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[发明专利]一种铜基硫族化物光伏器件及其形成方法-CN201780039014.6有效
发明人：郝晓静;刘芳洋;黄嘉亮;颜畅;孙凯文;马丁·安德鲁·格林 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种用于形成光伏器件的方法，包括步骤：在基板上提供第一导电材料；在所述第一导电材料上沉积小于10nm厚的介电材料的连续层；退火所述第一导电材料和所述介电材料层；在所述介电材料层上形成硫族化物光吸收材料；和在所述光吸收材料上沉积第二材料，以使得所述第二材料电耦合至所述光吸收材料；其中，所述第一导电材料和所述介电材料被选择以使得：在退火步骤期间，所述第一导电材料的一部分经历化学反应以形成：在第一导电材料和介电材料之间的界面处的金属硫族化物材料层；和所述介电材料层中的多个空缺；所述空缺就是这样以允许所述光吸收材料和所述金属硫属化物材料层之间的电耦合。另外考虑的是通过该方法形成的光伏器件。
一种铜基硫族化物光伏器件及其形成方法

[发明专利]一种具有缓冲功能的光伏设备支撑架-CN202210105295.3在审
发明人：王伟;路忠林;张凤鸣;马丁·安德鲁·格林;逯好峰 -专利权人：徐州日托光伏科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H02S20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种支撑架，尤其涉及一种具有缓冲功能的光伏设备支撑架。本发明提供一种能够很好地稳定住光伏设备，能够很好地达到缓冲效果，避免光伏设备被损坏的具有缓冲功能的光伏设备支撑架。本发明提供了这样一种具有缓冲功能的光伏设备支撑架，包括有底座、第一连接轴等，底座前部转动式贯穿有两根呈左右对称式设置的第一连接轴。将光伏设备放置在放置架上，通过楔形块能够将光伏设备夹持住，避免了光伏设备剧烈抖动，接触板支撑住光伏设备，通过第一弹簧和第二弹簧能够起到很好地缓冲的效果。
一种具有缓冲功能设备支撑架

[发明专利]热载流子能量转换结构及其制造方法-CN201080029571.8无效
发明人：约翰·加文·克尼比尔;桑托斯·什里斯特哈;德克·康尼格;马丁·安德鲁·格林;长岛知理;竹田康彦;伊藤忠;元广友美 -专利权人：新南创新有限公司;丰田自动车株式会社
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明提供了制造热载流子能量转换结构的方法以及热载流子能量转换结构。该方法包括形成包括隧穿层的能量选择性接触部ESC；在ESC上形成载流子生成层；以及在载流子生成层上形成不具有隧穿层的半导体接触部。
载流子能量转换结构及其制造方法

[发明专利]改进的金属粘附-CN201080010328.1有效
发明人：艾利森·马里·文哈姆;马丁·安德鲁·格林;斯图尔特·罗斯·文哈姆 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2010-02-24 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：太阳能电池具有形成为电连接形成光伏结点的半导体材料的表面的金属触点。所述太阳能电池包括重掺杂材料的一个或多个表面区域，并且所述触点包括形成在重掺杂区域上以与其接触的触点金属化部。表面键固定特征部位于半导体材料内，所述金属化部延伸到该半导体材料内以辅助金属化部附着到所述半导体材料。
改进金属粘附

[发明专利]人造无定形半导体及其在太阳能电池中的应用-CN200580013925.9无效
发明人： 马丁·安德鲁·格林 -专利权人：新南创新有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明提供一种人造无定形半导体材料，和一种由该材料制成的结，该结具有多个结晶半导体材料量子点(23)，其通过介电材料的基体或介电材料的薄层(21、22)大致均匀地分布以及规则地遍布于三维空间中。材料的形成过程为：首先形成介电材料的多个层，所述介电材料包括一种半导体材料的化合物；接着形成化学计量的介电材料的层(21)和半导体富裕介电材料的层(22)分别交替相叠的多个层。然后该材料被加热，促使量子点(23)通过介电材料，在三维空间中均匀地和规则地进行空间分布，而形成在介电材料的半导体富裕层中。材料的带隙和迁移率的确定是通过所选择的材料参数，包括量子点的尺寸、基体的成分、以及量子点的半导体材料，通过这样的选择，获得了所希望的参数。
人造无定形半导体及其太阳能电池中的应用

[发明专利]改进的溶液生长硅薄膜的方法-CN89102140.X无效
发明人： 马丁·安德鲁·格林;斯图尔特·罗斯·韦纳姆 -专利权人：单一检索有限公司
申请日： 1989-03-11 - 公布日： 1996-02-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种在材料表面涂覆薄膜硅的方法，包括将硅溶于金属溶剂中，然后在沉积温度范围内将溶硅从溶液中析出，在材料表面沉积一层硅。其中的溶剂是一种或多种金属的混合物，该金属或者具有低于沉积温度范围的熔点，或者与金形成共晶体，其低共熔温度低于沉积温度范围。
改进溶液生长薄膜方法