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[发明专利]提高肖特基击穿电压（BV）而不影响集成的MOSFET-肖特基器件布局-CN200780005060.0有效
发明人： A·布哈拉;D·恩格;S·K·卢伊 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L29/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件，其包括具有多个功率晶体管单元的有源单元区域和肖特基结势垒(JBS)区。该半导体功率器件包括进一步包括多个肖特基二极管的JBS区，其中每一肖特基二极管均具有PN结，该PN结布置在半导体衬底顶表面附近的外延层上，其中PN结进一步包括布置于外延层中的反向掺杂区，从而降低邻近PN结的掺杂形貌的突然反向，用于防止PN结中的提早击穿。
提高肖特基击穿电压 bv 影响集成 mosfet 器件布局

[发明专利]一种结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202211593032.8在审
发明人：赵承杰;周炳;付国振 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管包括由下至上依次设置的阴极金属层、N+衬底、N‑外延层、氧化层及阳极金属层，所述N‑外延层的上表面上沿横向方向依次间隔设置有多个P型半导体区，每个所述P型半导体区与N‑外延层间形成一PN结，每个所述PN结均呈正六边形结构，相邻两个PN结之间设置有肖特基势垒金属，所述肖特基势垒金属设置在N‑外延层的上表面上。本发明的肖特基二极管具有高耐压、高频、漏电小、损耗低等特点。
一种结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器-CN201510952054.2在审
发明人：文岐业;李胜;张波;田伟 -专利权人：成都浩博依科技有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN半导体材料异质结场效应晶体管结构的太赫兹波空间外部调制器，包括衬底层（1）、GaN缓冲层（2）、AlGaN势垒层（3）、欧姆金属层（4）、隔离介质层（5）、肖特基金属层（6）和超颖材料层（7），GaN缓冲层（2）和AlGaN势垒层（3）是在衬底上外延的异质结，在自发极化和压电极化的作用下在异质结界面处产生二维电子气，作为器件的导电沟道。该调制器以超颖材料的人工单元为基本结构，引入GaN半导体异质结场效应晶体管，通过改变GaN半导体异质结场效应晶体管的栅极电压来调控超颖材料的人工单元开口的通断，从而实现对太赫兹波的高速有效调制。
一种基于 gan 半导体材料异质结场效应晶体管结构赫兹空间外部调制器

[发明专利]一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件-CN202210784674.X在审
发明人：孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体提供一种低损耗可逆导的碳化硅场效应功率晶体管器件；本发明采用多晶硅/碳化硅异质结、硅/碳化硅异质结、氧化镍/碳化硅异质结或集成肖特基二极管结构来改善碳化硅MOSFET的反向恢复特性，实现自我可逆导，进而实现更低的反向恢复损耗和更高的反向恢复性能，最终降低反向恢复损耗以及避免使用片外续流二极管，降低了应用成本和系统的体积；与此同时，进一步引入高k绝缘体和/或超结结构、氧化镍/碳化硅异质结超结结构、以及氧化镍/绝缘层/碳化硅超结结构，这些新型结构在增大击穿电压的同时，能够有效降低比导通电阻，从而降低了导通损耗，极大地改善器件的性能。
一种损耗可逆碳化硅场效应功率晶体管器件

[发明专利]一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法-CN202210454383.4有效
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率器件技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅JBS器件及其制备方法，多沟槽型碳化硅JBS器件包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、肖特基沟槽、注入沟槽、PN结注入掺杂区以及金属层，其中，注入沟槽和肖特基沟槽设置于碳化硅外延层上，肖特基沟槽设于相邻的注入沟槽之间，且注入沟槽的深度大于肖特基沟槽的深度；PN结注入掺杂区设于注入沟槽内，金属层在肖特基沟槽内与碳化硅外延层之间形成肖特基接触，该多沟槽型碳化硅JBS器件在横向尺寸不变的情况下提升肖特基结面积
一种沟槽碳化硅 jbs 器件及其制备方法

[发明专利]一种肖特基半导体装置及其制备方法-CN201610225302.8有效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基半导体装置；设置有交替排列的第一漂移层和第二漂移层；第二漂移层设置有一个或多个背靠背半导体结，第一漂移层表面设置有肖特基结；当半导体装置接反向偏压时，第二漂移层内的MOS和反向半导体结可以调节肖特基结电场分布，降低峰值电场；当半导体装置接正向向偏压时，第二漂移层内存在反向半导体结，使得本发明的半导体装置为单载流子器件。本发明还提供一种肖特基半导体装置的制备方法，可以使用两次光刻工艺实现完整整流器件的生产制造。
一种肖特基半导体装置及其制备方法

[发明专利]PN结肖特基结的新型使用方法-CN201810944226.5在审
发明人：卢毅成 -专利权人：卢国安
申请日： 2018-08-18 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了PN结肖特基结的新型使用方法。PN结、肖特基结的电压电流公式I=Is(expV/VT‑1)，说明了温度‑反向饱和电流特性包含了极其重要的正向温度性能信号，反向Is与正向温度性能是同一特性的两极表现而已。本发明公开了把PN结、肖特基结反过来在低反向电压下利用反向电流工作的应用：对正向PN结、肖特基结进行很好的电压温度系数补偿，可以灵活的组合成低至0.3V以下，高至十多伏甚至更高电压、低温漂、1/f噪声极低
肖特基结电压温度系数温度性能三极管正向高精度电压基准反向饱和电流电压电流电源电压反向电流反向电压高灵敏度低温漂高电压灵活的抑制比测温对正可用噪声应用两极表现

[发明专利]一种通过光伏测量提取肖特基势垒高度的方法-CN201310577467.8有效
发明人：崔昊杨;许永鹏;杨俊杰;唐忠;曾俊冬;高巍;刘璨;王超群;王佳林 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过光伏测量提取肖特基势垒高度的方法，该方法通过测量pn结光伏型光电二极管的光伏提取出肖特基势垒高度，具体包括以下步骤：1)在开路条件下，用背景光源照射pn结光伏型光电二极管，测量光电二极管的稳态光伏，不断增强背景光源的光照强度直至光电二极管的稳态光伏不再增大；2)当稳态光伏值不再增大后，采用超快脉冲激光照射光电二极管，不断增强入射激光光强，使测量到的光电二极管瞬态光伏达到饱和，获得瞬态光伏极小值V₁；3)通过公式计算得到pn结光伏型光电二极管电极界面肖特基势垒高度
一种通过测量提取肖特基势垒高度方法

[发明专利]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件-CN202210047651.0在审
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的若干形状相同、结构相同的元胞；每个元胞均至少包括阱区、源极区域以及高掺杂P型区域；阱区的周围环绕有结势垒肖特基区域，结势垒肖特基区域包括多层环状高掺杂P型区域以及若干个肖特基区域；阱区与相邻的环状高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层环状高掺杂P型区域的间距均在预设区间内取值
一种集成结势垒肖特基 mosfet 器件

[发明专利]可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件-CN202011084999.4有效
发明人：张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度
偏置混频肖特基二极管结构半导体器件

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202320729088.5有效
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结构能够通过向阳极电极附近的异质结表面施加压应力增加异质结表面的压应力，以及，通过向阴极电极附近的异质结表面施加张应力增大异质结表面的张应力。本申请提供的肖特基二极管，能够改善现有技术中肖特基二极管的反向泄露电流大、耐压能力差的问题。
一种肖特基二极管

[发明专利]半导体器件、功率转换设备和车辆-CN202310442704.3在审
发明人：胡飞;唐龙谷;高博;焦春坤;郭志煜;彭迎春 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：并且，该半导体器件的源极呈沟槽型，沟槽型源极嵌入到半导体材料中，并与半导体材料中的N型掺杂区形成肖特基接触，从而对现有的超结SiCMOSFET的短板进行优化。此外，该半导体器件还包括屏蔽区，从而能够屏蔽沟槽栅极介质电场和肖特基接触表面电场，提升器件栅极工作可靠性并抑制器件反向耐压漏电。
半导体器件功率转换设备车辆

[发明专利]集成肖特基二极管的超势垒整流器及其制备方法-CN201410083539.8有效
发明人：沈健 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明主要涉及功率半导体整流器，更确切地说，是涉及一种集成肖特基二极管的超势垒整流器及其制备方法。制备沟槽式的SBR器件，具有与MOS管并联的体二极管和肖特基二极管，势垒MOS管的阈值电压比常规PN结的势垒电压低，SBR正向导通的电压低于常规PN二极管的正向导通电压，使SBR具有一个较快的开关速度，
集成肖特基二极管超势垒整流器及其制备方法

[发明专利]一种无源无线温度传感器-CN201711289838.7在审
发明人：姜岩峰;许超 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G01K1/02 文献下载
摘要：一种无源无线温度传感器，包括能量收集模块、肖特基结测温模块、数据处理控制模块、无线收发模块。能量收集模块输出端接肖特基结测温模块输入端；肖特基结测温模块输出端接数据处理控制模块输入端；数据处理控制模块输出端接无线收发模块输入端。本发明采用能量收集模块供电，加以辅助电池，大大提高了系统的工作时间；测温元件采用肖特基二极管，具有温度灵敏度高的优点，适合高温、高压、高频的极端环境温度测量。
一种无源无线温度传感器

[发明专利]碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202210378165.7在审
发明人：刘旭;杨承晋;刘涛;兰华兵;刘勇强;钟炜 -专利权人：深圳市森国科科技股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。其中，碳化硅结势垒肖特基二极管包括第一金属层、衬底层、缓冲层、元胞层、过渡层、终端层、电荷扩散层和第二金属层。电荷扩散层由氮离子注入形成，元胞层、过渡层和终端层由铝离子注入形成，同时氮离子在碳化硅结势垒肖特基二极管中的浓度小于铝离子在碳化硅结势垒肖特基二极管中的浓度，因此本实施例的碳化硅结势垒肖特基二极管实现了在二极管面积相同且击穿电压不变的同时
碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法