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[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法-CN202310217369.7在审
发明人：丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触太阳能电池及其制作方法，包括：硅片的背面具有间隔分布的第一区域和第二区域，在位于硅片背面第一区域的隧穿层中形成多孔点阵；在隧穿层背离硅片的表面形成掺杂型多晶硅层，掺杂型多晶硅层中掺杂浓度在远离隧穿层的方向上逐渐减小本申请在隧穿层中形成许多孔，从而在隧穿层形成载流子隧穿通道，同时掺杂多晶硅层中的掺杂原子会在隧穿层的表面形成原子层级的“针孔”，使得隧穿接触电阻小。掺杂多晶硅层中接触隧穿层的区域掺杂浓度最高，与隧穿层共同形成更高的非对称偏移势垒层，允许多数载流子通过，少数载流子不通过，即使得多数载流子的收集更加均匀和畅通，提升钝化效果，进而提升电池的效率。
一种接触太阳能电池及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片-CN202111121571.7在审
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本发明通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益
垂直发射激光器芯片

[实用新型]垂直腔面发射激光器芯片-CN202122317451.6有效
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本实用新型通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益
垂直发射激光器芯片

[发明专利]热载流子能量转换结构及其制造方法-CN201080029571.8无效
发明人：约翰·加文·克尼比尔;桑托斯·什里斯特哈;德克·康尼格;马丁·安德鲁·格林;长岛知理;竹田康彦;伊藤忠;元广友美 -专利权人：新南创新有限公司;丰田自动车株式会社
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供了制造热载流子能量转换结构的方法以及热载流子能量转换结构。该方法包括形成包括隧穿层的能量选择性接触部ESC；在ESC上形成载流子生成层；以及在载流子生成层上形成不具有隧穿层的半导体接触部。
载流子能量转换结构及其制造方法

[发明专利]一种钝化隧穿层材料制备及其在太阳电池的应用-CN201810195184.X在审
发明人：廖明墩;叶继春;曾俞衡;闫宝杰;王丹;高平奇;童慧;全成;张志 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种钝化隧穿层材料制备及其在太阳电池的应用，具体地，本发明公开了一种用于制备太阳能电池的载流子钝化隧穿薄膜的用途，所述薄膜含有五氧化二钽(Ta2O5)。本发明还提供了一种用于制备太阳能电池的载流子传输结构及其制备方法。本发明提供的载流子钝化隧穿薄膜克服了氧化硅作为钝化隧穿层在钝化接触异质结电池应用方面的缺点。
钝化隧穿层制备载流子薄膜太阳能电池材料制备隧穿载流子传输结构应用五氧化二钽异质结电池氧化硅

[发明专利]具有双复合层的叠层电池-CN202310496033.9在审
发明人：何博;顾小兵;何永才;李勃超;丁蕾;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本申请提供一种具有双复合层的叠层电池，包括依次层叠设置的底电池、隧穿结、导电层、第一载流子传输层、钙钛矿吸收层、第二载流子传输层、二氧化锡层和透明电极层，其中所述第一载流子传输层和所述第二载流子传输层的导电类型相反本申请以隧穿结和沉积在隧穿结上的导电层作为双复合层，有利于横向电荷的收集，提升叠层电池的填充因子；导电层可以降低寄生吸收，提高叠层电池电流，改善顶电池的电荷传输层与隧穿结之间的接触电阻，提升叠层电池的填充因子；隧穿结作为导电层制备时的阻挡层，保护底电池不受工艺损伤，提高叠层电池开路电压。
具有复合电池

[发明专利]一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管-CN201910023720.2有效
发明人：谢倩;李杰;黄安鹏;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，提供一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管，用以提升无结型隧穿场效应晶体管开态电流；本发明隧穿场效应晶体管通过源区金属与漏区金属的功函数与沟道区半导体电子亲和势的差值，在未掺杂或轻掺杂的沟道中通过电学掺杂形成P型掺杂特性源区与N型掺杂特性漏区；改变了传统无结型双栅隧穿晶体管上下对称的双栅结构，使顶层金属栅与底层金属栅具备长度差、即非对称双栅结构，在无结型双栅隧穿场效应晶体管的中引入载流子线隧穿，并以线隧穿为主；同时，可通过增加顶层金属栅的延伸长度，缩短底层金属栅长度来增加顶层金属栅与底层金属栅长度差值，增大晶体管的线隧穿面积，提升载流子隧穿几率，有效提升了器件的开态电流。
一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管-CN201610671901.2有效
发明人：王向展;马阳昊;曹建强;谢林森;夏琪;归转转 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种提高开态电流的隧穿场效应晶体管，属于超大规模集成电路中的逻辑器件与电路领域。本发明隧穿场效应晶体管在源区顶部通过InN或In_xGa_1‑xN材料形成极化隧穿层，利用InN或In_xGa_1‑xN的极化效应形成极化电场，增强了源区向极化隧穿区的载流子隧穿能力，提高了开态下的隧穿电流；由于关态下外延本征区的导带不变，载流子无法越过势垒漂移扩散至该区域，有效降低了器件的关态电流；外延本征区以及极化隧穿区的厚度都可以做到5nm本发明隧穿场效应晶体管在保证低的关态电流的前提下，有效提升了器件的开态电流，且降低了工艺难度。
一种提高电流场效应晶体管

[发明专利]一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管-CN201910255123.2有效
发明人：谢倩;夏霜;李杰;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效增大开态电流的隧穿场效应晶体管，属于半导体器件领域，用以增大隧穿场效应晶体管的开态电流。本发明通过将隧穿场效应晶体管的上下栅介质层向源区延伸并部分覆盖到源区，源区一侧的栅介质层表面覆盖金属栅，源区另一侧栅介质表面覆盖偏置电极，偏置电极与该侧金属栅用隔离墙隔离，形成上下非对称的结构，通过对偏置电极外加偏压，或利用偏置电极与金属栅之间金属功函数差值，增强栅电极所覆盖部分的源区上下两侧的垂直于沟道方向的电场，增大了载流子线隧穿的强度，总的载流子隧穿区域与隧穿几率增大，从而有效增大器件的开态电流。
一种有效增大电流场效应晶体管

[发明专利]减小高电子迁移率晶体管源漏区域欧姆接触电阻率的方法-CN201310363053.5无效
发明人：孔欣;魏珂;刘新宇;刘果果 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：，该方法是在源漏区域光刻之后，通过对源漏区域进行选择性刻蚀，通过刻蚀势垒层减小势垒层厚度，随后蒸发源漏金属并剥离后再采用高温快速热退火工艺形成欧姆接触，在不对二维电子气造成过分损伤的情况下从物理上减小载流子的隧穿距离，提升隧穿效率，获得低欧姆接触电阻率。利用本发明，可以有效减小源漏区隧穿距离，提升载流子隧穿几率，进而获得低阻欧姆接触。
减小电子迁移率晶体管区域欧姆接触电阻率方法

[发明专利]基于量子效应的唯一标识符-CN201880067662.7有效
发明人：沙赫拉姆·莫斯比;帕特里克·卡米莱里;亨利·爱德华·威廉·蒙塔古 -专利权人：量子加密有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：提供了一种用于确定设备的唯一标识符的方法，该设备包括该设备独有的量子隧穿势垒。该方法包括在量子隧穿势垒两端施加电势差，该电势差足以使电荷载流子能够隧穿量子隧穿势垒。该方法还包括测量电信号，该电信号代表穿过量子隧穿势垒的隧穿电流，该隧穿电流是量子隧穿势垒的特性。该方法还包括根据所测量的电信号来确定设备的唯一标识符。
基于量子效应唯一标识符

[发明专利]一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器-CN202211032252.3在审
发明人：巫江;程科铭;沈凯;李创;郭大千;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，利用载流子的隧穿效应，减小势垒型结构因能带不连续性对少数载流子输运的影响，继而促进对光生载流子的收集本发明适用于一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器。
一种新型量子隧穿势垒结构红外探测器

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201680060935.6有效
发明人：赵静;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底层(1)；形成于衬底层上表面的矩形半导体条(2)，矩形半导体条沿第一方向依次设置有第一源区(201)、第一沟道区(204)、漏区(203)、第二沟道区(205采用双源区的设计，增加了源区载流子的隧穿面积，且栅区所加电场方向与源区载流子的隧穿方向一致，增加了隧穿几率，而隧穿电流与隧穿面积和隧穿几率成正比，因此，隧穿电流较大。
场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]太阳能电池-CN202222848580.2有效
发明人：霍亭亭 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池，其包括硅衬底、掺杂非晶硅层和载流子传输层，硅衬底的正面和背面均设有隧穿层；掺杂非晶硅层连接于背面的隧穿层上，掺杂非晶硅层的极性与硅衬底的极性相反，掺杂非晶硅层上层叠有钝化层，钝化层上连接有背面电极，背面电极穿过钝化层与掺杂非晶硅层相连接；载流子传输层连接于正面的隧穿层上，载流子传输层的极性与硅衬底的极性相同，载流子传输层上层叠有减反层，有减反层上连接有正面电极，正面电极穿过减反层与载流子传输层相连接本实用新型的太阳能电池，降低了复合中心，减少了光反射，提高了开路电压和短路电流，提升了光吸收和载流子传输性能，从而提高了太阳能电池的转换效率。
太阳能电池

[发明专利]一种POLO-IBC电池的制作方法-CN202210102132.X在审
发明人：李加;陈维 -专利权人：浙江兴芯半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种POLO‑IBC电池的制作方法，其包括以下步骤：在衬底的背面形成P型载流子隧穿层和P型非晶硅层；在P型非晶硅层的表面形成P型多晶硅区域和P型非晶硅区域；去除P型非晶硅区域以及与第二区域相对应的P型载流子隧穿层和与第二区域相对应的衬底以在衬底中形成凹槽；形成N型载流子隧穿层；在N型载流子隧穿层上形成N型非晶硅层，N型非晶硅层包括位于凹槽中的第一部分和位于P型多晶硅区域上的第二部分；去除第二部分的
一种 polo ibc 电池制作方法

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