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[发明专利]硅纳米柱状阵列材料及其制备方法-CN201610604267.0有效
发明人：李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 -专利权人：李志刚;台州学院
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
硅纳米柱阵列材料制备阵列膜衬底胶体晶体模板光吸收性能尺寸可控光敏器件紧密排列六角阵列能源器件柱状阵列防反射蜂窝状光吸收峰位硅柱合成覆盖应用

[发明专利]硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法-CN201310742639.2有效
发明人：吴学忠;董培涛;王浩旭;陈剑;邸荻;王朝光;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
支撑金属膜纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]一种制备硅基纳米柱阵列的方法-CN200910244521.0无效
发明人：贾锐;岳会会;陈晨;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅基纳米柱阵列的方法，用以提高晶体硅太阳能电池效率和制造硅异质结太阳能电池，该方法包括：A、配置氢氟酸基腐蚀液；B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面银颗粒；D、利用氢氟酸对硅片进行漂洗，形成纳米柱阵列。本发明提供的这种制备硅基纳米柱阵列的方法，利用湿法化学腐蚀形成硅基纳米柱阵列，能够极大降低因干法刻蚀所造成的损伤，减少最终的纳米柱阵列的缺陷，从而提高其最终硅基纳米柱阵列非晶硅薄膜异质结太阳能电池的转化效率另外，本发明与气-液-固三相生长的硅基纳米柱相比，可规则的形成硅基纳米柱阵列结构，其工艺过程简单，成本低，能够大面积制作规则的纳米柱阵列。
一种制备纳米阵列方法

[发明专利]硅基纳米柱阵列的制备方法-CN201510845784.2有效
发明人：张建军;李丰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基纳米柱阵列的制备方法，包括：在硅片的表面上形成硅锥阵列，所述硅锥阵列包括若干个硅锥；在硅锥阵列的硅锥之间制备牺牲层；其中，所述牺牲层的顶端不超过硅锥阵列的顶端；在牺牲层和硅锥阵列上沉积金属，以在牺牲层的表面上形成第一金属层以及在硅锥阵列的表面上形成第二金属层；剥离牺牲层和第一金属层；以第二金属层为掩膜，刻蚀覆盖有第二金属层的硅片，得到硅基纳米柱阵列。根据本发明的硅基纳米柱阵列的制备方法，以覆盖在硅锥阵列表面上的第二金属层为掩膜，采用感应耦合等离子刻蚀工艺，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和钝化，制备得到了硅基纳米柱阵列；该硅基纳米柱阵列中的纳米柱的直径以及阵列间距可调
硅锥硅基纳米柱阵列牺牲层制备第二金属层第一金属层硅片刻蚀掩膜感应耦合等离子刻蚀沉积金属间距可调交替使用阵列表面纳米柱钝化覆盖剥离

[发明专利]硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件及制备方法-CN201910007377.2在审
发明人：张辉;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了硅基Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件，包括硅衬底，所述硅衬底上分布有硅纳米柱阵列，所述硅纳米柱阵列的顶部覆盖有Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层；所述的硅纳米柱阵列和Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层的晶向取向相同本发明还提供硅基Ⅲ‑Ⅴ族半导体异质纳米柱电致发光器件的制备方法，包括：在硅衬底上刻蚀硅纳米柱阵列；通过沉积二氧化硅将刻蚀出的沟槽填充，并将高于硅纳米柱的二氧化硅去除；在硅纳米柱阵列的顶部外延生长Ⅲ‑Ⅴ族半导体外延层本发明提供的电致发光器件可充分驰豫因界面失配导致的晶格应力，可有效抑制Ⅲ‑Ⅴ族外延层中位错等缺陷的大量产生，从而提高硅基化合物电致发光纳米材料的晶体质量；同时制备过程简单可控。
硅纳米柱阵列电致发光器件半导体外延层硅衬底纳米柱硅基异质半导体二氧化硅沟槽填充刻蚀制备二氧化硅去除硅基化合物电致发光硅纳米柱纳米材料外延生长有效抑制制备过程外延层沉积驰豫晶格晶向可控取向去除失配中位覆盖

[发明专利]在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法-CN201110084311.7有效
发明人：江雷;苏彬;王树涛;马杰;宋延林 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于电子电路领域，涉及在含有疏水性的硅柱的硅片表面上形成大面积定向排列的纳米导线，从而构筑微电极对阵列的方法。本发明采用了在含有亲水性的硅柱阵列的硅片表面上接枝氟硅烷的方法，使得亲水性的硅柱阵列的表面与水的接触角由10°增大到150°以上，得到含有疏水性的硅柱阵列的硅片。驱使含有形成纳米导线的物质的水溶液匀速流经所述疏水性的硅柱阵列的表面，即可大面积、快速地在构成疏水性的硅柱阵列中的相邻的两个硅柱的顶端上形成定向排列的直径为纳米级的纳米导线，并由该纳米导线连接该两个硅柱，从而形成微电极对；多个所述微电极对构成所述的微电极对阵列。本发明可以调节所述纳米导线的粗细、长短、空间排列方式。
含有疏水硅片表面构筑微电极阵列方法

[发明专利]一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法-CN202110030862.9在审
发明人：王魁;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C08J3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备导电聚合物一维纳米阵列的方法,修饰硅柱阵列；制备分散液；对基底进行预处理；将所述分散液滴于修饰后的硅柱阵列表面，再将所述基底覆盖于硅柱阵列的表面并对硅柱阵列和基底施加一定的压力使两者压紧，然后将压紧后的硅柱阵列和基底置于一定的温度下烘干，得到导电聚合物一维纳米阵列；本技术方案利用预先设计的硅柱阵列，诱导导电聚合物分散液在各种基底表面的限域自组装，得到位置、形状精确调控的一维纳米线阵列；本方法简单易行，阵列尺寸可控，导电聚合物分子高度取向，能够制备大面积高质量的导电聚合物一维纳米阵列。
一种制备导电聚合物纳米阵列方法

[发明专利]基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池及其制备方法-CN201110008060.4无效
发明人：李新建;贺川;韩昌报;王伶俐 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-01-15 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列的太阳能电池，包括上、下接触电极，其特征在于：还包括透明导电薄膜、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的表面，金属导电薄膜层沉积在p型单晶硅层底部。基于Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体/硅纳米孔柱阵列太阳能电池有制备工艺简单、积分反射率低、光电转换效率高等特点，在太阳能电池领域拥有良好的应用前景。
基于化合物半导体纳米阵列太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池-CN201920262664.3有效
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本实用新型利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
纳米柱钙钛矿衬底周期阵列结构异质结透明导电薄膜本实用新型硅基异质结金属背电极太阳能电池表面设置轴向柱体载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]基于PtSe2-CN202110062494.6有效
发明人：刘欢;杜宇轩;贾金梅;赵季杰;文帅;白民宇;解飞;谢万鹏;杨媚;吴嘉元;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PtSe2与硅纳米柱阵列的光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括PMMA透光保护层、石墨烯透明上电极、包覆少层PtSe2的硅纳米柱阵列结构体、石墨烯透明上电极和硅纳米柱阵列结构体的金属电极。制备方法为：CVD法制备石墨烯；干法刻蚀制备硅纳米柱阵列结构体；激光干涉增强诱导CVD在硅纳米柱阵列结构体表面包覆少层PtSe2；制备石墨烯透明上电极；磁控溅射镀制金属电极本发明制备的光电探测器可以实现可见光到近红外波段的探测功能，硅纳米柱阵列结构体增强了探测器对光线的吸收作用，使得该探测器具有灵敏度高，器件结构简单，实用性强的优点。
基于 ptse base sub

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种离子注入制作SERS基底的方法-CN201910357475.9有效
发明人：远雁;李超波;刘丽花;解婧;王欢 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种离子注入制作SERS基底的方法，包括：采用等离子体浸没离子注入的方式对单晶硅进行处理，使单晶硅的表面形成纳米柱阵列结构；在形成有纳米柱阵列的单晶硅表面蒸镀贵金属膜，使纳米柱阵列结构的侧壁上形成贵金属纳米点阵列，获得SERS基底；本发明制作的SERS基底，增强了基底的拉曼信号，解决了现有技术中基底纳米点阵列不够灵敏的缺点。
一种离子注入制作 sers 基底方法

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]硅基光发射器件及其制备方法-CN201110235377.1无效
发明人：李永垒;钱波;蒋春萍;王亦 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光发射器件及其制备方法。该器件包括硅衬底，该衬底正面经刻蚀形成纳米柱光子晶体阵列，该阵列上共形沉积含有硅纳米晶量子点结构的薄膜层，该薄膜层上覆盖透明共形电极，该衬底背面沉积有欧姆接触电极；该方法为：在衬底正面利用微球掩膜刻蚀技术，通过深反应离子刻蚀获得硅纳米柱光子晶体阵列，再依次在硅纳米柱光子晶体阵列上共形生长含有纳米硅量子点结构的薄膜层和透明共形电极，并在衬底背面上沉积欧姆接触电极，获得目标产品。本发明的硅基发光器件同时采用光子晶体纳米柱阵列和硅纳米晶量子点结构，有效提高了光提取效率和载流子注入效率，进而提高了器件发光强度和光发射效率，且器件结构简单，工艺简便，成本低廉。
硅基光发射器件及其制备方法

[发明专利]一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法-CN201110167551.3有效
发明人：马忠元;陈坤基;徐岭;夏国银;江小帆;杨华峰;徐骏;黄信凡;冯端 -专利权人：南京大学
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
一种有序可控纳米量子阵列存储器及其制备方法

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