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[发明专利]一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移的调整方法-CN202010386454.2有效
发明人： 丰明璋;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移的调整方法，其包括：分别将副栅和主栅单独试印刷到设有激光槽的硅片上；测量相邻激光槽之间的距离x；测量相邻副栅之间的距离和同一主栅上相邻搭接单元之间的距离；计算副栅偏移间距和主栅偏移间距；根据副栅偏移间距对副栅网进行调整；根据主栅偏移间距对主栅网版进行调整。本发明的调整方法，通过对于主栅网版、副栅网版张力值和网版PT值四个参数的调整，有效消除了主栅与副栅之间的偏移，提升了电极栅线对载流子的收集以及运输，从而不仅提升了太阳能电池的转换效率；也提升了其可靠性。
一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移调整方法

[实用新型]用于光伏电池硅片运输装置的支承构件以及运输装置-CN202320309202.9有效
发明人：赵迎财;丰明璋;胡党平;廖晖;马玉超;张晓攀;林全键;蔡永梅;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B65G15/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于光伏电池硅片运输装置的支承构件，运输装置包括传输辊轮和构成为带状的传输网链(2)，通过传输辊轮的转动驱动传输网链(2)可执行平移运动，支承构件为垂直于由传输网链(2)限定的平面并突出传输网链(2)的金属杆(3)，金属杆(3)远离传输网链(2)的一端用于接触并支承要运输的光伏电池硅片(4)。
用于电池硅片运输装置支承构件以及

[发明专利]一种背接触式太阳能电池及其制备方法-CN202310501272.9在审
发明人：何胜;丰明璋;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种本发明提供了一种背接触式太阳能电池。与现有技术相比，本发明利用柱形孔洞结构来布置完成背场区，可以充分利用硅基底的厚度，形成的底部区域和柱壁形成背场区，在不占用背面表面积情况下增大背场收集面积，同时也将背面发射区面积最大化，对一个太阳电池而言，在一定的比例范围内，发射极面积的占比越大，对少子的捕获传输性能越高，电池的效率相对较高，同时背场区深入到硅片内部，使得多数载流子在硅片内部就可以被收集，缩短了传输收集距离，增强了收集效果，从而使该结构对少数载流子和多数载流子均有增强收集的效果，整体提升了电池的效率。
一种接触太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种p型晶硅TBC太阳能电池-CN202320859694.9有效
发明人： 丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种p型晶硅TBC太阳能电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底的背面设有叉指状的n型区和p型区；所述n型区包括依次层叠设置在所述p型硅衬底上的遂穿层、n型多晶硅层、铝掺杂的氧化锌层和第一电极；所述p型区包括依次层叠设置在所述p型硅衬底上的第一钝化层和第二电极。通过在n型多晶硅上设置铝掺杂的氧化锌层，使得铝浆能直接应用在多晶硅表面；能避免铝浆与多晶硅的直接接触，有效降低电池的J01和J02，提升电池的Voc。n型区的J0,metal为0，J01为10～20fA/cm2，J02为0.5～3nA/cm2；p型区和n型区的接触电阻率均为0.5～1.5mΩcm2。
一种型晶硅 tbc 太阳能电池

[发明专利]一种N型TBC太阳能电池及其制备方法-CN202310660336.X在审
发明人：李红博;王义福;丰明璋;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电领域，特别是涉及一种N型TBC太阳能电池及其制备方法，通过在N型基体硅的背光面设置遂穿氧化层；在所述遂穿氧化层的表面分别设置原位掺杂N型非晶硅层及原位掺杂P型非晶硅层；对所述原位掺杂N型非晶硅层及原位掺杂P型非晶硅层进行单次晶化退火，得到N型多晶硅层及P型多晶硅层；在所述N型基体硅的迎光面设置减反层，并在所述经过晶化退火的N型基体硅的背光面设置钝化层，得到电池片前置物；对所述电池片前置物进行金属化，得到所述N型TBC太阳能电池。本发明避免了两个多晶硅层先后设置，先设置的多晶硅层受到多次高温热处理导致扩散深度不可控的问题，既提升了生产效率，又减小了电池内阻，提升了钝化效果。
一种 tbc 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池烧结设备-CN202222542782.4有效
发明人： 丰明璋;刘大娇;叶巨洋;何保扬;赵文祥;蔡永梅;杜振星;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： F27B9/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域，公开了一种太阳能电池烧结设备，包括：烧结炉膛；传送装置，贯穿烧结炉膛，用于将电池片传送至烧结炉膛内进行烧结，并将烧结完成的电池片传送至烧结炉膛之外；多组加热件，在烧结炉膛内电池片进行烧结时的烧结位置，沿垂直于传送装置传送移动的方向依次设置，且各组加热件的加热功率独立可调；温度调节装置，用于检测电池片的表面不同位置的温度数据，并对每组加热件的加热功率大小分别进行独立调节，以使电池片的表面各个位置点之间的温度差不大于设定温度差。本申请中多组加热件沿电池传送移动方向垂直依次设置的，且对各个加热件的加热功率独立调节，提升烧结温度的均匀性，保证电池片的光能转换效率。
一种太阳能电池烧结设备

[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法-CN202310217369.7在审
发明人： 丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触太阳能电池及其制作方法，包括：硅片的背面具有间隔分布的第一区域和第二区域，在位于硅片背面第一区域的隧穿层中形成多孔点阵；在隧穿层背离硅片的表面形成掺杂型多晶硅层，掺杂型多晶硅层中掺杂浓度在远离隧穿层的方向上逐渐减小。本申请在隧穿层中形成许多孔，从而在隧穿层形成载流子隧穿通道，同时掺杂多晶硅层中的掺杂原子会在隧穿层的表面形成原子层级的“针孔”，使得隧穿接触电阻小。掺杂多晶硅层中接触隧穿层的区域掺杂浓度最高，与隧穿层共同形成更高的非对称偏移势垒层，允许多数载流子通过，少数载流子不通过，即使得多数载流子的收集更加均匀和畅通，提升钝化效果，进而提升电池的效率。
一种接触太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极及制备方法和电池-CN202011582094.X有效
发明人： 丰明璋;杨金芳;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及N型TopCOn太阳能电池技术领域，为解决N型TopCon电池背面使用银浆印刷电极带来的高成本问题，公开一种N型TopCOn太阳能电池的背面金属电极，包括基底、设于基底背面钝化膜上的若干根第一银细栅、叠加在第一银细栅上的第二铝细栅和垂直第一银细栅布置的第一银主栅，第一银主栅为分段式结构，背面金属电极还包括在第一银主栅的各段之间和各段周围印刷形成的第二铝主栅。通过铝浆在第一银细栅线上叠印得到第二细栅线，可以降低银浆的耗量，降低成本，同时增加载流子的传输通道，降低串联电阻，提升电池效率。主栅采用银‑铝搭接的方式制备得到，即满足电池背面的焊接要求，又降低主栅银浆的耗量，从而降低成本。
一种 topcon 太阳能电池背面金属电极制备方法电池

[发明专利]钝化接触电池及其制造方法-CN202211119236.8在审
发明人：马玉超;徐伟智;叶巨洋;丰明璋;林全键;蔡永梅;何胜 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化接触电池及其制造方法，其中，该该钝化接触电池的制造方法包括：在电池多晶硅层表面设置与副栅线区域相对应的掩膜层；对多晶硅层进行刻蚀，并去除掩膜层。该方法通过掩膜法使得硅片背面副栅线区域的多晶硅膜薄膜层在刻蚀过程中仍就可以保持厚度，仅降低不具有掩膜层保护区域的厚度；因而可以在有效减少硅片背面多晶硅层在长波段的寄生吸收，提升长波段的光谱响应；同时还可以保证充分的欧姆接触，进而有效的提升电池转换效率。
钝化接触电池及其制造方法

[发明专利]一种太阳能电池的多次氧化扩散方法、制备方法-CN202210800881.X在审
发明人：胡党平;赵文祥;马玉超;廖晖;丰明璋;赵迎财;蔡永梅;杜振星;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：酒泉正泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池的多次氧化扩散方法、制备方法，涉及光伏领域，用于电池制备。扩散方法包括：在电池片的正面沉积掺杂源；推进掺杂源，并对沉积有掺杂源的电池片进行两次及两次以上氧化，氧化过程中的氧化温度逐渐升高，以持续推进掺杂源并氧化掺杂源形成介质层，得到扩散后电池片。本申请对掺杂源推进后，对电池片在进行多次氧化处理，可以进一步推进掺杂源，且在进行氧化时每次氧化的温度逐渐升高，可以改善掺杂源的浓度分布，提升扩散的均匀性，同时氧化处理还可以使得掺杂源氧化形成介质层，由于介质层是在氧化温度逐渐升高的过程中形成，减少了高温的作用时间，从而延长密封圈以及石英器件的使用寿命，降低太阳能电池的制造成本。
一种太阳能电池多次氧化扩散方法制备

[发明专利]一种太阳能电池多次沉积掺杂源的扩散方法、制备方法-CN202210784321.X在审
发明人：胡党平;赵文祥;马玉超;廖晖;丰明璋;赵迎财;蔡永梅;杜振星;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池多次沉积掺杂源的扩散方法、制备方法，涉及光伏领域，扩散方法包括对预处理过的电池片正面进行掺杂，采用两次及两次以上的沉积方式进行掺杂源沉积，每次沉积温度逐渐升高，所述沉积温度不高于860℃；推进所述掺杂源，在所述电池片的正面形成PN结，得到扩散后电池片。本申请中的扩散方法在电池片的正面多次沉积掺杂源，沉积温度均在860℃以下，即掺杂源在低温环境下多次沉积形成，掺杂源的沉积速度慢，在推进掺杂源时有利于提升扩散的方阻均匀性，同时达到低表面浓度掺杂的目的，从而改善扩散均匀性，并且多次沉积掺杂源时沉积温度依次升高，也利于提升扩散的方阻均匀性，从而提升电池的效率。
一种太阳能电池多次沉积掺杂扩散方法制备

[发明专利]一种TopCon晶硅太阳能电池及其制备方法-CN202210546506.7有效
发明人： 丰明璋;蔡永梅;赵文祥;杜振星;杨金芳;何保杨;方灵新;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种TopCon晶硅太阳能电池及其制备方法，应用于太阳能电池技术领域，使用纳米晶硅nc‑Si替换现有的多晶硅，由于纳米晶硅层比多晶硅具有更宽的带隙，可以减少电池背面对长波段存在的寄生吸收，增加钝化效果，提升短路电流Isc；同时由于纳米晶硅层的纵向导电性更强，从而可以降低电池背面接触电阻率，提升填充因子FF；由于纳米晶硅层中的纳米晶硅的粒子较小，可以硅镶嵌入隧穿氧化层使得纳米晶硅层与隧穿氧化层部分融合，从而降低隧穿氧化层以及纳米晶硅层的厚度，增加电池背面多数载流子浓度，从而增加电池的短路电流和填充因子，使得TopCon晶硅太阳能电池具有较高的短路电流以及填充因子。
一种 topcon 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]N型TBC晶硅太阳能电池的制造方法-CN202210389098.9在审
发明人： 丰明璋;赵文祥;蔡永梅;杜振星;杨金芳;何保杨;方灵新;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型TBC晶硅太阳能电池的制造方法，包括：对硅片的正面进行清洗制绒及磷扩散，以形成N+前表面场；清洗去除硅片正面的硅磷玻璃；通过等离子体增强化学气相沉积法在硅片的背面依次沉积隧穿氧化层及P+多晶硅；利用激光消融分离硅片背面的P型区和N型区；利用碱性溶液清洗硅片；在硅片的正面沉积钝化减反射膜；在硅片的背面沉积钝化膜；在硅片的背面印刷电极并烧结。该方法与现有LPCVD方式沉积多晶硅相比，可以有效提升沉积速率，进而提升单台单管设备的产能。同时，采用激光消融方式对背面P型区和N型区进行分离，无需多次采用掩膜和光刻技术，因而可以有效简化生成过程中的工艺步骤，在保证良率的情况下进一步的提升生产效率。
tbc 太阳能电池制造方法

[发明专利]一种太阳能电池及其氢钝化方法-CN202210034540.6有效
发明人： 丰明璋;方灵新;赵文祥;何胜;徐伟智;蔡永梅;杨金芳;何保杨;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种太阳能电池氢钝化方法，包括获得的金属化后的预制太阳能电池；预制太阳能电池包括含有氢的钝化层；采用预设方式对预制太阳能电池进行退火处理，得到退火后太阳能电池，预设方式为非光加热式退火或者使用预设波长的光加热退火，预设波长处于硅基体弱响应波段；对退火后太阳能电池进行光诱导处理，得到氢钝化的太阳能电池。本申请中使用非光加热式退火方式或者使用处于硅基体弱响应波段的预设波长的光进行加热退火，可以使得钝化层中的氢脱离出来成为游离态的活化氢，且主要是处在中间能级，价态为H0，降低界面表面态密度，增加界面钝化的效果，然后再进行光诱导处理，提升电池的转换效率。本申请还提供一种太阳能电池。
一种太阳能电池及其钝化方法

[发明专利]一种太阳能电池栅线偏移的调整方法及其应用-CN202010386449.1有效
发明人： 丰明璋;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池栅线偏移的调整方法，其包括采用网版将栅线印刷到硅片上；分别测量相邻激光槽之间的距离x和相邻栅线中心之间的距离y1，相邻栅线端点之间的距离y2；计算激光槽与栅线之间的第一偏移间距δ1和第二偏移间距δ2；根据偏移间距情况进行判断，并对网版PT值和/或张力值进行调节。相应的，本发明还公开了上述太阳能电池栅线偏移的调整方法在太阳能电池生产过程中的应用。本发明的调整方法，可明显减少或消除电极栅线与激光槽的偏移，在满足电池外观要求的同时，提升电极栅线对于载流子的收集能力。
一种太阳能电池偏移调整方法及其应用

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