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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法-CN200410058984.5无效
发明人：陈健忠 -专利权人：胜华科技股份有限公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法，是于一基板表面上溅镀一氧化物介电层，接著，对该氧化物介电层表面施以含氧的离子束处理，以获得稳定且致密的氧化物介电层，如此，可避免堆叠于氧化物介电层上的氧化铟锡膜产生含氧量变化现象，进而使得氧化铟锡膜具有较佳的热稳定性与较低的电阻比。
稳定电阻氧化铟锡膜制法

[发明专利]声波器件及滤波器-CN200710153441.5有效
发明人：松田隆志;井上将吾;三浦道雄;松田聪;上田政则;水户部整一 -专利权人：富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：所述声波器件包括压电基板，在所述压电基板上形成的第一介电膜，以及在所述第一介电膜上设置的并且激发声波的多个电极，所述电极包括多个电极指。在所述电极指中的相邻电极指之间，所述第一介电膜的至少一部分被切除。
声波器件滤波器

[发明专利]用于蚀刻低介电常数材料的各向异性材料损坏制程-CN201510422683.4在审
发明人： E·T·瑞恩 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在一个例子中，本发明的方法包含形成掩膜于介电材料上方或之内。该介电材料曝露于包括碳吸附剂的环境大气中的光子辐射上，以产生该介电材料的损坏部分。该掩膜层阻挡该光子辐射。该介电材料的该损坏部分将移除。
用于蚀刻介电常数材料各向异性损坏

[发明专利]核壳结构超分子基介电弹性体复合材料及其制备方法和应用-CN202210847736.7在审
发明人：戴李宗;杨春英;袁丛辉;鹿振武;刘晓惠;陈国荣;罗伟昂 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开了核壳结构超分子基介电弹性体复合材料及其制备方法和应用。将该具有核壳结构的联硼酸酯超分子@无机纳米粒子作为介电填料填充到弹性体基体中，柔性的超分子壳与弹性体良好的相容性，以及配位后的联硼基团突出的极性，降低了介电弹性体复合材料的模量和介电损耗，有效提高了介电常数和电致形变量，降低了介电弹性体对电场强度的要求，该介电弹性体复合材料在电致驱动领域有很大的应用潜力。
结构分子基介电弹性体复合材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件-CN03156516.6无效
发明人：莲沼正彦;伊藤祥代 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供因可以实现导电部分对由在低相对介电系数膜内发生的热应力引起的负载的耐久性的提高而提高了可靠性的半导体器件。具体解决方案是：在硅衬底1上边2层叠层起来设置的低相对介电系数在3.4以下的低相对介电系数膜4的每一者的下层，设置杨氏模量在30GPa以上的SiCN膜3。在各个低相对介电系数膜4的内部设置Cu导电层14、26。在Cu导电层14、26上电连上Cu导电插针15、27，构成通电路径。此外，在Cu导电层14、26上，还设置Cu增强插针16、28使之在连接到这些Cu导电层14、26上的同时，还贯通在各个低相对介电系数膜4的每一者的下侧的SiCN膜。各个Cu增强插针16、28，通过势垒金属膜9、21实质上连接到SiCN膜3上。
半导体器件

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200910207121.2无效
发明人：张勋 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：该方法包括：制备衬底，在该衬底上限定了像素区和逻辑区，该像素区和该逻辑区设分别置有晶体管，这些晶体管包括形成在像素区和逻辑区中的栅极；在衬底的整个表面上形成覆盖栅极的第一层间介电膜；通过选择性地刻蚀形成在像素区中的第一层间介电膜，形成暴露像素区中的衬底的一个区域和部分栅极的第一接触孔；通过用金属材料填充第一接触孔形成第一接触件；在第一层间介电膜的整个表面上形成第二层间介电膜；同时形成第二接触孔和第三接触孔，第二接触孔穿透像素区中的第二层间介电膜以暴露第一接触件，第三接触孔穿透逻辑区中的第二层间介电膜和第一层间介电膜以暴露逻辑区中的部分栅极和衬底的一个区域；以及通过用金属材料填充第二接触孔和第三接触孔形成第二接触件。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]电容结构及其形成方法-CN202111603576.3在审
发明人：薛允;陈福刚;张文剑 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容结构及其形成方法，其中，方法包括：形成第一极板结构，所述第一极板结构包括第一区和第二区，所述第一区的表面低于第二区的表面；进行改性处理，使第一极板结构表面的材料与改性处理的反应气体反应，以形成第一介电膜；在所述第一介电膜表面形成第二介电膜；在第一区上的第二介电膜表面形成第二极板结构。
电容结构及其形成方法

[发明专利]沟槽的形成方法-CN201210115867.2有效
发明人：张海洋;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-18 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种沟槽的形成方法，包括，提供半导体衬底；在衬底上形成介电层；在所述介电层上掩膜层，所述掩膜层内具有开口图形；采用第一气体处理开口图形的侧壁，使开口图形侧壁倾斜；以所述掩膜层为掩膜，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽本发明还提供一种沟槽的形成方法，包括，对所述介电层进行刻蚀形成沟槽后，采用第二气体处理沟槽侧壁，使沟槽侧壁倾斜。采用本发明的开口的形成的方法，提高集成电路的电学性能、稳定性和成品率。
沟槽形成方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201510982289.6有效
发明人：李峰旻;林昱佑 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器结构包括一下电极、一上绝缘层、一材料层、一共享开口、一介电膜、与一上电极。上绝缘层位于下电极上。材料层位于上绝缘层上。上绝缘层与材料层具有一共享开口以露出该下电极的一部分。介电膜位于下电极露出的部分上。介电膜与材料层含有相同的一第一过渡金属。上电极位于介电膜上并填充共享开口。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]静电侦测装置-CN201711456473.2有效
发明人：唐敏注;汤士源;黄玉婷 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明公开一种静电侦测装置，适于侦测待测物，所述的静电侦测装置包含载板、感测电极、介电膜层及接地电极。载板具有第一表面及相对于第一表面的第二表面。介电膜层设于第二表面且介电膜层的介电常数大于1。接地电极与感测电极间隔设置，且介电膜层位于感测电极与接地电极之间。
静电侦测装置

[实用新型]显示装置及其电容结构-CN201620958557.0有效
发明人：荆冬冬;孟哲宇 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种电容结构，所述电容结构位于基板上，其中，所述电容结构包括第一极板、平坦化介电膜层以及第二极板，所述第一极板位于所述基板上，所述平坦化介电膜层形成于所述第一极板上，且所述平坦化介电膜层的远离所述第一极板的表面与所述基板的靠近所述第一极板的表面平行；所述第二极板位于所述平坦化介电膜层上。
显示装置及其电容结构

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201410192832.8有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；在所述铜互连结构和所述层间介电层的表面沉积形成富硅的第一界面层，且所述第一界面层包含硼元素根据本发明的方法在铜互连结构上形成含有硼元素的富氮界面层，该界面层具有良好的台阶覆盖能力，特别是在拐角区；可提高漏电流和击穿性能，改善电迁移特性，进而提高器件的可靠性和良品率；在界面层中引入硼元素，还可增强界面层的抗氧化性能
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]堆叠半导体器件及其形成方法-CN201410093116.4有效
发明人：朱家骅;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。
堆叠半导体器件及其形成方法

[发明专利]制造图像传感器的方法-CN200810188829.3无效
发明人：尹竣九 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：根据本发明实施例，一种方法可以包括：形成包括像素部和外围部的半导体衬底；在半导体衬底上和/或上方形成层间介电膜，该层间介电膜包括金属导线；在层间介电膜上和/或上方形成光电二极管图案，该光电二极管图案连接至位于像素部中的金属导线；在层间介电膜上和/或上方形成器件隔离介电层，其包括光电二极管图案；在器件隔离介电层上和/或上方形成第一通孔以部分暴露光电二极管图案以及在器件隔离介电层上和/或上方形成第二通孔以暴露位于外围部中的金属导线
制造图像传感器方法

[发明专利]一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法-CN201210432477.8无效
发明人：黄海;黄君;盖晨光 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法，属于介电质膜刻蚀成型技术领域。具体步骤包括：在介电质膜中厚度为第一预设值的位置生长膜内刻蚀阻挡层；对膜内刻蚀阻挡层进行光刻工艺，定义出需要被刻蚀的区域；对膜内刻蚀阻挡层进行干刻工艺，将需要被刻蚀的区域移除；在膜内刻蚀阻挡层上方生长介电质膜；在介电质膜上方生长氮化钛，并在氮化钛上方涂布光刻胶；对TiN进行曝光显影和刻蚀和通孔的曝光显影；对介电质膜进行一体化刻蚀；上述技术方案的有益效果是：通过在局部区域应用刻蚀阻挡层，在不影响整个介电质膜的介电常数
一种改善大马士革结构质膜刻蚀形貌方法

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