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[发明专利]异质结肖特基二极管元件-CN201810641791.4有效
发明人：蔡镕泽;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结肖特基二极管元件，其包括缓冲层、至少一通道层、至少一阻障层以及肖特基金属层。缓冲层配置于基板上。至少一通道层配置于缓冲层上。至少一阻障层配置于至少一通道层上。肖特基金属层配置于至少一阻障层上、横跨条状开口并填入条状开口中。本发明的异质结肖特基二极管元件为三维结构，其可增加肖特基金属层与二维电子气的接触面积，以减少传输阻值，并降低起始电压。
异质结肖特基二极管元件

[发明专利]用于半导体器件的自对准肖特基结的制造方法-CN200680044061.1有效
发明人：马库斯·穆勒 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造关于半导体器件的自对准肖特基结(29)的方法。在栅极蚀刻和隔离物形成以后，硅衬底(10)中形成了定义结区的凹槽并且其中选择性地生长了SiGe层(22)。然后，在栅极(14)和SiGe层(22)上提供电介质层(24)，执行接触蚀刻以形成接触孔(26)，然后去除SiGe材料(22)从而在结区中产生腔(28)。最后，用金属填充腔(28)以形成结(29)。因此，提供了一种工艺，它用于形成具有相对低的电阻率的肖特基结，其中该结的形状和位置可被很好地控制。
用于半导体器件对准肖特基结制造方法

[发明专利]超结肖特基PIN二极管-CN201280038385.X有效
发明人：渠宁;A.格尔拉赫 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：此外所述芯片包含在其前侧设置的第一金属层，所述第一金属层与所述n型掺杂的外延层形成肖特基接触部并且与所述高度p型掺杂的区域形成欧姆接触部并且用作阳极电极。
超结肖特基 pin 二极管

[发明专利]基于肖特基结的高灵敏度光强起伏探测器-CN201910236831.1在审
发明人：吕惠宾;郭尔佳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种光强起伏探测器，包括：由半导体衬底材料和透光的金属特性材料构成的肖特基结吸收体、设置在所述半导体衬底材料表面的电极、连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的可调电源、以及连接在所述电极和所述金属特性材料的表面之间的测压部件，所述可调电源用于给所述肖特基结吸收体提供反向电流，所述测压部件用于监测所述肖特基结吸收体两端之间的电压。
基于肖特基结灵敏度起伏探测器

[发明专利]基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法-CN202011162898.4在审
发明人：曾龙辉;梁凤霞 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明公开了基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法，是在Si基底上生长二维PtTe2纳米薄膜，Si与PtTe2形成肖特基结，从而构建成为自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器。
基于二维碲化铂纳米薄膜驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED-CN201510053998.6有效
发明人：杨青;吴远鹏;陶菲克·哈桑;刘旭 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于一维微纳结构/氮化镓薄膜肖特基结的紫外LED，包括阴极、阳极和连接阳极的有源发光体，还包括一微纳结构，所述微纳结构的一端与阴极相连，另一端与有源发光体接触形成肖特基结。本发明结构简单，成本低廉，发光波长短，波长不随电流升高变化，效率较高，可工作在连续电流或脉冲电流下使用微纳结构克服了传统肖特基结LED中出射光被金属电极吸收和散射的难题，在保证廉价制作成本的同时极大提高了器件的发光效率
基于一维微纳结构氮化薄膜肖特基结紫外 led

[发明专利]一种肖特基MOS半导体装置及其制备方法-CN201210328183.0在审
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种肖特基MOS半导体装，将肖特基势垒结代替传统MOS器件的源区和体区，通过栅极偏压在漂移区形成高浓度的载流子区域，形成器件的沟道；同时本发明将电荷补偿结构引入到肖特基MOS结构中。本发明还提供一种肖特基MOS半导体装置的制备方法。
一种肖特基 mos 半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法-CN201010023067.9有效
发明人：吴东平;张世理;葛亮;仇志军 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
一种混合结型源漏场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种宽禁带半导体器件-CN201720101148.3有效
发明人：张振中;孙军;和巍巍;汪之涵;颜剑 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提出一种宽禁带半导体器件，所述宽禁带半导体器件包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有更高的浪涌电流能力。
一种宽禁带半导体器件

[发明专利]一种具有台阶结构的碳化硅功率器件及其制备方法-CN201711461770.6有效
发明人：杨啸威;叶念慈;刘成 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有台阶结构的碳化硅功率器件及其制作方法，所述碳化硅功率器件由下至上包括欧姆接触电极、N+SiC衬底层、N‑SiC外延层及肖特基接触电极，还包括间隔排列的若干P型结终端；所述肖特基接触电极设于所述N‑SiC外延层的中央，所述P型结终端为封闭环结构并依次绕设于所述肖特基接触电极外围；所述N‑SiC外延层上表面的边缘低于中央形成环形台阶，所述P型结终端分布于所述N‑SiC外延层环形台阶的高低两个台阶面上并与N‑SiC外延层形成PN异质结。本发明可改善SiC功率器件结边缘电场集中现象，获得高击穿电压的碳化硅器件。
一种具有台阶结构碳化硅功率器件及其制备方法

[发明专利]一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管-CN202110317471.5有效
发明人：罗小蓉;魏雨夕;鲁娟;杨可萌;魏杰;蒋卓林;王元刚;吕元杰;冯志红 -专利权人：电子科技大学;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。
一种具有终端结构氧化镓基结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种提高石墨烯与纳米线异质结探测器开关比的方法-CN201410748536.1无效
发明人：胡伟达;骆文锦;王鹏;苗金水;郭楠;陈平平;李天信;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高石墨烯与纳米线异质结探测器开关比的方法。该方法是在机械剥离的石墨烯上物理转移InAs纳米线，形成异质结。由于石墨烯与InAs纳米线具有不同的功函数，接触处会形成肖特基势垒。而栅极电压能够调节石墨烯的费米能级，从而调节肖特基势垒的高度，形成内建电场，使光生电子空穴对迅速分开，电子流向InAs纳米线，空穴流向石墨烯。因此，肖特基势垒的可调控优势能够有效地抑制石墨烯与纳米线异质结探测器的暗电流，提高探测器的开关比。此结构能够使石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比超过102。本发明对于提高现有的石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比有着十分重要的意义。
一种提高石墨纳米线异质结探测器开关方法

[发明专利]一种集成肖特基二极管的双沟道碳化硅MOSFET器件-CN202010205715.6在审
发明人：易波;伍争;赵青;张千;向勇;石文坤 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成肖特基二极管的双沟道碳化硅MOSFET器件，采用双沟道设计，形成两个接地的电场屏蔽区保护中间的肖特基二极管，使得肖特基结处电位能够被屏蔽的很低，从而降低泄露电流，提高击穿电压；同时，进一步降低肖特基势垒高度而不至于使得泄漏电流明显增大，进而降低肖特基二极管反向导通压降。此外，通过引入第一深槽内的平面沟道，一方面增加了沟道密度、降低了比导通电阻，另一方面通过将浮空电场屏蔽区接地、更好地起到屏蔽肖特基结电势的效果、从而降低肖特基势垒高度、降低反向导通压降，并且接地的电场屏蔽区能够消除浮空电场屏蔽区带来的动态电阻增大
一种集成肖特基二极管沟道碳化硅 mosfet 器件

[发明专利]一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管-CN202110553005.7在审
发明人：孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成;王彬;郭嘉欣;黄柯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻
一种具有正向电流密度沟槽肖特基二极管

[实用新型]一种具有高性能的半导体器件-CN201720101291.2有效
发明人：张振中;颜剑;和巍巍;汪之涵;孙军 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高性能的半导体器件，所述半导体包括结型势垒肖特基二极管，所述结型势垒肖特基二极管远离表面区域的P杂质区域面积增大而肖特基电极的接触面积保持不变，用于降低所述肖特基二极管的反向电场强度，该实用新型可缩小碳化硅外延层中P型掺杂区间的间距，有利于增强P型区间N型外延层的耗尽，降低P型区之间，即肖特基电极处的电场，从而降低器件在承受反向电压时的肖特基漏电流。同时，本实用新型未造成肖特基表面接触面积的损耗，不会显著降低器件正向电流，可进一步缓解正向电流特性和反向漏电特性不可同向改善的矛盾，该实用新型可进一步缓解正向电流特性和反向漏电特性不可同向改善的矛盾。
一种具有性能半导体器件