专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电动动力转向系统以及用于生产转向系统的方法-CN201910924085.5有效
  • T·米勒;S·基施斯泰因 - TRW汽车股份有限公司
  • 2019-09-27 - 2023-06-20 - B62D3/10
  • 本发明涉及一种具有蜗轮机构的电动动力转向系统,其包括蜗杆轴和蜗轮,其中,电动马达与蜗杆轴相关联,电动马达以传递力的方式连接至蜗杆轴。在蜗杆轴上、蜗杆轴背离电动马达的端部处布置的支承元件被接纳在导引衬套,其中,导引衬套在其圆周侧上具有通道开口。设置有预张紧装置,其包括弹簧加载的致动器元件,致动器元件延伸穿过导引衬套的通道开口、并且在蜗轮的方向上以限定的预张紧力(K)作用在蜗杆轴上,其中,预张紧装置包括限位装置,限位装置被适配成限制使该蜗轮背离该蜗杆轴移位的枢转移动。此外,本发明涉及一种用于生产转向系统的方法和一种用于执行该方法的测试系统。
  • 电动动力转向系统以及用于生产方法
  • [发明专利]用于生产半导体晶片的方法-CN202180044647.2在审
  • T·米勒;M·格姆利希;G·基辛格;K·曼格尔贝格尔;M·什克罗鲍奈克 - 硅电子股份公司
  • 2021-06-10 - 2023-04-04 - C30B15/00
  • 本发明涉及生产单晶硅半导体晶片的方法,该方法包括:提供单晶硅衬底晶片,该衬底晶片包含浓度超过5x1016AT/cm3的间隙氧(新ASTM);对该衬底晶片进行RTA处理,该RTA处理包含:对衬底晶片的第一热处理,该第一热处理是在处于不小于1200℃且不超过1260℃的温度范围内的第一温度下进行,持续时间不小于5秒且不超过30秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛;对衬底晶片的第二热处理,该第二热处理是在处于不小于1150℃且不超过1190℃的温度范围内的第二温度下进行,持续时间不小于15秒且不超过20秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩和氨的气氛;以及对衬底晶片的第三热处理,该第三热处理是在处于不小于1160℃且不超过1190℃的温度范围内的第三温度下进行,持续时间不小于20秒且不超过30秒,其中衬底晶片的正面暴露于包含氩的气氛。
  • 用于生产半导体晶片方法

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