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[发明专利]双掩膜浓硼掺杂SOI MEMS加工方法-CN201210110744.X无效
发明人：张照云;彭勃;施志贵;高杨;苏伟 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：SOI晶圆包括硅结构层、硅衬底层以及位于硅结构层和硅衬底层之间的绝缘层。该加工方法包括：利用双掩膜首先刻蚀硅结构层上的细线宽结构部分，然后同时刻蚀硅结构层上宽细线宽结构，以使得宽细线宽结构刻蚀到绝缘层上的时间基本相同；然后对硅结构层的表面进行浓硼掺杂；最后，去掉结构层下的绝缘层，利用各向异性刻蚀，刻蚀结构层下的硅衬底，释放微结构。本发明可利用SOI材料制作多种MEMS器件，具有结构层厚度可控性好、减小footing效应和寄生电容、加工流程简单等特点。
双掩膜浓硼掺杂 soi mems 加工方法

[发明专利]一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法-CN201611123442.0有效
发明人：许静;闫江;陈邦民;唐波;王红丽;唐兆云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种基于体硅的SOI FinFET的制作方法，在外延锗硅层时，所述锗硅层上带有开口，使得锗硅层在开口处断开，后续外延Fin结构层时，以Fin结构层材料填充该部分，在后续刻蚀去除锗硅层时，由于锗硅层的刻蚀速率远远大于Fin结构层的刻蚀速率，开口处的Fin结构层可以作为锗硅层的刻蚀停止层，从而使得开口处的Fin结构层的尺寸由开口的尺寸决定，进而使得开口处的Fin结构层尺寸容易控制，也即后续形成隐埋氧化层的尺寸较容易控制，避免了因隐埋氧化层的尺寸过小出现Fin容易倾倒或因隐埋氧化层的尺寸过大，氧化不完整，未被全部氧化的问题，进而提高了基于体硅的SOIFinFET器件的性能。
一种基于 soifinfet 制作方法

[发明专利]一种全硅MEMS器件结构及其制造方法-CN201410535339.1有效
发明人：何凯旋;郭群英;黄斌;王鹏;陈博;陈璞;王文婧;刘磊 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
一种 mems 器件结构及其制造方法

[发明专利]场效晶体管及其制造方法-CN202010391505.0有效
发明人：邢溯;邱崇益;姚海标 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种场效晶体管及其制造方法，其中该场效晶体管包括绝缘体覆硅结构的硅层。线状的栅极结构层设置在硅层上。所述栅极结构层包含第一区域及与所述第一区域相邻接的第二区域。沟槽隔离结构在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第二区域的两边。所述栅极结构层的所述第二区域在所述硅层上，且重叠覆盖所述沟槽隔离结构。源极区域与漏极区域，设置在所述硅层中，位于所述栅极结构层对应所述第一区域的两边。所述栅极结构层的所述第二区域包含导电型结部分。
晶体管及其制造方法

[实用新型]一种PVFM硅铝结构的复合铂铝发泡橡塑片材-CN201120124421.7有效
发明人：雷红伟 -专利权人：杜肯(武汉)绝热材料有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种PVFM硅铝结构的复合铂铝发泡橡塑片材，涉及一种复合片材。它包括PVFM硅铝结构层和橡塑基材结构层，PVFM硅铝结构层的下表面与橡塑基材结构层的上表面熔接，PVFM硅铝结构层包括硅铝层。
一种 pvfm 结构复合发泡橡塑片材

[发明专利]一种微结构硅基光电探测器及其制备方法-CN201811635787.3在审
发明人：王延超;王稞;杨海贵;王笑夷;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测技术，尤其涉及一种微结构硅基光电探测器。所述微结构硅基光电探测器，包括硅本征层、P型层、N型微结构层、环形P⁺型层、第一电极、第二电极、介质材料层和N⁺型硅衬底，所述P型层和环形P⁺型层均位于硅本征层的上表面，所述N型微结构层位于硅本征层下方，所述环形P⁺型层位于所述P型层的四周，第一电极位于所述P型层和P⁺型层的上方，第二电极位于N型微结构层的上方且位于硅本征层的四周，所述第二电极和硅本征层在N型微结构层的上方间隔设置，所述介质材料层位于N型微结构层的下方，所述N⁺型硅衬底位于介质材料层的下方。
微结构层本征层硅基光电探测器介质材料层第二电极微结构第一电极硅衬底光电探测间隔设置上表面制备

[发明专利]半导体结构-CN201510224653.2在审
发明人：杜升翰;黄吉丰 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括硅基板、缓冲层、氮化物磊晶结构层以及多个不连续性应力释放层。缓冲层配置于硅基板上。氮化物磊晶结构层配置于缓冲层上。不连续性应力释放层配置于硅基板与氮化物磊晶结构层之间，其中不连续性应力释放层的材质为氮化硅。本发明的半导体结构在硅基板与氮化物磊晶结构层之间设置有材质为氮化硅的不连续性应力释放层，藉此来降低氮化物磊晶结构层与硅基板的晶格差异所产生的应力，可有效降低晶格差排在厚度方向上的延伸现象及降低缺陷密度，进而提升整体半导体结构的品质。
半导体结构

[发明专利]通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构-CN202210240939.X在审
发明人：杨盛玮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种通孔界面失效的测试结构、测试方法、装置和半导体结构，该测试结构包括：半导体结构层，为单晶硅结构层和/或多晶硅结构层；多个金属部，包括第一金属部和第二金属部，第一金属部通过第一金属导电柱与半导体结构层电连接，第二金属部通过第二金属导电柱与半导体结构层电连接。该测试结构解决了现有技术中难以评估多晶硅‑通孔界面或者单晶硅‑通孔界面的可靠性的问题。
界面失效测试结构方法装置半导体

[发明专利]双层微机电系统器件及其制造方法-CN201310148440.7有效
发明人：朱家骅;李德浩;李久康;梁凯智;林宗贤;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。
双层微机系统器件及其制造方法

[实用新型]薄膜体声波谐振器-CN201920739552.2有效
发明人：张树民;王国浩;汪泉 -专利权人：杭州左蓝微电子技术有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜体声波谐振器，包括：SOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底以及依次设置在硅衬底上的埋氧层和硅结构层；二氧化硅墙结构，设置在所述硅结构层上；二氧化硅钝化层，所述二氧化硅钝化层设置在所述硅结构层背离所述硅衬底的一侧；功能器件层，所述功能器件层设置在所述二氧化硅钝化层背离所述硅衬底的一侧，并且，所述硅结构层在对应所述功能器件层的位置处设置有贯穿其厚度的通孔，以使得所述功能器件层与所述埋氧层之间形成空气隙。采用二氧化硅作为器件的支撑结构，在射频下损耗较小，功能器件层生长于SOI基片本身的硅结构层上，因晶格匹配较好，有利于生长性能更好的功能器件层，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能等有益效果。
功能器件硅结构层硅衬底二氧化硅钝化层薄膜体声波谐振器二氧化硅埋氧层背离本实用新型晶格匹配器件性能生长性能依次设置支撑结构空气隙墙结构位置处射频通孔贯穿生长

[发明专利]混合材料相控阵激光雷达发射芯片、制作方法及激光雷达-CN201811423751.9有效
发明人：王鹏飞;徐洋;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 -专利权人：北京万集科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种混合材料相控阵激光雷达发射芯片、制作方法及激光雷达，该混合材料相控阵激光雷达发射芯片，包括：第一材料结构层、SOI硅波导结构层和耦合连接结构，第一材料结构层通过耦合连接结构与SOI硅波导结构层进行光路连接；第一材料结构层，用于将输入光耦合到芯片上；耦合连接结构，用于对耦合到所述芯片上的光波进行分束，并将分束后每束光波耦合到所述SOI硅波导结构层对应的硅波导中；其中，第一材料结构层中的第一材料的非线性系数低于硅的非线性系数
混合材料相控阵激光雷达发射芯片制作方法

[发明专利]一种全硅谐振环陀螺结构及制造方法-CN202211410602.5在审
发明人：王健;熊恒;牛昊彬 -专利权人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于微电子机械技术领域，公开了一种全硅谐振环陀螺结构及其制造方法，硅结构层由同心不同半径且互相连接的多个圆环组成，圆环之间通过辐条连接，辐条圆周方向对称分布，中心锚点支撑，环与环之间为附加结构并与底层硅通孔层结构锚定环结构图形与附加结构和电极间隙相同，保证环在干法刻蚀过程中散热均匀，提高刻蚀均一性。硅结构层与硅通孔层、硅盖板层三者分别键合实现器件密封。硅结构层和硅通孔层通过硅硅键合方式连接，硅通孔层上刻蚀硅通孔，电极通过硅通孔层上硅通孔进行信号引出。硅盖板层结构与结构层密封圈和附加结构位置对应，电学互连并接地。
一种谐振陀螺结构制造方法

[发明专利]光学天线、相控阵激光雷达及光学天线的制备方法-CN201810355993.2有效
发明人：王鹏飞;徐洋;李召松;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩 -专利权人：北京万集科技股份有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：该光学天线包括：SOI衬底，波导结构层，间隔层，光栅结构层及保护层；SOI衬底包括：底部硅层，埋氧化层及顶部硅层；在SOI衬底的顶部硅层形成波导结构层，在波导结构层的上方依次设置有间隔层，光栅结构层及保护层；由于光栅结构层的折射率与间隔层及保护层的折射率的差值均大于预设阈值且光栅结构层的折射率高于间隔层及保护层的折射率，所以该光栅结构层具有高折射率对比度，使光波在波导结构层发生衍射时，能够消除SOI衬底方向的衍射
光学天线相控阵激光雷达制备方法

[发明专利]发光二极管磊晶结构-CN201010502906.5有效
发明人：黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管磊晶结构，包括一个硅基板、一个布拉格反射层以及一个半导体结构层。所述硅基板具有一个顶面，所述布拉格反射层形成在所述硅基板的顶面上。所述布拉格反射层上透过一个磊晶连接层连接所述半导体结构层。所述半导体结构层与硅基板之间形成有多个孔隙。本发明的布拉格反射层能反射所述半导体结构层射向所述硅基板的光线，提高所述发光二极管磊晶的发光效率。
发光二极管结构

[实用新型]惯性传感器-CN201520753833.5有效
发明人：季锋;闻永祥;刘琛;孙伟 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种惯性传感器，包括：硅衬底、埋层、布线层、牺牲层、单晶硅层、金属层，所述埋层位于所述硅衬底上，所述布线层位于所述埋层上，所述牺牲层位于所述布线层上，所述单晶硅层的一部分位于所述牺牲层和布线层上，所述单晶硅层的另一部分构成可动结构层，所述可动结构层下方的牺牲层被全部去除，所述金属层位于所述单晶硅层上且暴露所述可动结构层。通过外延方式生长的单晶硅层具有应力小的优点，由此形成的可动结构层厚度不受限制，有利于减小惯性传感器的管芯面积，降低成本。
惯性传感器

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