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[发明专利]纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅-CN201710739576.3有效
发明人：侯俊;卢马才 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供纳米金属光栅的制备方法及纳米金属光栅，方法包括步骤：提供一基板，在基板上设置有金属层；在金属层上形成压印胶层；采用具有光栅周期图形的压印模板压印压印胶层；固化压印胶层，固化后移除压印模板，形成具有光栅周期图形的压印胶，在光栅周期图形的底部残留有压印胶；采用氧气灰化的方法去除残留压印胶，暴露出光栅周期图形的底部的金属层，并在暴露的金属层表面形成金属氧化物膜；去除具有光栅周期图形的压印胶；以金属氧化物膜为掩膜，图形化金属层本发明优点是，一、解决了现有技术中金属层氧化后刻蚀无法进行的难题；二、金属氧化物膜作为后续工艺的掩膜制作纳米金属光栅，且还可作为纳米金属光栅保护层。
纳米金属光栅制备方法

[发明专利]掩膜板外侧部件及组件、彩膜基板及制造方法、显示面板-CN201910067564.X有效
发明人：黎敏;熊强;万彬;戴于力 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜板外侧部件，所述掩膜板外侧部件用于制作彩膜基板的彩膜，所述彩膜基板包括像素区和位于所述像素区至少一侧的虚拟区，所述掩膜板外侧部件包括遮光层和形成在遮光层中的透光图形，所述透光图形包括像素透光图形和虚拟透光图形，其中，所述虚拟透光图形包括位于所述像素透光图形至少一侧的第一虚拟透光图形和位于所述第一虚拟透光图形外侧的至少一个第二虚拟透光图形，所述第二虚拟透光图形包括多个虚拟图形单元，所述虚拟图形单元的面积与该虚拟图形单元对应的第一虚拟透光图形的一侧的距离反相关本发明还提供一种掩膜板组件、一种彩膜基板和一种彩膜基板的制造方法。所述彩膜基板破膜率较低。
掩膜板外侧部件组件彩膜基板制造方法显示面板

[发明专利]一种干法刻蚀与湿法腐蚀混合制备蓝宝石图形衬底的方法-CN201010501449.8有效
发明人：邵慧慧;曲爽;王成新;李树强;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种干法与湿法混合制备蓝宝石图形衬底的方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅或者氮化硅掩膜；(2)在掩膜层上涂上一层光刻胶，利用光刻胶将图形转移到掩膜层上，利用ICP设备刻蚀掩膜层，形成规则的掩膜图形；(3)用硫酸和磷酸溶液混合溶液湿法腐蚀蓝宝石，制备出所需的蓝宝石图形衬底。本发明通过二氧化硅或者氮化硅作掩膜，先利用ICP干法刻蚀二氧化硅或者氮化硅掩膜，形成规则的三角形和环形图形，然后采用湿法腐蚀蓝宝石，制备出蓝宝石图形衬底。解决了掩膜图形不规则的问题和干法刻蚀蓝宝石价格比较昂贵的问题，增加了出光效率。
一种刻蚀湿法腐蚀混合制备蓝宝石图形衬底方法

[发明专利]具有精细图形的半导体结构的制备方法-CN201810530498.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种具有精细图形的半导体结构的制备方法，包括：1）提供待刻蚀目标层；2）于刻蚀目标层上形成由下至上依次叠置的第一硬掩膜中间层、第二硬掩膜中间层及硬掩膜顶结构层；3）形成第一图形层；4）形成第二图形层；5）形成第一间隔层；6）形成第三图形层；去除第二图形单元；7）形成第二间隔层；8）形成第四图形层；去除第三图形单元。本发明可以将具有精细图形的半导体结构的制备工艺单一化，在提高良率的同时降低了生产成本。
图形层半导体结构精细图形硬掩膜刻蚀目标层图形单元间隔层中间层去除制备制备工艺单一化结构层叠置良率生产成本

[发明专利]聚合物膜图形的制造方法-CN200780011817.7有效
发明人： J·勃德威尔;M·W·拉夫顿;D·韦尔奇 -专利权人：艾利丹尼森公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： B41M3/12 文献下载
摘要：本发明涉及聚合物膜图形的制造方法，其包括提供在其上具有剥离层的连续基材；施加图形文字或图案形状的图像层至剥离层上；沉积粘合剂层至图像层上并且该粘合剂层具有与图像层图形文字或图案相同的形状；固化粘合剂层和图像层；以及将聚合物膜图形缠绕成卷。本发明还涉及聚合物膜图形，其包含具有上表面和下表面的基材；在基材的上表面之上的剥离层；在剥离层之上图形文字或图案形状的图像层；图像层之上的粘合剂层，该粘合剂层具有与图像层图形文字或图案相同的形状。
聚合物图形制造方法

[发明专利]多重图形化方法及存储器的形成方法-CN201811120674.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种多重图形化方法及存储器的形成方法。利用化学收缩试剂对第一图形的尺寸进行调整，以使复制至第一掩膜层中的掩膜图形之间的间隙具备较小，基于此即可使第二掩膜层中填充在间隙中的填充部具备较小的尺寸，同时基于第一掩膜层和第二掩膜层具备不同的刻蚀速率，从而可以确保在去除暴露出遮盖部和掩膜图形时，还保留有部分填充部，以分别构成第一转移图形和第二转移图形。可见，根据本发明提供的多重图形化方法，可在现有光刻工艺的精度限制下，仍能够界定出尺寸较小的图案。
多重图形方法存储器形成

[发明专利]制造绝缘导电图形的方法和层压体-CN201080007009.5有效
发明人：黄智泳;闵盛晙;黄仁皙;李东郁;全相起 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种制造绝缘导电图形的方法和由该方法制造的层压体，在所述方法中，在基板上形成导电膜和绝缘层图形，以及在通过使用所述绝缘层图形作为掩膜刻蚀所述导电膜而形成导电图形之后，再形成所述绝缘层图形以覆盖所述导电图形
制造绝缘导电图形方法层压

[发明专利]一种掩膜版、阵列基板及其制作方法-CN201710801200.0有效
发明人：张震 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括显示区域和PAD区域，该阵列基板的制作方法包括：形成所述PAD区域的导电图形；形成覆盖所述导电图形的至少部分区域的保护图形；在形成所述显示区域的预设膜层图形之后，去除所述保护图形。本发明中，在形成PAD区域的导电图形之后，形成覆盖所述导电图形的至少部分区域的保护图形，对导电图形的至少部分区域进行保护，从而避免在形成显示区域的预设膜层图形的过程中，被用于形成预设膜层图形的刻蚀液损伤
一种掩膜版阵列及其制作方法

[发明专利]微电机结构的制造方法-CN201210552739.4有效
发明人：程晋广 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电机结构的制造方法，包括步骤：在基片上制备微机结构的e层图形。在基片上形成非感光性聚酰亚胺膜层。采用光刻工艺并做进一步显影或干法刻蚀形成非感光性聚酰亚胺图形。去除光刻胶图形。对非感光性聚酰亚胺图形进行填充，并形成g层膜层。对g层膜层进行光刻刻蚀形成g层图形。采用显影去除非感光性聚酰亚胺图形，形成微机结构。本发明能简化工艺条件、降低工艺的复杂度和成本，采用简单工艺就能实现较大范围厚度变化的膜层制备、以满足不同微机结构对工艺上的需求。
微电机结构制造方法

[发明专利]金属硅化物的制备方法-CN202310781810.4有效
发明人：刘苏涛;渠兴宇;林士闵 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：提供衬底，衬底具有待处理的硅区域；于衬底具有硅区域一侧形成图形化掩膜层，图形化掩膜层具有显露硅区域的开口图形；形成分别覆盖硅区域以及图形化掩膜层的金属材料层；形成覆盖金属材料层表面的硅基材料层；金属材料层在硅基材料层和硅区域的硅化作用下形成初始金属硅化物层；去除残留的硅基材料层；去除图形化掩膜层以及位于图形化掩膜层上方的初始金属硅化物层，并保留剩余的初始金属硅化物层为目标金属硅化物层。
金属硅制备方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202011637943.7在审
发明人：刘仁锁;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成第一氮化镓层；于第一氮化镓层上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于图形化掩膜层的上表面和/或开口暴露出第一氮化镓层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层；于开口内及碳化硅层的上表面或石墨烯层的上表面形成第二氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在图形化掩膜层的上表面形成碳化硅层或石墨烯层，而后再形成第二氮化镓层，可以减少位错、缺陷，改善晶体质量，使第二氮化镓层更容易从图形化掩膜层上剥离。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]图形化直显布光的光刻掩膜版、制备方法及成像装置-CN202110562138.0在审
发明人：王峰;赵海琴 -专利权人：美可隆半导体（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化直显布光的光刻掩膜版，包括掩膜版基板，所述掩膜版基板上设置有图形显示层和显示控制层，所述图形显示层包括阵列设置的Micro UV LED芯片，所述Micro UV LED芯片组成显示屏；所述显示控制层包括与各个Micro UV LED芯片连接的控制电路，所述控制电路用于控制每一个Micro UV LED芯片的通断，以使得图形显示层形成不同的掩膜图案光路。该光刻掩膜版设置Micro UV LED芯片阵列，通过Micro UV LED芯片阵列直接显示掩膜图形，该掩膜版本身就是一个UV发光光源，不存在光学衍射效应，避免了传统掩膜版在线宽变小的情况下引起的光学衍射现象
图形化直显布光光刻掩膜版制备方法成像装置

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201310217732.1无效
发明人：张智侃;曹亚民;杨斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：包括提供形成有栅极图形的衬底，所述栅极图形上覆盖有硬掩膜层，在所述衬底上形成阻挡层覆盖硬掩膜层，去除部分阻挡层，暴露出所述硬掩膜层，去除所述硬掩膜层，之后去除剩余的阻挡层，那么在去除硬掩膜层时，还有部分阻挡层的存在，能够有效的避免栅极图形下方的膜层不受到刻蚀液的损坏，从而有利于提高器件的质量。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种TBC电池制备方法及TBC电池-CN202310738431.7在审
发明人：李红博;何胜;徐伟智 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种TBC电池制备方法及TBC电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在硅衬底的背面依次沉积隧穿氧化层、掺杂非晶硅层和第一掩膜层；去除预设图形区域的第一掩膜层、掺杂非晶硅层和隧穿氧化层；在退火设备中对非预设图形区域的掺杂非晶硅层进行晶化和杂质激活，并在硅衬底的背面沉积第二掩膜层；形成第二掩膜层后，对硅衬底的正面进行制绒；制绒后，去除第一掩膜层和第二掩膜层；去除第一掩膜层和第二掩膜层后，在硅衬底的正面和背面镀膜；镀膜后，在预设图形区域和非预设图形区域印刷栅线并进行烧结本申请能够避免破坏隧穿氧化层和降低钝化效果。
一种 tbc 电池制备方法

[发明专利]掩膜制作方法-CN200910054504.0有效
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了掩膜制作方法，以提高掩膜质量，该方法包括步骤：提供电路原始图形；在电路原始图形之间添加辅助图形，以提高图形密度分布的均匀度；提供包含不透光层与相位移层的基板；将电路原始图形及辅助图形构成的整个图形转移至所述不透光层上，形成不透光层图形；用光刻胶覆盖不透光层图形中的辅助图形区域，并暴露出不透光层图形中的原始图形区域；干法刻蚀所述暴露出的原始图形区域下的相位移层，将不透光层图形中的原始图形转移至相位移层，形成相位移层图形；去除所述光刻胶及不透光层。
制作方法