、有源层、源极(105)和漏极(106)，有源层包括沿着垂直于基板(100)的方向依次设置的第一半导体层(103)和第二半导体层(104)，第二半导体层(104)设置在第一半导体层(103)的远离栅极(101)的一侧，以及第一半导体层(103)的第一材料的导带底与第二半导体层(104)的第二材料的导带底的差值的绝对值大于0.2eV，使得作为沟道层的第一半导体层(103)中的绝大部分载流子被阻挡而无法迁移至背沟道，进而无法被背沟道所俘获，提高了薄膜晶体管的稳定性。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示面板

[发明专利]微纳流控基板、芯片、制备方法及系统-CN202180004392.7在审
发明人：李菲菲;樊博麟;宁策;李正亮;胡合合;姚念琦;贺家煜;黄杰;赵坤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微纳流控基板、芯片、制备方法及系统，微纳流控基板包括：基底(9)；位于所述基底(9)上的电极层(10)，电极层(10)包括第一电极(3)、第二电极(4)和控制电极(5)；以及位于电极层(10)远离基底(9)上的膜层(11)，膜层(11)包括凹槽层(21)、纳米通道(6)和微米通道(1，2)，凹槽层(21)包括第一凹槽(12)，纳米通道(6)位于第一凹槽(12)内，纳米通道(6)在基底(9)上的正投影与控制电极(5)在基底(9)上的正投影至少部分重合，微米通道(1，2)与纳米通道(6)相连通，其中，微米通道(1，2)包括第一微米通道(1)和第二微米通道(2)，第一微米通道(1)与第一电极(3)相连通，第二微米通道(2)与第二电极(4)相连通。
微纳流控基板芯片制备方法系统

[发明专利]一种薄膜晶体管及其驱动方法、显示基板和显示装置-CN202310539043.6在审
发明人：胡合合;姚念琦;赵坤;贺家煜;宁策;李正亮;李菲菲;刘威;刘凤娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种薄膜晶体管及其驱动方法、显示基板和显示装置。薄膜晶体管包括：依次设置在衬底上的第一金属层、第一绝缘层、氧化物半导体层、第二绝缘层、透明导电层，氧化物半导体层包括沟道区域、第一导体化区域和第二导体化区域；第二绝缘层开设有暴露第一导体化区域的部分表面的第一开孔；透明导电层包括通过第一开孔与第一导体化区域搭接连接的第一透明电极；第一金属层包括第一图案部，第一导体化区域通过第一开孔暴露的部分在衬底上的正投影位于第一图案部在衬底上的正投影内，第一图案部被配置为在栅电极被提供栅信号的状态下被提供第一电信号。本公开的技术方案，可以提升薄膜晶体管的开态电流。
一种薄膜晶体管及其驱动方法显示显示装置

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN202010549104.3有效
发明人：贺家煜;宁策;李正亮;胡合合;黄杰;赵坤;姚念琦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，属于显示技术领域。该金属氧化物薄膜晶体管包括在背板一侧层叠设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏金属层；有源层和栅极分别设于栅极绝缘层的两侧，源漏金属层设于有源层远离背板的一侧；有源层包括依次层叠设置于栅极绝缘层远离栅极的一侧的第一金属氧化物半导体层和第一金属氧化物半导体层；其中，第一金属氧化物半导体层中载流子浓度大于1×1020个/cm3，第一金属氧化物半导体层中载流子的霍尔迁移率大于20cm2/(V·s)，第一金属氧化物半导体层中铟和锌的总原子百分含量大于40％。该金属氧化物薄膜晶体管能够提高载流子迁移率和稳定性。
金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法阵列

[实用新型]一种蜂胶杂质去除设备-CN202321006055.4有效
发明人：童建华;李正亮 -专利权人：浙江敬紫堂生物科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B01D11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蜂胶杂质去除设备，包括固定架，所述固定架上设有用于将蜂胶溶入乙醇内的萃取罐，以及与萃取罐连接并用于过滤杂质的过滤罐；萃取罐，包括第一罐体，以及用于碎料和混料的旋转组件，所述第一罐体内形成有用于碎料的碎料腔，以及用于混合蜂胶和乙醇的混料腔，所述旋转组件置入在碎料腔和混料腔内，所述碎料腔顶部形成有供蜂胶和乙醇置入加料口，所述碎料腔底部形成有多个与混料腔连通的过料口；过滤罐，包括第二罐体，以及置入第二罐体内用于过滤杂质的过滤组件，所述第二罐体顶部设有与萃取罐连通的进液口，所述第二罐体底部设有排出蜂胶液的出液口，所述过滤组件设于进液口和出液口之间。
一种蜂胶杂质去除设备

[发明专利]一种基于数据置信度因子的汽车质量与坡度实时估计方法-CN202310768658.6在审
发明人：赵健;李正亮;朱冰;陈志成;张瑞卿;郑英龙;何聪 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： B60W40/13 文献下载
摘要：本发明属于汽车技术领域，具体的说是一种基于数据置信度因子的汽车质量与坡度实时估计方法。包括：一、获取车辆行驶状态数据；二、基于车辆动力学模型建立整车质量、道路坡度与车辆行驶状态数据的关系模型；三、利用车辆行驶状态数据和车辆固有参数计算工况特征参数；四、基于神经网络算法建立质量估计置信度因子模型；五、基于置信度因子的最小二乘法估计车辆质量；六、判断质量估计值是否稳定；七、基于扩展卡尔曼滤波算法估计道路坡度。本发明打破了传统基于动力学模型估计质量对于车辆工况的局限性，根据车辆动力学模型和车载加速度传感器的测量原理，实现了车辆质量和道路坡度估计的解耦，从而提高二者估计值的准确性。
一种基于数据置信因子汽车质量坡度实时估计方法

[发明专利]线路板、功能背板及其制备方法-CN202180004379.1在审
发明人：姚念琦;李菲菲;宁策;李正亮;胡合合;贺家煜;黄杰;赵坤;曹占锋;王珂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种线路板，包括：衬底基板，以及多个第一连接垫；多个第一连接垫设置于衬底基板上；多个第一连接垫包括至少一层电连接层，每层电连接层包括主体材料层，以及设置于主体材料层远离衬底基板一侧的至少一层防护层，至少一层防护层包括第一参考防护层，第一参考防护层是至少一层防护层中最远离衬底基板的防护层，主体材料层的材料包括铜；其中，至少一层电连接层包括第一电连接层，第一电连接层是至少一层电连接层中最远离衬底基板的电连接层，在第一电连接层所包含的至少一层防护层中，至少第一参考防护层的材料能够与第一焊料形成第一金属间化合物。
线路板功能背板及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板-CN202180004213.X在审
发明人：胡合合;曲燕;贺家煜;赵坤;黄杰;李正亮;宁策;王东方;刘凤娟;姚念琦;李菲菲;张舜航;林允植;雷利平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板，属于薄膜晶体管技术领域。其中，薄膜晶体管包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅极；位于所述栅极远离所述衬底基板一侧的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的第一极和第二极，所述第一极为源极和漏极中的一者，所述第二极为源极和漏极中的另一者；其中，所述有源层包括对应所述第一极和所述第二极之间间隙的沟道区，所述沟道区的宽度方向与所述栅极的延伸方向垂直或大致垂直。本公开实施例能够提升薄膜晶体管的光照稳定性，并且不会降低基板的透过率。
薄膜晶体管及其制作方法显示

[发明专利]线路板、功能背板、背光模组、显示面板及显示装置-CN202180004327.4在审
发明人：贺家煜;曲燕;宁策;李正亮;胡合合;黄杰;姚念琦;赵坤;李菲菲;齐琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C23C18/52 文献下载
摘要：一种线路板，包括衬底、导电衬垫和至少一个保护层组。所述导电衬垫设置于所述衬底上。所述至少一个保护层组设置于所述导电衬垫远离所述衬底的一侧。所述保护层组包括层叠设置的氧化防护层和钯合金层，所述氧化防护层相对于所述钯合金层靠近所述衬底。其中，所述氧化防护层的材料包括镍基合金。
线路板功能背板背光模组显示面板显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示基板-CN202180004214.4在审
发明人：胡合合;王东方;刘凤娟;宁策;李正亮;贺家煜;曲燕;赵坤;黄杰;雷利平;林允植;张舜航;姚念琦;李菲菲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板，属于薄膜晶体管技术领域。其中，薄膜晶体管包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅极；位于所述栅极远离所述衬底基板一侧的有源层，所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重叠；位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接；其中，所述栅极与所述漏极之间的电阻大于所述栅极与所述源极之间的电阻。本公开能够提高薄膜晶体管的耐压范围。
薄膜晶体管及其制作方法显示

[发明专利]微流控芯片及其制作方法-CN202111384469.6有效
发明人：李菲菲;樊博麟;宁策;李正亮;胡合合;贺家煜;黄杰;姚念琦;赵坤 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种微流控芯片及其制作方法，微流控芯片包括相对键合设置的盖板和基板，基板靠近盖板的一侧凹设有流道，盖板上贯穿地设置有通孔，通孔的位置与流道的位置对应；基板靠近盖板的一侧设有第一疏液层，第一疏液层位于流道的外围，且与流道邻接设置；和/或，盖板靠近基板的一侧设有第二疏液层，第二疏液层在基板上的正投影位于流道的外围，且与流道邻接。通过在流道的周围设置第一疏液层和/或者第二输液层，可以防止液体样品由流道流向盖板与基板的键合区域，避免了键合区域接触到液体样品后失效而导致的液体样品泄露，同时也避免了液体样品因为接触键合区域而受到污染。
微流控芯片及其制作方法

[发明专利]一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法-CN202310356239.1在审
发明人：刘银生;李正亮;何泽南 -专利权人：江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了本发明公开一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，包括：一、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液A对硅片清洗；二、将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合得溶液B，将硅片在溶液B中腐蚀形成金字塔绒面；三、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液C对硅片清洗；四、将氢氟酸与盐酸混合得到溶液D对硅片清洗；五、烘干；六、将硅片置于帝尔激光器，进行激光制绒；七、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液E对硅片清洗；八、将氢氟酸与盐酸混合得到溶液F对硅片清洗；九、烘干。该方法制备的单晶硅片绒面为覆盖着纳米级坑洞的金字塔单元，不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点，也具备了反射率低、短路电流高的优点。
一种减少反射损失单晶硅片制绒方法

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