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[发明专利]一种超级结肖特基二极管-CN201610596069.4有效
发明人：任敏;林育赐;包惠萍;罗蕾;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种超级结肖特基二极管。本发明的特征在于：通过在器件体内沟槽处形成肖特基结，增大了肖特基结的有效面积，从而提高器件的电流能力。
一种超级结肖特基二极管

[发明专利]一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法-CN201410270490.7无效
发明人：李迪;贾利芳;何志;樊中朝;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为肖特基二极管的阴极；介质钝化层形成在势垒层上，并暴露出凹槽；肖特基接触形成在介质钝化层的表面，作为肖特基二极管的阳极。本发明同时还公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管的制备方法。本发明通过刻蚀阻断部分氮化镓异质结沟道二维电子气的凹槽阳极氮化镓异质结肖特基势垒二极管，可同时获得低开启电压、低反向漏电流和高击穿电压的优秀电学特性。
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202220118055.2有效
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；每个高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN201910858210.7在审
发明人：胡斐;孙剑;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法。本发明红外探测器其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极；该探测器利用黑硅的宽带（紫外‑近红外波段）、高效减反作用来提高红外光吸收率，利用黑硅和金属或金属硅化物间形成的三维肖特基结提高内光电子发射效率，利用PN结提高光生电荷的传输效率，从而提高红外光电响应。
肖特基结黑硅红外探测器背表面黑硅层前表面红外光吸收率光电子发射效率光电探测器金属硅化物近红外波段前表面电极传输效率光生电荷红外光电钝化层硅衬底电极探测器宽带制备三维金属响应

[发明专利]肖特基二极管-CN202310962661.1在审
发明人：黄大海 -专利权人：思瑞浦微电子科技（上海）有限责任公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明揭示了一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括P型衬底、位于P型衬底内的N型阱区、位于N型阱区内的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区之间通过第一隔离结构电气隔离，所述第一掺杂区旁侧的N型阱区上形成有第一肖特基金属层，所述第一肖特基金属层与第一掺杂区通过第二隔离结构电气隔离。本发明通过第二隔离结构断开肖特基结和PN结的连接，并对PN结进行限流或阻断，从而减小了衬底注入电流。
肖特基二极管

[发明专利]超级结肖特基二极管与其制作方法-CN201810032255.4有效
发明人：董升旭;白云;田晓丽;汤益丹;杨成樾;陈宏;王臻星;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种超级结肖特基二极管与其制作方法。该超级结肖特基二极管包括：N+型衬底；N型外延层，设置在N+型衬底的表面上，N型外延层中具有依次叠置设置的P区和P+区，P+区的远离P区的表面为N型外延层的部分表面；正面金属层，设置在N型外延层的远离N+型衬底的至少部分表面上，以使正面金属层与N型外延层形成肖特基结。该超级结肖特基二极管的反向击穿电压较大，能够应用于高压领域中。
超级结肖特基二极管与其制作方法

[发明专利]一种肖特基结可靠性评估方法及装置-CN202110440890.8有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结可靠性评估方法及装置，该方法包括：通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取待测器件的多个测试电压；采用中位秩估计法计算多个测试电压的累积分布函数；将累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；根据累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算待测器件的缺陷栅极密度，并根据缺陷栅极密度评估待测器件肖特基结的可靠性。本发明实施例在对测试电压进行线性拟合得到对应的累积分布函数拟合图后，根据累积分布函数拟合图来计算待测器件的缺陷密度，从而根据该缺陷密度评估待测器件肖特基结的可靠性，能够准确对待测器件的肖特基结的缺陷进行评估，进而能够有效提高肖特基结可靠性评估的准确性。
一种肖特基结可靠性评估方法装置

[发明专利]一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN202210044122.5在审
发明人：卢星;徐童龄;王钢;陈梓敏 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准的氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法，涉及氧化镓半导体及其制造技术，针对氧化镓结势垒肖特基二极管制造时光刻对准次数多等缺陷提出本方案。包括三维鳍式沟槽结构的制作步骤；PN结的制作步骤和电极的制作步骤；在N型氧化镓漂移层上表面铺设图形化的半牺牲肖特基金属层，利用所述半牺牲肖特基金属层作为掩膜对N型氧化镓漂移层进行刻蚀，制作出三维鳍式沟槽结构优点在于，先制备二极管中的半牺牲肖特基金属层，直接采用该半牺牲肖特基金属层做为刻蚀氧化镓的掩膜。使半牺牲肖特基金属层与氧化镓肋条形成自对准的肖特基接触，直接规避了在肋条顶部去除P型氧化物半导体层及铺设肖特基金属层时必要的光刻对准工作。
一种对准氧化镓结势垒肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201410333652.7在审
发明人：曹琳 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管包括：4H-SiC衬底；位于衬底上的第一4H-SiC外延层，第一4H-SiC外延层上方形成有浮结层；位于第一4H-SiC外延层和浮结层上的第二4H-SiC外延层；位于第二4H-SiC外延层上的结势垒区、结终端扩展及场限环；位于结终端扩展和场限环上方的SiO₂层、以及位于部分SiO₂层上的场板，场板中间形成肖特基接触窗口；位于衬底背面的欧姆接触的阴极、以及位于肖特基接触窗口内肖特基接触的阳极。本发明改善了4H-SiC浮结肖特基势垒二极管反向漏电流大的问题，同时，将传统高温离子注入工艺形成浮结结构的方法改变为刻蚀外延工艺，解决了离子注入产生晶格损伤导致器件性能下降的问题，有效提升了器件性能。
sic 浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]异质结功率二极管-CN201710449247.5在审
发明人：马朝凤;黑芳 -专利权人：乐山加兴科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结功率二极管。该异质结功率二极管，包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层和设置在GaN层上表面的AlMN层；所述GaN层和AlMN层的接触面形成异质结，所述AlMN层上层的两侧分别具有第一欧姆金属和第二欧姆金属；所述第一欧姆金属上表面具有第一肖特基金属；所述第二欧姆金属上表面具有第二肖特基金属；所述第一肖特基金属和第二肖特基金属之间的AlMN层上表面具有钝化层；所述AlMN层与第二欧姆金属的连接处具有凹槽；所述第二肖特基金属填充在凹槽中，该异质结功率二极管具有低开启电压和低功耗等优点
欧姆金属肖特基异质结功率二极管上表面金属半导体领域衬底上表面金属填充开启电压低功耗钝化层衬底上层制造

[发明专利]SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法-CN201310314763.9有效
发明人：岳瑞峰;信婉清;张莉;王燕 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，形成于所述衬底上；肖特基金属接触，形成于所述外延层上；第二导电类型的重掺杂区，形成于所述肖特基金属接触下；第二导电类型的轻掺杂区，形成于所述重掺杂区下；第二导电类型的轻掺杂阱，形成于所述轻掺杂区下，且所述轻掺杂阱的宽度小于所述轻掺杂区的宽度；以及欧姆接触，形成于所述衬底背面。本发明提出的SiC结势垒肖特基二极管，能够明显降低PN结拐角处的电场集中效应，进一步提高器件的反向击穿电压和Baliga品质因数（BFOM）值。
sic 结势垒肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]沟槽型原胞结构及制备方法-CN202110955605.6有效
发明人：张曌;李杰;魏国栋;刘玮;李佳玲;师云鹏 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：并于第一导电类型的外延层内形成有沟槽；于沟槽内形成栅极结构；于第一导电类型的外延层内形成第二导电类型的体区，第二导电类型的体区位于栅极结构相对的两侧；于第一导电类型的外延层的上表面形成势垒金属层，并于第一导电类型的外延层内形成肖特基结；肖特基结位于相邻栅极结构之间的第二导电类型的体区之间，势垒金属层将栅极结构、第二导电类型的体区及肖特基结短接，电流绕过肖特基结，导电沟道导通，一举解决平面型肖特基器件存在的问题，不论反向截止电压如何变化
沟槽型原胞结构制备方法

[发明专利]超结MOSFET和二极管的集成-CN201210180291.8无效
发明人：金洙丘 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及超结MOSFET和二极管的集成，具体提供一种半导体结构以及一种形成具有场效应晶体管（FET）区和肖特基区的半导体结构的方法。该半导体结构，包括第一导电类型的半导体层，延伸入半导体层中的沟槽，以及衬于每个沟槽的侧壁和底部并与半导体层形成PN结的第二导电类型的导电层。第二多个沟槽设置于肖特基区中，其包括与第二多个沟槽的相邻沟槽之间的半导体层的台面表面相接触从而形成肖特基接触的导电材料。导电材料也与邻近第二多个沟槽上部的导电层接触。
mosfet 二极管集成

[发明专利]一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管-CN201910459143.1有效
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管，包括N+衬底层；N‑外延层；若干P型离子注入区，每个P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，且沟槽的深度从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；两个二氧化硅隔离层；第一金属层，相邻两个P型离子注入区之间的N‑外延层与第一金属层形成第一肖特基接触区，且第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；第二金属层。本发明的结型势垒肖特基二极管能够保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小结型势垒肖特基二极管中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，且减小了结型势垒肖特基二极管的反向漏电流。
一种能够减小反向漏电结型势垒肖特基二极管

[发明专利]肖特基势垒二极管结构-CN200610030635.1有效
发明人：武洁;李平梁;徐向明 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基势垒二极管结构，以金属和N阱形成的肖特基结为正极，肖特基结通过接触孔与金属正极板相连；以N型半导体为负极，在肖特基结上设置多个彼此分离的P+区域，任意两个P+区域之间的间距满足如下条件：在反向偏压时，P+/N阱结耗尽区彼此相连。本发明与传统结构相比，正向压降低，反向击穿电压和泄漏电流都由PN结二极管决定，软击穿特性和高的反向泄漏电流都有很好的改善。
肖特基势垒二极管结构