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[发明专利]异质结半导体器件及其制造方法-CN201310184881.2有效
发明人：雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·安东·克龙;约翰尼斯·J·T·M·唐克斯;简·雄斯基;斯蒂芬·约翰·斯奎;安德烈亚斯·伯纳德斯·玛丽亚·扬斯曼;马库斯·穆勒;斯蒂芬·海尔;提姆·伯切尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：13族氮化物异质结，包括具有第一带隙的第一层和具有第二带隙的第二层，其中，第一层位于衬底和第二层之间；以及肖特基电极和另外的第一电极，分别电连接到异质结的不同区域，所述肖特基电极包括中心区域和边缘区域，其中，器件包括在肖特基电极下方仅位于所述边缘区域下方的导电势垒部分，用于局部增强肖特基电极的肖特基势垒。
异质结半导体器件及其制造方法

[发明专利]肖特基结半导体元件及其制造方法-CN200780005528.6无效
发明人：土田秀一;中村智宣;三柳俊之 -专利权人：财团法人电力中央研究所
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种碳化硅肖特基结半导体元件及其制造方法，该半导体元件及其制造方法在不使n因子增加的情况下，能将肖特基势垒高度控制在功率损耗最小的范围内的所希望值，并且作为肖特基电极使用了Ta电极本发明的碳化硅肖特基结半导体元件的制造方法的特征在于，在从(000-1)C面的倾斜角为0°～10°范围内的n型碳化硅外延膜的晶面堆积钽后，以300℃～1200℃的温度范围进行热处理，从而形成肖特基电极。
肖特基结半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种N-P互补肖特基二极管结构-CN201010121451.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种N-P互补肖特基二极管结构，包括位于同一半导体衬底上的N型肖特基二极管和P型肖特基二极管，其中，N型肖特基二极管结构中包括与轻掺杂阱区直接接触的金属硅化物，而P型肖特基二极管不包括金属硅化物层。本发明提供的N-P互补肖特基二极管结构与传统的N、P肖特基二极管均包括金属硅化物层或均不包括金属硅化物层的N-P互补肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对N型肖特基结特性的影响，同时克服了金属硅化物对P型肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，使得N、P肖特基二极管均具有优良的正向和反向特性，提高了N-P互补肖特基二极管的性能。
一种互补肖特基二极管结构

[实用新型]具有浪涌防护功能的肖特基结构-CN202022145705.6有效
发明人：刘宗贺 -专利权人：深圳长晶微电子有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有浪涌防护功能的肖特基结构，其包括N型衬底、肖特基势垒层、P++扩散层、表面结构、阴极电极和P+分压环，肖特基势垒层设置在N型衬底一端中部，P++扩散层呈环状，设置在肖特基势垒层外侧，表面结构设置在肖特基势垒层一端，用于芯片封装焊接，阴极电极设置在N型衬底一端，用于封装电极焊接导电，P+分压环设置在N型衬底一端，呈环状，且位于P++扩散层外侧。本实用新型的具有浪涌防护功能的肖特基结构，相当于在肖特基势垒结四周有一圈单向TVS对肖特基势垒结进行保护，P+分压环可以降低肖特基的表面电场集中，提高了肖特基结构的击穿电压，提高了对电路的保护能力，增加了产品的使用寿命
具有浪涌防护功能肖特基结构

[发明专利]超级结肖特基二极管-CN201210484678.2在审
发明人：王飞 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结肖特基二极管，具有多个元胞结构，每个元胞结构包括N型衬底上生长有N型外延，N型外延上部具有两个P型外延，所述两个P型外延之间的N型外延上具有肖特基接触区，所述肖特基接触区上是金属层本发明的超级结肖特基二极管能耐受高反偏电压，当PN结的长度超过40um时其能实现在600V以上高压环境下正常工作。
超级结肖特基二极管

[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201910908017.X在审
发明人：姜春艳;吴昊;田亮;吴军民;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供的一种肖特基二极管及其制备方法，其中所述肖特基二极管包括基底，以及若干P型结，其包括相对设置的第一端部和第二端部，且所述P型结嵌插设置于所述基底内以使所述第二端部位于所述基底内，相邻P型结间隔设置；连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线。通过连接所述第一端部和第二端部且位于P型结侧面上的连线为光滑的弧线的结构，使得注入P型结边缘的电场强度更加均匀，进一步提高碳化硅肖特基二极管芯片的反向耐压以及可靠性。
第二端部第一端部基底肖特基二极管弧线连线光滑肖特基二极管芯片反向耐压间隔设置相对设置侧面碳化硅嵌插制备

[发明专利]基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管-CN201910062980.0有效
发明人：张玉萍;曹茂永;孙红雨;李磊;王卓鹏;张会云 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多分体阳极改善电流拥挤效应的太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特基二极管本体，所述肖特基二极管本体包括若干个串联连接的肖特基二极管结，每个肖特基二极管结的阳极与阴极之间通过空气桥连接，所述空气桥下侧的阳极主体为圆形或矩形，且圆形或矩形阳极主体上设置有若干条向外延伸的阳极分体所述二极管可有效改善肖特基二极管的电流拥挤效应，减小功率耗散，增加倍频二极管的倍频效率。
基于分体阳极改善电流拥挤效应赫兹肖特基二极管

[发明专利]一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用-CN202111222870.X在审
发明人：仇杰;刘国珍;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体电子材料技术领域，具体涉及一种开路电压连续可调的肖特基结及其制备和应用，该开路电压连续可调的肖特基结，包括钛酸锶衬底和设在所述钛酸锶衬底上的La0.7肖特基结在锰掺杂浓度在0‑1.5mol％皆表现出良好的I‑V调制特性，特别是该肖特基结的开路电压可以被锰掺杂含量连续调控，这种肖特基结具有结构简单、性能优良且易于制备的优点，并且为肖特基二极管在高开路电压下的应用方面提供了材料和器件基础
一种开路电压连续可调肖特基结及其制备应用

[发明专利]肖特基二极管-CN201280044080.X有效
发明人： J.P.亨宁;Q.张;S-H.刘;A.K.阿加瓦尔;J.W.帕尔摩尔;S.艾伦 -专利权人：科锐
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明总体上涉及一种肖特基二极管，所述肖特基二极管具有衬底、在所述衬底上所提供的漂移层和在所述漂移层的有源区域上所提供的肖特基层。选择用于所述肖特基层的金属以及用于所述漂移层的半导体材料，用以在所述漂移层和所述肖特基层之间提供低位垒高度肖特基结。
肖特基二极管

[发明专利]一种利用反向特性测试肖特基二极管热阻的方法-CN202010562246.3在审
发明人：王永恒;王卿璞;任丕尧;保爱林;顾在意;郭庆磊 -专利权人：山东宝乘电子有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用反向特性测试肖特基二极管热阻的方法，区别于现有测试方法中将热敏电压作为热敏参数来表征结温，本发明选择肖特基芯片在指定反向电压下的反向电流IR作为热敏参数，利用肖特基二极管的反向电流与结温呈指数函数关系确定热阻测试时的热敏校正曲线；然后再对肖特基二极管进行稳态偏置电压下的反向电流测试，进而计算出肖特基二极管的结温、反向功耗、以及热阻值。采用本发明所提供的热阻测试方法无需配置专用测试设备，整个测试过程所使用的测试设备均为常规测试仪器，测试系统的连接结构非常简单，也很容易实现，对于不具备专用测试设备的中小企业也可以轻松实现对肖特基二极管热阻的测试
一种利用反向特性测试肖特基二极管方法

[发明专利]一种基于肖特基结的电流测量装置-CN201811490921.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：徐州天骋智能科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基结的电流测量装置，包括N型半导体，N型半导体相连的金属体，N型半导体的外表面设置有导线固定层，并且导线固定层上设置有螺旋形的导线固定槽，固定槽为非均匀分布，该导线固定层分为绝缘导热区和绝缘隔热区，绝缘导热区和绝缘隔热区首尾相接，包裹于N型半导体的侧面；N型半导体置于磁场中，该磁场的方向与待测电流方向、肖特基产生的肖特基势垒的电场方向垂直；该基于肖特基结的电流测量装置通过待测电流改变N型半导体的局部温度，从而使得N型半导体形成一个温度梯度，使得N型半导体内部的载流子发生定向移动，从而形成一个微电流，从而使得N型半导体内部出现微型电场，从而改变肖特基结的肖特基势垒的。
一种基于肖特基结电流测量装置

[发明专利]用于结实耐用封装的带有增强型上部接头结构的结型势垒肖特基二极管及其方法-CN201210238750.3有效
发明人：安荷·叭剌;潘继;伍时谦 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-07-11 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种带有增强型上部接头结构的半导体结型势垒肖特基二极管。参照X-Y-Z坐标系，结型势垒肖特基二极管具有平行于X-Y平面的半导体衬底。位于半导体衬底上方的有源器件区，具有带有Z-方向电流的结型势垒肖特基二极管。半导体衬底上方的外围保护区包围着有源器件区。当结型势垒肖特基二极管封装时，在顶部接触金属上方一旦产生接合力，那么嵌入底部支撑结构就会增强增强型上部接头结构抵御顶部接触金属可能的细微破裂，降低结型势垒肖特基二极管的漏电流。
用于结实耐用封装带有增强上部接头结构结型势垒肖特基二极管及其方法

[发明专利]一种二次谐波增强型的超宽带肖特基二倍频器结构-CN201910511499.5有效
发明人：田遥岭;何月;蒋均;黄昆;缪丽;陈鹏;岑冀娜;李理 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种二次谐波增强型的超宽带肖特基二倍频器结构，包括波导T/Y型结、两路输入波导探针、两对肖特基二极管、悬置微带T型结以及输出波导探针；所述波导T/Y型结的两端分别接输入波导探针，输入波导探针和悬置微带T型结形成波导‑悬置微带转换结构，两对肖特基二极管分别与两路输入波导探针的悬置端口连接，悬置微带T型结将两对肖特基二极的输出合为一路，然后输出到输出波导探针；本发明能省略输出端繁琐的匹配滤波电路，进而降低消耗在匹配滤波电路中的功率，极大提升倍频器的倍频效率，并能获得接近相应波导全频段的工作带宽；两对肖特基二极管可以使得倍频器的功率容量是传统倍频器的两倍，相应的可输出功率范围也增加一倍。
一种二次谐波增强宽带肖特基二倍频器结构

[发明专利]一种用于冷肿瘤光热-免疫治疗的肖特基纳米疫苗、制备方法及应用-CN202310336945.X在审
发明人：吴小山;吴亦章 -专利权人：南通南京大学材料工程技术研究院
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于冷肿瘤光热‑免疫治疗的肖特基纳米疫苗，制备方法为：以超小的γ‑MnO2纳米点锚定在牛血清白蛋白修饰的本征金属性的Ti3C2(OH)2上，得到肖特基异质结的纳米疫苗。可通过原位疫苗抗肿瘤作用重塑冷肿瘤微环境，肖特基异质结使TC‑MnO2@BSA具有优化的光热转换和ROS生成能力，过多的ROS和热量导致肿瘤免疫原性死亡，大量受损的双株
一种用于肿瘤光热免疫治疗肖特基纳米疫苗制备方法应用

[发明专利]超级结肖特基二极管及其制造方法、电子元件-CN202211424049.0在审
发明人：盛况;程浩远;王珩宇;任娜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及超级结肖特基二极管及制造方法、电子元件。该用于制造超级结肖特基二极管的方法包括：形成预制超级结结构，其中，预制超级结结构包括密铺设置的多个预制超级结元胞；通过对预制超级结结构进行离子注入，形成终端结构和超级结结构，其中，终端结构具有环形形状，并围绕限定出超级结结构的有源区；以及形成金属层，其中，金属层位于有源区，金属层与超级结结构实现肖特基接触。本公开在有源区和终端区采用密铺的超级结元胞设计，能够解决在超级结器件制备过程中因对准标记损坏引发的对准问题。
超级结肖特基二极管及其制造方法电子元件