“程科铭”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器-CN202211032252.3在审
发明人：巫江;程科铭;沈凯;李创;郭大千;任翱博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供了一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器，利用载流子的隧穿效应，减小势垒型结构因能带不连续性对少数载流子输运的影响，继而促进对光生载流子的收集，降低势垒型红外探测器的工作电压，解决现有传统势垒红外探测器必须在较高电压下工作的问题。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极。本发明适用于一种新型量子隧穿势垒结构的红外探测器。
一种新型量子隧穿势垒结构红外探测器

[发明专利]利用MXene-GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法-CN202110340205.4有效
发明人：巫江;罗凌志;黄一轩;程科铭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用MXene‑GaN肖特基结的MSM多量子阱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，解决了现有技术中的MSM型光电探测器暗电流大、响应度低的问题，本发明的光电探测器包括生长基底，所述生长基底为图形化蓝宝石衬底结构，所述生长基底表面上由下至上连接有GaN薄膜层、n型GaN薄膜层、GaN‑InGaN组合层和MXene材料层。本发明将MXene材料与图形化蓝宝石衬底相结合降低了暗电流、提高了响应度，可用于水下光学检测和水下通信等领域。
利用 mxene gan 肖特基结 msm 多量光电探测器及其制备方法