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[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202110926931.4有效
发明人：郗宁 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构包括位线以及位于位线至少一侧的空气隙，空气隙的侧壁的材质包括含硅化合物，对空气隙的侧壁渗碳处理，空气隙的内侧面形成含碳层；对含碳层靠近空气隙的开口的区域进行氧化处理，生成的氧化物封堵空气隙的开口利用生成的氧化物封堵空气隙，在空气隙的侧壁生长氧化物而实现对空气隙的自封口，减少了氧化物掉落到空气隙内的概率，从而保证空气隙对寄生电容值的降低效果，以降低半导体结构的寄生电容值。
半导体结构制作方法

[发明专利]空气隙制作方法、空气隙和电子设备-CN202110523241.4在审
发明人：孙祥烈;许静;罗军;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种空气隙制作方法、空气隙和电子设备，其中，空气隙制作方法包括：在衬底层上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成沟槽；在所述沟槽内填充导电材料，形成桥撑结构；基于所述桥撑结构，形成空气隙本发明提供的空气隙的制作方法，通过在第一介质层上刻蚀沟槽，在沟槽内填充导体材料形成桥撑结构，可以通过控制导体材料填充的高度控制空气隙的大小，可以通过控制沟槽的形状控制空气隙的形状，同时无需对介质层进行二次刻蚀即可形成空气隙
空气制作方法电子设备

[发明专利]一种纳米聚焦X射线组合透镜-CN200810059018.3无效
发明人：董文;乐孜纯 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：一种纳米聚焦X射线组合透镜，包括透镜主体，位于透镜主体下方的衬基，所述透镜主体上开有多个呈直线顺序排布的通孔状空气隙，每个通孔状空气隙与透镜主体材料一起构成一个组合透镜的折射单元，所述空气隙的截面形状为椭圆形，所述空气隙对应椭圆短轴方向的最大口径尺寸小于椭圆短轴尺寸，所述空气隙对应的椭圆长轴位于同一直线上，所述空气隙对应的椭圆尺寸逐渐减小，由大到小顺序排列，入射X射线束首先入射并通过具有最大尺寸椭圆形空气隙的折射单元
一种纳米聚焦射线组合透镜

[实用新型]一种纳米聚焦X射线组合透镜-CN200820081867.4无效
发明人：董文;乐孜纯 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：一种纳米聚焦X射线组合透镜，包括透镜主体，位于透镜主体下方的衬基，所述透镜主体上开有多个呈直线顺序排布的通孔状空气隙，每个通孔状空气隙与透镜主体材料一起构成一个组合透镜的折射单元，所述空气隙的截面形状为椭圆形，所述空气隙对应椭圆短轴方向的最大口径尺寸小于椭圆短轴尺寸，所述空气隙对应的椭圆长轴位于同一直线上，所述空气隙对应的椭圆尺寸逐渐减小，由大到小顺序排列，入射X射线束首先入射并通过具有最大尺寸椭圆形空气隙的折射单元
一种纳米聚焦射线组合透镜

[发明专利]一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法-CN201611184320.2有效
发明人：林宏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法，包括：位于衬底表面的由金属互连线线和填充于其中的填充金属构成的金属互连层；金属互连层的金属互连线线侧壁和填充金属之间具有阻挡层；金属互连线线之间具有空气隙；以及在阻挡层上、金属互连层上和暴露的衬底表面形成有隔离介质；阻挡层高出填充金属顶部的部分为倾斜的变形阻挡层，变形阻挡层向空气隙中心方向倾斜，从而将空气隙上方的开口缩小或者封闭。本发明有效阻止介质填入空气隙内，获得尽可能大的空气隙体积，进而降低了空气隙的有效k值。此外，本发明的方法与现有技术兼容，显著降低了空气隙的有效k值，进而满足未来技术代对铜互连介质的超低k值要求。
一种具有空气金属互连结构及其制备方法

[发明专利]一种后道互连空气隙的制备方法-CN201610055153.5有效
发明人：郭奥;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种后道互连空气隙的制备方法，通过增加一层空气隙掩膜版，并利用在上、下层金属之间引入牺牲层，实现在上、下层金属交叠区域之间形成空气隙结构，所制备的空气隙结构的尺寸可通过空气隙图形的设计尺寸和牺牲层的淀积厚度进行调节和优化，具有很高的工艺灵活性；本发明可有效降低后道互连工艺中上、下层金属间的寄生耦合电容，极大地弥补了现有技术中只在同层金属间制备空气隙的不足，具有非常重要的应用价值。
一种互连空气制备方法

[发明专利]空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法-CN201710233257.5有效
发明人：郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-11 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本发明提供了一种空气隙的形成方法、NAND闪存及其形成方法，所述空气隙的形成方法在若干间隔的栅极结构之间填充牺牲层，然后在栅极结构与牺牲层的顶部形成薄膜层，通过去除所述牺牲层两侧的衬底上的所述薄膜层形成通道，然后通过所述通道去除所述牺牲层，以在每相邻两个所述栅极结构之间形成空气隙；该方法能够通过通道完全去除牺牲层，使相邻两个所述栅极结构之间的牺牲层全部转化为空气隙，由此形成的空气隙具有较好的轮廓，且在一定程度上提高了空气隙的体积，从而能够保证空气隙的隔离效果，提高NAND闪存中栅极结构的设计密度。
空气形成方法 nand 闪存及其

[发明专利]空气隙的形成-CN03125579.5有效
发明人： M·K·加拉格尔;D·A·格朗贝克;T·G·亚当斯;J·M·卡尔弗特 -专利权人：希普雷公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了在固体结构中形成空气隙的方法。在该方法中，牺牲材料上覆盖了覆盖层。然后通过覆盖层除去牺牲材料，留下空气隙。这种空气隙尤其可用作诸如电互连结构的电子器件中的金属线之间的绝缘。本发明还提供了含有空气隙的结构。
空气形成

[实用新型]一种空心光纤连接器和信号传输装置-CN201821200881.1有效
发明人：张哲;何俊;王义平 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种空心光纤连接器和信号传输装置，空心光纤连接器由辅助光纤、空气芯光子带隙光纤以及单模光纤构成，辅助光纤中纤芯材料的折射率大于空气芯光子带隙光纤的包层材料的折射率；辅助光纤位于空气芯光子带隙光纤的空气纤芯内，被空气芯光子带隙光纤的空气孔塌陷后的形成的结构紧紧包住形成折射率引导型光纤，折射率引导型光纤与单模光纤连接。本实用新型中，对空气芯光子带隙光纤上与单模光纤耦合的部位进行了改进，利用空气芯光子带隙光纤与辅助光纤形成了实芯的折射率引导型光纤，由折射率引导型光纤与单模光纤连接，相对于现有的空气芯光子带隙光纤与单模光纤耦合的结构
光子带隙光纤空气芯单模光纤折射率引导型光纤辅助光纤连接器空心光纤信号传输装置本实用新型耦合的折射率大于空气包层材料空气纤芯纤芯材料耦合损耗空气孔折射率包住实芯塌陷改进

[发明专利]基于空气隙调制折射率光限制层的氮化镓基激光二极管-CN202110774360.7在审
发明人：宗华;付建波;蒋盛翔;张晓蓉 -专利权人：北京飓芯科技有限公司
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空气隙调制折射率光限制层的氮化镓基激光二极管，使用空气隙/GaN折射率调制层代替传统的“上限制层+接触层”，在衬底上依次层叠n型下光限制层、下波导层、有源区、电子阻挡层、上波导层和空气隙/GaN折射率调制层，所述空气隙/GaN折射率调制层是在p型GaN中周期性或非周期性排布空气隙。空气隙/GaN折射率调制层同时承载了竖直方向光场限制以及空穴注入的功能，相比于传统结构，具有更好的光场限制能力和电学性能。
基于空气调制折射率限制氮化激光二极管

[发明专利]一种带环隙空气强制冷却嘴套的精密反应器及纳米级气相法白炭黑的制备方法-CN201710909084.4有效
发明人：田洪先;许国华;胡炎平;周锐;潘志敏;汪康;苏有凯;苏元哲 -专利权人：宜昌南玻硅材料有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： B01J19/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种带环隙空气强制冷却嘴套的精密反应器及纳米级气相法白炭黑的制备方法，嘴体的头部安装有嘴身，所述嘴身的头部安装有嘴尖，所述嘴体的内部安装有分布器，在嘴体的顶部设置有原料氢气进口管，在嘴体的顶部侧壁上安装有原料氢气、原料四氯化硅汽体及原料空气混合气（汽）进口管，所述嘴尖的头部安装有带环隙空气强制冷却保护嘴套，所述带环隙空气强制冷却保护嘴套的外壁均布设置有多根环隙空气进气管，所述带环隙空气强制冷却保护嘴套内部有对称安装有两根环隙氢气进口管，所述带环隙空气强制冷却保护嘴套的下部安装有挡板。
一种带环空气强制冷却精密反应器纳米级气相法白炭黑制备方法

[实用新型]高品质因子的电感-CN200420049974.0无效
发明人：陈重辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种高品质因子的电感，包括：一基底；一介电层，具有一空气隙，位于上述半导体基底上；一支撑柱，位于上述空气隙中；以及一金属线圈，位于上述空气隙中，并且借由上述支撑柱来支撑。本实用新型金属线圈以空气隙代替二氧化硅，可以大幅降低寄生电感。
品质因子电感

[发明专利]半导体器件TEM样品制备及测量方法-CN202110395088.1在审
发明人：李德元;余嘉晗 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本申请涉及TEM样品的制备及半导体器件中空气隙关键尺寸的测量方法，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆上包括至少具有空气隙的待检测区域；切割所述晶圆以得到包括所述待检测区域的样片；对所述样片进行研磨减薄；实施高能量的FIB处理对所述样片进行粗减薄，直至将所述空气隙剖开；将填充材料填充至所述空气隙中；实施低能量的FIB处理对所述样片进行精减薄，以最终得到TEM样品，并观测其空气隙的关键尺寸。采用环氧树脂来填充空气隙，能够在FIB处理的过程中有效减少空气隙的形貌变形，改善测量分析的质量，提高关键尺寸的测量精度；同时，采用先FIB粗减薄、在填充环氧树脂之后再FIB精减薄相结合的工艺，进一步较少
半导体器件 tem 样品制备测量方法

[发明专利]空气隙结构及其形成方法、体声波谐振器及其制造方法-CN202111311806.9在审
发明人：王友良;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器的制造方法，包括：提供衬底；形成空气隙构建层以及下电极，该空气隙构建层位于衬底待形成空气隙的位置上，该下电极位于空气隙构建层上且其下表面边缘区域悬空；在衬底上形成平面化层，该平面化层包括主体部和支撑部，该主体部环绕下电极且其上表面与下电极上表面构成一平坦表面，支撑部位于下电极下表面边缘区域下方并对其形成支撑；在下电极和平面化层上依次形成压电层和上电极；其中该制造方法还包括：在高温环境或低温环境中对空气隙构建层进行处理，处理后的空气隙构建层体积收缩，在下电极下方形成空气隙。
空气结构及其形成方法声波谐振器制造

[实用新型]一种输送机用新型360度清洁空气刀及清洁装置-CN202021016406.6有效
发明人：张益玮 -专利权人：捷赛机械科技（天津）有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B65G45/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及气刀技术领域，公开了一种输送机用新型360度清洁空气刀及清洁装置，包括一体式设置的空气刀本体，所述空气刀本体内设有一气腔，所述空气刀本体上设有一进气孔，所述进气孔与气腔连接，所述空气刀本体内侧设有一圈气隙，所述气隙与所述气腔连接，所述气隙吹出的气体水平指向气隙圆心；该装置空气刀本体为一体式成型，本体内设有气腔，一体式设置不会存在间隙，气体进入气腔只能从气隙吹出，气体的利用率高，且锥形的气隙两侧壁可使气体聚集在一起吹出
一种输送新型 360 清洁空气装置

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