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[发明专利]垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202111014257.9有效
发明人： 王延靖;佟存柱;田思聪;汪丽杰;陆寰宇;张新;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中的垂直腔面发射激光器包括从下至上依次制备的衬底、第一p型接触层、第一垂直腔面发射激光器层、n型接触层、第二垂直腔面发射激光器层和第二p型接触层；其中，第一垂直腔面发射激光器层包括第一有源层，第二垂直腔面发射激光器层包括第二有源层；第二垂直腔面发射激光器层的台面面积小于第一垂直腔面发射激光器层的台面面积；第一垂直腔面发射激光器层的激射波长大于或等于第二垂直腔面发射激光器层的激射波长。相较于现有技术，本发明提供的垂直腔面发射激光器能够在实现光信号高速率输出的同时实现高功率输出。
垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种发射装置-CN202211493200.6在审
发明人：孙成名;姚术健;王延靖;鲁寨军;赵楠;刘杰夫 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： F41F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及到发射技术领域，公开了一种发射装置，该发射装置包括：发射筒，用于容纳待发射设备；活塞，设置在发射筒中并推动设备在发射筒内运动；多个制动机构，多个制动机构均设置在发射筒的内周壁上并共同围绕形成用于供设备穿过的通道，通道的内径小于活塞的外径，其中，制动机构包括：安装底座，安装底座朝向活塞的一侧形成有切刀安装槽；吸能组件，安装底座上形成有竖向贯穿安装底座并与切刀安装槽紧邻的安装孔，吸能组件插设在安装孔中并朝向活塞；切刀，设置在切刀安装槽中，切刀靠近吸能组件的一侧形成有用于切削吸能组件的刀刃。该发射装置具有结构简单，能在设备发射时对活塞进行有效制动的优点。
一种发射装置

[实用新型]一种具有多个氧化层的垂直腔面发射激光器-CN202222163013.3有效
发明人： 王延靖;佟存柱 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多个氧化层垂直腔面发射激光器，包括：从下至上依次设置N面电极、衬底、N型DBR、有源区、至少两个氧化层、P型DBR和P面电极，每个所述氧化层氧化末端均为光滑凹形曲面，每个所述光滑凹形曲面都位于一个光滑凹形曲面上。本实用新型通过末端位于同一光滑凹形曲面上的至少两个氧化层结构，有效增大载流子路径控制区域；同时，通过多层复合结构将氧化层之间大面积的突出区域，分割成若干个小的突出区域。因而避免了载流子大量聚集，进而减少因载流子大量聚集造成的横向扩散几率，进而减少载流子在垂直方向（垂直氧化层方向）上流动的阻力，提升载流子注入率，提高了具有多个氧化层的垂直腔面发射激光器的发光效率。
一种具有氧化垂直发射激光器

[发明专利]光控调制模块及由其构成的脉冲激光系统-CN202210845013.3有效
发明人：张新;佟存柱;王延靖;陆寰宇;蔡凯迪 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01S3/106 文献下载
摘要：本发明提供一种光控调制模块及由其构成的脉冲激光系统，其中的光控调制模块包括光控单元，其用于输出第一预设波长的控制光；可饱和吸收体本体，其用于在控制光的注入下吸收第二预设波长的光子；散热系统，其贴合在可饱和吸收体本体的底部，用于对可饱和吸收体本体进行散热；腔反射介质膜，其镀制在可饱和吸收体本体靠近散热系统的一侧，以形成腔内反馈。本发明提供的可饱和吸收体采用稀土离子掺杂介质，基于稀土离子能级粒子输运机制实现对可饱和吸收体的参数控制，在光控单元的作用下，可饱和吸收体的光学参数发生变化，从而改变其在脉冲激光系统中的作用，最终实现脉冲激光输出特性的调控。
光控调制模块构成脉冲激光系统

[实用新型]垂直腔面发射激光器芯片-CN202122317451.6有效
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本实用新型通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益，最终实现高调制带宽。
垂直发射激光器芯片

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片-CN202111121571.7在审
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本发明通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益，最终实现高调制带宽。
垂直发射激光器芯片

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制作方法-CN202011131416.9有效
发明人：佟存柱;佟海霞;汪丽杰;王延靖;陆寰宇;田思聪;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本申请公开了一种垂直腔面发射激光器，包括电流限制层、p面电极、n面电极、由下至上依次层叠的衬底、第一掺杂层、第一反射层、有源层、第二掺杂层、第二反射层，所述电流限制层中的电流孔与所述n面电极的距离小于所述电流孔与所述p面电极的距离。本申请的垂直腔面发射激光器中，电流孔与n面电极的距离小于电流孔与p面电极的距离，即电流孔偏向n面电极，电流由p面电极流入，增大了横向电流路径，有效减小垂直腔面发射激光器的电流拥堵效应，使电流更加均匀的进入有源区层。此外，本申请还提供一种具有上述优点的垂直腔面发射激光器制作方法。
一种垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]一种半导体激光器及其制备方法-CN201911268353.9有效
发明人：汪丽杰;佟存柱;舒世立;田思聪;张新;陆寰宇;王延靖;宿家鑫 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器从下至上包括N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N面波导、有源区、P面波导、P型包层、P型盖层，P型盖层与预设厚度的P型包层形成多个脊型条，相邻两个脊型条之间通过绝缘隔离沟道隔离开；位于半导体激光器除基侧模光场波峰处之外且位于高阶侧模光场波峰处的脊型条的表面覆盖有电绝缘层，剩余脊型条的表面覆盖有P面电极。本申请公开的上述技术方案，在高阶侧模光场波峰处的脊型条上设置电绝缘层，在剩余脊型条上设置P面电极，以在通电时通过电绝缘层和P面电极实现选择性加电，从而增大高阶侧模的光损耗及降低高阶侧模的增益，以降低激射侧模数量，从而提高激光光束质量和亮度。
一种半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种固体激光器-CN202011131426.2在审
发明人：张新;佟存柱;汪丽杰;田思聪;陆寰宇;王延靖 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种固体激光器，包括：准直镜，全反射镜，输出耦合镜，增益介质，位于所述增益介质侧面的用于注入泵浦光的膜层窗口；所述增益介质的侧面分布有高反射膜；所述增益介质的形状为弯曲的管道状，所述增益介质的直径为微米量级；所述增益介质的材料为晶体或者激光陶瓷。本申请的固体激光器中的增益介质为弯曲的管道状，光在增益介质中的光路长，增益效果好，提升激光的效率，弯曲管道状的增益介质体表面积大，散热效果好，且增益介质的端面是圆形，激光光斑好，光束质量佳，又由于增益介质为晶体增益介质或激光陶瓷增益介质，晶体增益介质弯曲形成的空隙可以很小，明显降低增益介质的体积，从而减小固体激光器的体积，具有小型化的优点。
一种固体激光器

[发明专利]一种半导体激光器及制作方法-CN201810763803.0有效
发明人：佟存柱;王延靖;张新;舒世立;汪丽杰;田思聪;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体激光器及制作方法，所述半导体激光器包括：外延层结构，所述外延层结构划分为第一区域和第二区域；设置在所述第一区域和所述第二区域之间的电隔离区；设置在所述第一区域的第一波导结构；设置在所述第二区域的第二波导结构，所述第二波导结构的侧壁为锯齿形状；设置在所述第二区域背离所述第一区域一侧的准直透镜；设置在所述准直透镜背离所述外延层结构一侧的输出耦合镜。该半导体激光器通过第二波导结构侧壁的锯齿形状结构和输出耦合镜形成一个谐振腔，外延层结构背离所述准直透镜的一端面和相邻所述准直透镜的一端面形成另一个谐振腔，这两个谐振腔组合成了耦合腔，在半导体被动锁模激光器中加入这种耦合腔效应，实现了高阶的谐波锁模。
一种半导体激光器制作方法

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