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[发明专利]一种介电陶瓷材料及其制备方法-CN201610169441.3在审
发明人：梁小利 -专利权人：梁小利
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电陶瓷材料，由以下按重量份的原料组成：氧化镁12‑23份、二氧化钛41‑55份、碳酸钙3‑8份、氧化镧8‑12份、氧化锆2‑6份、二氧化硅5‑8份、氧化铜8‑17份和硼硅酸盐玻璃粉3‑本发明还公布了该介电陶瓷材料的制备方法。本发明制备的介电陶瓷材料，生产工艺简单，室温和低驱动电场的环境下产品的品质因子和介电可调率均有大幅提升，介电损耗大幅度降低，介电可调性好，为通讯工具的小型化和集成化打下了基础。
一种陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]带有集成去耦电容器的集成电路-CN97102380.8无效
发明人：托德·阿兰·克里斯蒂安森;约汉·爱德华·希茨二世 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1997-01-29 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：去耦电容器包含排列在最终金属层上的介电膜和排列在介电膜上的导电膜，从而可在介电膜中提供电容。
带有集成电容器集成电路

[发明专利]电路材料、电路层合体及其制造方法-CN201480041564.8有效
发明人：杰西卡·克罗斯利 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：公开了一种电路组件，包括导电金属层和介电基板层，该介电基板层在10GHz处具有小于约3.5的介电常数和小于约0.006的损耗因子，其中介电基板层的组合物包括约5至约70体积百分比的已经用碱溶液处理的硼硅酸盐微球
电路材料合体及其制造方法

[发明专利]氧化二硼化钛/热固性树脂复合材料及其制备方法-CN201210233401.2有效
发明人：梁国正;顾龙成;顾嫒娟;王童星;袁莉 -专利权人：苏州大学;顾嫒娟
申请日： 2012-07-06 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化二硼化钛/热固性树脂复合材料及其制备方法。在有氧条件下，将二硼化钛在500oC～1000℃的温度条件下氧化处理得到粗产物，与乙醇混合后，经抽滤，真空干燥，得到氧化二硼化钛；再将100份熔融态的热固性树脂与0.1～160份氧化二硼化钛混合均匀，固化处理后得到氧化二硼化钛本发明所制备的复合材料兼具高介电常数和低介电损耗的特点，其中的导体表面可以采用简单的氧化方法包覆有绝缘体层，并通过对氧化温度和氧化时间的调节实现对表面绝缘体层厚度的控制及其复合材料介电性能的控制。
氧化二硼化钛热固性树脂复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610080240.2有效
发明人：鸟居克裕 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种具有MIM(金属绝缘体金属)结构的电容器，包括形成在电极沟槽的内部中的下电极、形成在下电极上方的介电膜和形成在介电膜上方的上电极，其中电极沟槽形成在层间绝缘膜中。上电极和介电膜都形成有大于下电极面积的面积，使得整个下电极定位于上电极和介电膜的内部。提高了电容器的可靠性和生产产量。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种纳米氮化硼改性聚丙烯的复合介电薄膜和制法-CN202011364693.4在审
发明人：骆永新 -专利权人：诸暨市创达弹簧有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及介电储能器技术领域，且公开了一种纳米氮化硼改性聚丙烯的复合介电薄膜，马来酸酐接枝聚丙烯，得到分子链上具有极性基团的一种聚合物，有效的提高了介电常数，氨基化改性后在表面得到活性基团，能够更好的分散，且与马来酸酐改性后的聚丙烯结合，有机纳米壳改善了填料和基体之间的结合力，一定程度上抑制了介电损耗，马来酸酐接枝聚丙烯和氮化硼氨基化后，在氮化硼氨基的亲核作用下，马来酸酐接枝聚丙烯上的酸酐基团能够进行开环反应
一种纳米氮化改性聚丙烯复合薄膜制法

[发明专利]形成半导体元件的方法-CN202110087887.2在审
发明人：张家敖;余德伟;李啟弘;杨育佳;宋学昌;郑培仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成半导体元件的方法，包括：在介电层上沉积膜。介电层位于第一鳍片及第二鳍片上方，并且在第一鳍片与第二鳍片之间的沟槽内。方法进一步包括：蚀刻膜的顶部；在蚀刻膜的顶部之后，对介电层执行处理以去除杂质；以及在膜的保留部分上填充沟槽。处理包括用自由基轰击介电层。
形成半导体元件方法

[发明专利]高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件-CN202180045846.5在审
发明人：金义泰;金东玉 -专利权人：忠南大学校产学协力团
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高介电常数、低漏电流和高绝缘强度而适于制造高度集成器件的新型高介电性膜以及包括所述高介电性膜的半导体和电容器器件，具体地涉及一种高介电性膜以及包含其的半导体或电容器器件，其中高介电性膜的特征在于由介电常数为
高介电性膜以及包含半导体电容器器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02156814.6有效
发明人：伊藤祥代;莲沼正彦;川之上孝 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-12-13 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：已形成了元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的具有3以下的介电系数的低介电系数绝缘膜；已埋入到上述低介电系数绝缘膜中的插针和布线，和在上述低介电系数绝缘膜和上述插针之间接连到上述插针的侧面上形成的杨氏模量15GPa以上的高杨氏模量绝缘膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法-CN200810124200.2无效
发明人：王庭慰;邵海彬;张其土 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2008-06-17 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温快速烧成高频低损耗玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷由硅硼、硼硅酸盐玻璃、成核剂和粘结剂烧结而成。用本发明配料，能实现钙硅硼、硼硅酸盐玻璃的低温熔制，玻璃料可在680℃左右烧结，烧结体介电性能优良(ε_r为6～8，tanδ＜0.0005 25MHz)。
低温快速烧成高频损耗玻璃陶瓷及其制备方法

[发明专利]导热介电膜-CN201880051462.2在审
发明人：马里奥·A·佩雷斯;杰里米·M·希金斯;克林特·J·诺沃提尼;米切尔·T·黄 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种导热介电膜，所述导热介电膜包括热塑性层，所述热塑性层包含聚酯链段和5重量％至30重量％的聚醚酰胺链段。所述导热介电膜具有小于100微米的厚度。
导热介电膜

[发明专利]干膜-CN202080098493.0在审
发明人： S·马利克;W·A·赖纳特;B·B·德 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本公开关于一种干膜结构，其包括载体基板；及由该载体基板支撑的介电膜。该介电膜包括至少一种介电聚合物及低量金属。

[发明专利]一种透明电极及其制备方法-CN201710088800.7有效
发明人：刘正奇;刘桂强;黄镇平;刘晓山 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供透明电极及其制备方法；本发明的透明电极包括：透明基底和在所述透明基底上依次设置的第一高介电膜层、金属膜层、第二高介电膜层；所述的金属膜层为连续金属膜层；所述高介电膜层的介电常数大于等于6.25本发明利用高介电材料的电磁共振特性实现高电导高光透明的透明电极材料的设计和制备。本发明的透明电极利用高介电膜层的电磁共振特性及其与入射光的耦合输入和输出效应；高介电膜层与连续金属膜层的复合结构能提供宽频带光透明，频谱范围覆盖了从可见光到红外光，极大地拓展了此类透明电极在不同频段的光电应用范围
高介电膜透明电极金属膜层制备电磁共振基底透明红外光光电控制模块透明电极材料高介电材料可见光柔韧性范围覆盖复合结构光电应用介电常数宽频带光柔性基底外界结构依次设置耦合高电导入射光透明的频段高光频谱源层输出拓展

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200480041586.0有效
发明人：山田由美 -专利权人：古河电气工业株式会社;三井化学株式会社
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01S5/16 文献下载
摘要：该方法包括：第一步骤，在半导体衬底1上形成包含至少一层由量子势阱活性层组成的活性层4b的预定的半导体层2至9；第二步骤，在半导体层2至9表面上的第一部分上形成第一介电膜10；第三步骤，在半导体层2至9表面上的第二部分上形成第二介电膜12，第二介电膜12由与第一介电膜10相同的材料制成并具有低于第一介电膜10的密度；和第四步骤，对包含半导体层2至9、第一介电膜10和第二介电膜12的多层体进行热处理，以使第二介电膜12下面的量子势阱层无序化
制造半导体器件方法

[发明专利]光电转换设备和装置-CN201810165284.8有效
发明人：河野章宏;中川善之;石冈真男;冈川崇 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。
光电转换设备装置

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