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[发明专利]一种P型SiC外延及其生长方法-CN202010095671.6有效
发明人： 左万胜;钮应喜;刘锦锦;张晓洪;袁松;史天超;史文华;钟敏 -专利权人：启迪微电子（芜湖）有限公司;安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型SiC外延及其生长方法，在P型外延层生长时使用铟源作为外延反应腔气体，提高Al并入晶格的几率，增加P型掺杂浓度和掺杂效率，同时In原子半径较大，In‑C键较长，在H2这种还原性气氛条件下其不能并入SiC晶格中，不会使晶格产生畸变。通过这种方法制备得到的P型SiC外延晶片在具备厚外延的同时，具有较低的导通电阻。
一种 sic 外延及其生长方法

[实用新型]一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置-CN202122685206.0有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;郭宗友;袁松;张晓洪;左万胜;史田超;刘志远;钟敏 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及模块结构生产设备领域，具体来说是一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置，包括底盘，所述底盘上设有多个安放槽。本实用新型公开了一种碳化硅模块封装用的辅助定位装置，主要是方便基板涂覆锡膏以及方便基板与引脚框架之间的装配连接。
一种碳化硅模块封装辅助定位装置

[发明专利]基于Al-N共掺的SiC外延结构及其制备方法-CN202110339341.1有效
发明人：钮应喜;左万胜;王敬;单卫平;朱明兰;张晓洪;袁松;史田超;胡新星;仇成功;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al‑N共掺的SiC外延结构及其制备方法，所述基于Al‑N共掺的SiC外延结构由下至上依次包括：衬底、Al‑N共掺层一、Al‑N共掺层二、Al‑N共掺层三、N型掺杂层一、Al‑N共掺层四、Al‑N共掺层五、N型掺杂层二、漂移层；各层的生长均是在1580～1680℃温度和50～500mbar压力下流通原料气体和掺杂气体进行的；在衬底与N型掺杂层一之间插入了三层Al‑N共掺层，在N型掺杂层一与N型掺杂层二之间插入了两层Al‑N共掺层，从而提高从基面位错向穿透刃型位错的转换效率，抑制了在形成器件的漂移层中存在基面位错，并降低堆垛层错密度。
基于 al sic 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种MOCVD反应腔室清扫装置及其清扫方法-CN202110936551.9有效
发明人：郗修臻;袁松;钮应喜;单卫平;赵清;左万胜;史文华;张晓洪;刘志远 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于MOCVD技术领域的MOCVD反应腔室清扫装置，本发明还涉及一种MOCVD反应腔室清扫方法，所述的MOCVD反应腔室清扫装置的每个擦拭部件Ⅰ(3)包括上部支撑件(4)和下部支撑件(5)，每个擦拭部件Ⅰ(3)外侧分别设置擦拭件Ⅰ(6)，上部支撑件(4)和下部支撑件(5)通过金属轴(7)活动连接，上部支撑件(4)上端活动连接支撑部件(2)，下部支撑件(5)下端活动连接承载部件(1)，支撑部件(2)上表面设置擦拭件Ⅱ(8)，本发明所述的MOCVD反应腔室清扫装置及清扫方法，在不打开反应腔室情况下，对反应腔室侧壁和上顶盖上的副产物进行清理，确保反应腔室清理时清理干净彻底，不会损坏反应腔室。
一种 mocvd 反应清扫装置及其方法

[发明专利]一种控制TSD缺陷的4H-SiC外延结构及生长方法-CN202211581942.4在审
发明人：徐玉超;潘恩赐;郑晨扬;左万胜;袁松 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：一种控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构及生长方法，属于半导体技术领域，该控制TSD缺陷的4H‑SiC外延结构，包括4H‑SiC衬底及其上依次生长的外延缓冲层Ⅰ、4H‑SiC缓冲层Ⅱ和4H‑SiC漂移层，外延缓冲层Ⅰ设置为6H‑SiC缓冲层或4H‑SiC缓冲层Ⅰ，本发明的有益效果是，本发明可有效减少TSD缺陷和TSD衍生缺陷密度，减少了器件漏电流，增大了器件反向击穿电压，提高了外延片的质量。
一种控制 tsd 缺陷 sic 外延结构生长方法

[发明专利]一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法-CN202110339323.3有效
发明人： 左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;张晓洪;胡新星;仇成功;袁松;史田超;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对正轴C面4H‑SiC衬底进行刻蚀、在正轴C面4H‑SiC衬底上生长N型4H‑SiC缓冲层、在4H‑SiC缓冲层上生长N型4H‑SiC外延层、由N型4H‑SiC外延层的表面向下刻蚀沟槽、通入含氯的硅源气体、碳源、HCl和B2H6、H2，于1700～1800℃温度和10～50mbar压力下填满沟槽、抛光，抛去N型4H‑SiC外延层表面过生长的4H‑SiC，得到上表面光滑的交替排列的p型和n形区域；本发明提供的C面SiC外延沟槽的填充方法降低了BPD密度和台阶聚集缺陷的发生。
一种 sic 外延结构沟槽填充方法

[发明专利]一种｛03-38｝面碳化硅外延及其生长方法-CN202110340247.8有效
发明人： 左万胜;钮应喜;单卫平;朱明兰;胡新星;仇成功;袁松;张晓洪;史田超;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种{03‑38}面碳化硅外延及其生长方法，通过使用双(三甲基硅基)甲烷作为Si源和C源，降低生长温度从而降低Z1/2中心；该生长方法制备的{03‑38}面碳化硅外延的结构为由上至下依次包括：正轴{03‑38}面SiC衬底、4H‑SiC缓冲层、4H‑SiC漂移层。
一种 03 38 碳化硅外延及其生长方法

[发明专利]一种SiC外延沟槽的填充方法及该方法制备得到的沟槽填充结构-CN202010450750.4有效
发明人： 左万胜;钮应喜;乔庆楠;刘洋;刘锦锦;袁松;张晓洪;史田超;史文华;钟敏;胡新星 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC外延沟槽的填充方法及该方法制备得到的沟槽填充结构，在外延腔中生长完4H‑SiC后，改变生长条件，继续生长100～200nm厚的3C‑SiC外延层，沟槽刻蚀完全后，在沟槽内4H‑SiC填充过程中，由于台面顶部存在100～200nm厚的3C‑SiC外延层，台面顶部会继续生长3C‑SiC；而沟槽内生长4H‑SiC。由于3C‑SiC和4H‑SiC堆垛方式和晶体结构的对称性不同，导致3C‑SiC和4H‑SiC的晶格常数和张力存在差异，沟槽填满后，通过在线原位选择性刻蚀台面顶部3C‑SiC，避免外延沟道填满后使用CMP可能产生过研磨对外延层产生损伤，同时也减少了器件工艺步骤，降低成本。
一种 sic 外延沟槽填充方法制备得到结构

[实用新型]一种用于薄膜应力和翘曲测试的测试装置-CN202123282215.1有效
发明人：刘敏;赵海明;仇成功;左万胜;胡新星;唐建平;王丽多;袁松;钮应喜 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种用于薄膜应力和翘曲测试的测试装置，装置为环形的支架，所述支架内侧设向内延伸的支撑位，所述支撑位设有至少三个，所述支撑位用于支撑待测试的片子，所述支架上设有滑槽，所述滑槽内设有导轨，所述导轨上设有刻度，所述滑槽放置有沿着导轨向支架内滑动的指示块，所述指示块下表面设有与导轨配合的滑块。本实用新型测试装置的指示块滑至在水平的同一刻线进行测试，确保了应力测试在相同条件下进行，提高了应力测试结果的重复性，减少人为因素导致的片子滑落，造成碎片，提高利润。
一种用于薄膜应力测试装置

[外观设计]电路控制器-CN202130711529.5有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;郭宗友;袁松;张晓洪;左万胜;史田超;刘志远;钟敏 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电路控制器。2.本外观设计产品的用途：用于工业领域控制器的控制电路。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电路控制器

[实用新型]一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构-CN202123139754.X有效
发明人：鄢诏译;袁松;赵海明;钮应喜;钟敏;史田超;左万胜;张晓洪 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏PN结的两侧设置有将其中储存的电荷泄放的泄放结构，本实用新型的有益效果是，本实用新型通过在缓冲层引入泄放结构来释放掉因PN结反偏势垒而存储的电荷，可抑制C‑GaN HEMT器件的电流崩塌效应，同时保证了晶体管结构整体的性能。
一种氮化电子迁移率晶体管结构

[实用新型]一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置-CN202123285300.3有效
发明人：仇成功;赵海明;胡新星;左万胜;刘敏;唐建平;王丽多;袁松;钮应喜 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置，清洁装置设有风罩，所述风罩的底板上固定有电机，所述电机的输出轴连接风罩内的刀座，所述刀座上固定有刀片，所述风罩上设有抽尘孔，所述抽尘孔与软管一端连接，所述软管的另一端连接吸尘设备。本实用新型采用半自动化代替手动清洁，节省操作人员体力，提高工作效率，并且能够减少手动清洁时产生的大量颗粒物，进而降低因颗粒物掉落至衬底表面而引起的外延层缺陷。
一种 mocvd 设备反应喷淋清洁装置

[实用新型]一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构-CN202123140712.8有效
发明人：李怡均;袁松;赵海明;钮应喜;张晓洪;左万胜;钟敏;史田超 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连，本实用新型的有益效果是，本实用新型在氮化镓基功率器件上单片集成后端工艺晶体管，互连寄生效应小，提升了系统的频率特性，减小了系统的体积，降低了制备成本。
一种增强氮化电子迁移率晶体管结构

[外观设计]电路控制器-CN202130711527.6有效
发明人：罗艳玲;赵清;单卫平;龚秀友;钮应喜;袁松;史田超;张晓洪;左万胜;钟敏;邢婷婷;刘志远;郭宗友 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电路控制器。2.本外观设计产品的用途：用于工业领域控制器的控制电路。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电路控制器

[发明专利]MOCVD反应腔室清扫装置及其清扫方法-CN202110936537.9在审
发明人：郗修臻;袁松;钮应喜;单卫平;赵清;左万胜;史文华;刘志远 -专利权人：芜湖启迪半导体有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于MOCVD技术领域的MOCVD反应腔室清扫装置，本发明还涉及一种MOCVD反应腔室清扫方法，所述的MOCVD反应腔室清扫装置的所述的MOCVD反应腔室清扫装置的承载盘(1)上部设置擦拭部件Ⅰ(2)，承载盘(1)下部通过合页(6)与清理手臂(3)的支撑部件(4)下部铰接，承载盘(1)侧面设置凹槽(7)，凹槽(7)的凹槽表面(8)与水平面呈锐角夹角结构，所述的承载盘(1)底部设置卡槽(9)，腔室本体(10)下部内表面设置旋转升降部件(11)，本发明所述的MOCVD反应腔室清扫装置及清扫方法，在不打开反应腔室情况下，对反应腔室侧壁和顶盖上的副产物进行清理，确保反应腔室清理时清理干净彻底，不会损坏反应腔室。
mocvd 反应清扫装置及其方法

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