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[发明专利]集成电路装置-CN202211209632.X在审
发明人：全寅铎;林汉镇;丁炯硕;崔在亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。
集成电路装置

[发明专利]包含带电磨料的抛光组合物-CN201810329068.2有效
发明人： A·米什拉 -专利权人：富士胶片电子材料美国有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本公开提供了相比于其他介电膜可选择性地且优选地抛光某些介电膜的抛光组合物。基于要去除及要保留的目标介电膜，这些抛光组合物包括阳离子或阴离子磨料。所述抛光组合物利用新颖的基于静电荷的设计，其中，基于磨料的电荷及其与介电膜上的电荷的静电相互作用(吸引力或排斥力)，可实现多种材料去除速率和抛光选择性。
包含带电磨料抛光组合

[发明专利]一种形成半导体器件金属线的方法-CN200810089379.2无效
发明人：郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成半导体器件金属线的方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；通过除去光刻胶图案暴露介电膜；通过蚀刻所述暴露的介电膜形成镶嵌图案
一种形成半导体器件金属线方法

[发明专利]介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质-CN200980114912.9有效
发明人：中川隆史;北野尚武;辰巳彻 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-09-02 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜(103)包括含有元素A、元素B以及含有N和O的复合氮氧化物，元素A由Hf构成，元素B由Al或Si构成，该介电膜(103)中元素A、元素B和N的摩尔分数根据B/(A+B+N)为0.015至0.095以及根据N/(A+B+N)为0.045以上，该介电膜(103)具有结晶结构。
介电膜生产方法半导体装置记录介质

[发明专利]一种高导热、低介电复合材料及其制备方法与应用-CN202310037614.6在审
发明人：阮文红;刘意;廖凌元;章明秋 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明涉及了一种高导热、低介电复合材料及其制备方法与应用，属于5G通信用高频覆铜板技术领域。本发明高导热、低介电复合材料的制备方法包括以下步骤：(1)将低分子量热塑性聚苯醚进行再分配反应、端羟基丙烯化改性得到热固性聚苯醚；(2)将步骤(1)得到的热固性聚苯醚分散，加入经含双键的硅烷偶联剂改性的氮化硼，混合均匀，干燥，热压，得到高导热、低介电复合材料。本发明的改性氮化硼与热固性聚苯醚混合时，改性氮化硼表面的碳碳双键与热固性聚苯醚主链上的双键发生反应，提高了复合材料两相间的界面作用力，降低片状氮化硼粉体与有机树脂基体之间的界面热阻，提高复合材料性能的均匀性，得到高导热、低介电的复合材料。
一种导热低介电复合材料及其制备方法应用

[发明专利]强介电体装置及其制造方法-CN201480041965.3有效
发明人：酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社华哥姆研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr‑Bi‑Ta‑O为主成分的强介电体的强介电体装置相比在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr‑Ca‑Bi‑Ta‑O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。
强介电体绝缘体氧化物成膜有机金属气相沉积耐受性非挥发性存储存储器热处理导体成膜原料强介电性蚀刻加工栅极堆栈微细化半导体制造改写侧面

[实用新型]一种介电风能采集装置及无源风能采集系统-CN202221590637.7有效
发明人：赖志慧;吴梦瑶;徐俊琛;王周周;冯爱杰 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F03D9/25 文献下载
摘要：本实用新型属于风能发电技术领域，尤其涉及一种介电风能采集装置及无源风能采集系统。介电风能采集装置包括介电发电结构和旋转结构。介电发电结构包括固定座、滚动件以及两介电弹性体膜，固定座内设有导向孔道，两介电弹性体膜间隔布置于导向孔道，且滚动件滑动设置于导向孔道并位于两介电弹性体膜之间。旋转结构包括支撑座和枢接支撑座的旋转件，旋转件能够在风力的作用下绕枢接点于预定的竖直平面内旋转，固定座连接旋转件并随旋转件同步转动，以使滚动件于导向孔道内往复滑动，并使两介电弹性体膜被滚动件推压。
一种风能采集装置无源系统

[发明专利]甚高电容的膜电容器及其制造方法-CN201780061154.3在审
发明人：让-米歇尔·德邦 -专利权人：布鲁技术公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明特别涉及一种甚高电容的膜电容器(1)，其包括由至少一个介电膜(100a，...，100i)构成的介电层(100)，该介电层(100)的每个介电膜(100a，...，100i)具有以下参数：‑相对介电常数DDA0002015052910000013.GIF" wi="122" he="111"/>使得在参数中“f”表示“膜”且i≥1的参数，“i”表示所述介电层(100)的“第i”介电膜(100i)，该介电层(100)将第一电荷载流子结构(200)与第二电荷载流子结构(300)分开，这两种结构具有由介电层(100)分开的相对表面
介电层介电膜电荷载流子膜电容器高电容相对介电常数介电制造

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN201910955002.9在审
发明人：朱彦瑞 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：重布线结构设置于晶粒上并与晶粒电性连接。重布线结构包括介电膜、导电线、粘着层及导电通孔。介电膜具有相对的第一表面及第二表面。导电线与粘着层位于介电膜的第一表面与晶粒之间。导电线与晶粒电性连接，粘着层侧向环绕导电线。导电通孔穿过介电膜与粘着层，以与导电线电性连接。导电接垫通过重布线结构电性连接至晶粒。
封装结构及其形成方法

[发明专利]隔离结构的制作方法-CN201710785058.5有效
发明人：苏郁珊;吴家伟 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：进行第一成膜制作工艺，用以于半导体基底上以及沟槽中共形地形成第一介电层。进行退火制作工艺，用以使第一介电层被密实化而成为第二介电层。第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。在退火制作工艺之后，进行第二成膜制作工艺，用以于第二介电层上以及沟槽中形成第三介电层。第三介电层与第二介电层将沟槽填满。
隔离结构制作方法

[发明专利]一种基于介电弹性体薄膜的风力发电装置-CN202110084047.0在审
发明人：余国晖;陈洁 -专利权人：新疆大学
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： F03D9/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介电弹性体薄膜的风力发电装置，包括前端转体、风机叶片、发电转体、介电弹性体薄膜、支撑弹簧、支撑板、圆柱形重物、机壳、支撑塔柱、底座、电缆线、高压启动装置和电能收集装置；其中风力发电机的叶片与前端转体相连接，介电弹性体膜发电装置安装在叶片内部，每个叶片上有两个或者多个介电弹性体发电膜，圆柱形重物受重力影响在介电弹性体膜上产生压强，当风力发电机开始做圆周运动时，圆柱形重物带动介电弹性体膜做周期性的拉伸、收缩运动，所以能交替的从介电膜中获取能量；本发明具有质量轻，能量密度高，结构简单，成本低，易于维护等优点，同时发电装置内部的发电单元空间利用率高，发电效率也得到了进一步提高。
一种基于弹性体薄膜风力发电装置

[发明专利]触控面板及应用其的触控显示装置与其制造方法-CN201110222744.4有效
发明人：刘建欣 -专利权人：群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：接着，形成介电层覆盖导电层。然后，利用第一道光掩膜，图案化导电层与介电层，以分别形成多条感应线与多个介电块，其中第一道光掩膜为半穿透光掩膜。然后，形成透明导电层覆盖介电层与导电层。然后，利用第二道光掩膜，图案化透明导电层，以形成触控感应结构。本发明以二道光掩膜工艺即可完成触控面板，可节省工艺时间及成本；本发明的凹陷部的设计，使得在移除较少介电层材料的情况下即可形成介电块的贯孔；由于介电块的外侧面与感应线的外侧面相连接，触控感应结构沿外侧面及外侧面延伸的部分不致产生剧烈的转折部
面板应用显示装置与其制造方法

[发明专利]多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封-CN200580046506.5无效
发明人： C·沃尔弗里德;O·埃斯科尔恰;I·贝里 -专利权人：艾克塞利斯技术公司
申请日： 2005-11-08 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：用于密封多孔低k介电膜的方法，通常包括将多孔低k介电膜的表面暴露于紫外(UV)辐射，其强度、时间、波长和环境有效地通过碳化、氧化和/或膜致密，密封该多孔介电表面。该多孔低k介电材料的表面被密封到小于或等于约20纳米的深度，其中该表面在UV暴露之后基本不含孔。
多孔介电膜紫外辅助密封

[发明专利]半导体装置-CN202080051528.5在审
发明人：山口阳平;芦峰智行;村濑康裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：提供抑制介电膜的绝缘破坏强度的降低(介电膜的耐电压性的劣化)的半导体装置。半导体装置具备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板、配置在第一主面的一部分上的介电膜、配置在介电膜的一部分上的第一电极层、以及从第一电极层的端部连续地覆盖到介电膜的第一外周端的保护层。介电膜具有配置有第一电极层的电极层配置部、和被保护层覆盖的保护层覆盖部。介电膜的保护层覆盖部的第一外周端的厚度比介电膜的电极层配置部的厚度小。
半导体装置

[发明专利]一种低介电高导热界面膜及其制备方法-CN202111528190.0有效
发明人：任泽明;任泽永;杨应彬;廖骁飞;王号;吴攀;张松;李宏高;潘锋芳 -专利权人：广东思泉新材料股份有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本申请涉及导热材料技术领域，更具体地说，涉及一种低介电高导热界面膜及其制备方法，该低介电高导热界面膜按照重量份包括以下原料制成：有机聚合物、氮化硼粉、二氧化硅、粘结剂、增强剂、分散剂、聚乙烯蜡和乙醇；本申请通过混合上述原料，经过涂布、热压成型及模切制得低介电高导热界面膜，使得制备的低介电高导热界面膜密度高，且具有较好的导热性能、曲扰性和耐折性以及较低的介电常数。
一种低介电高导热界面及其制备方法