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[发明专利]一种IrO2-CN201811028293.9有效
发明人：王宗鹏;林志萍;冯尚申;钟文武;申士杰 -专利权人：台州学院
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： B01J23/46 文献下载
摘要：本发明公开一种制备IrO2@Ir核壳结构电催化析氧反应催化剂的方法，包含以下步骤：材料的预处理；称量和分散；激光处理；退火。本发明还公开一种IrO2@Ir核壳结构电催化析氧反应催化剂，采用上述方法制备而成。
一种 iro base sub

[发明专利]一种ZrCrN/ZrMoN叠层刀具涂层及其制备方法-CN201710555850.1有效
发明人：许辉;赵先锐;张梦贤;方一航;陈基根;吴建波;冯尚申;曹振雨;张平;薛双喜 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于金属表面涂层技术领域，公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrMoN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrMoN叠层涂层从基体到表层依次为：Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrMoN层……ZrCrN层、ZrMoN层。单层涂层厚度为40～80nm，涂层总厚度为3～4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、钼、铬和氮四种元素，涂层显微硬度达到37.3GPa，耐高温氧化温度可达1240℃，划痕法测得涂层与基体见的结合力可达132N，摩擦系数为0.28。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力，较低的摩擦系数，可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
一种 zrcrn zrmon 刀具涂层及其制备方法

[发明专利]一种棒状氧化锆晶须的制备方法-CN201710733133.3有效
发明人：方一航;张梦贤;张平;赵先锐;冯尚申;吴建波;陈基根;薛双喜;王天乐;霍颜秋 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种棒状氧化锆晶须的制备方法，属于无机结构材料领域。该棒状氧化锆晶须的制备方法，包括以下步骤：将四方相氧化锆和助熔剂分别研磨成粉状颗粒，混合均匀得到反应原料，其中四方相氧化锆和助熔剂的摩尔比为1:1～1:1.5；将所述反应原料升温至850～1000℃进行煅烧处理30～90min，冷却，得到相应的烧结产物；将上述烧结产物加入去离子水中，并控制温度在70℃～90℃的条件下进行搅拌浸泡处理，再经过滤得到白色的固体粉饼；将得到的白色固态粉饼进行烘干处理，即得到白色棒状氧化锆晶须。本发明工艺流程简单、煅烧温度适中，反应体系均匀性好，成本低，产品得到率80％以上，所得棒状氧化锆晶须产品微观形貌均匀、产率高，助熔剂易于洗去，适于工业化应用。
氧化锆晶须助熔剂棒状制备四方相氧化锆反应原料烧结产物粉饼种棒煅烧无机结构材料工业化应用白色固态粉状颗粒烘干处理均匀性好微观形貌研磨工艺流程摩尔比产率水中浸泡离子冷却

[发明专利]NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件-CN201710217430.2有效
发明人：刘彦平;冯尚申;李志刚;钟文武;詹白勺 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G02F1/1523 文献下载
摘要：本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种NiO纳米结构阵列材料、制备方法、电致变色器件，该材料包括衬底和设置在衬底上的NiO层，所述NiO层为形貌均一、六角堆积排列的球壳状纳米结构阵列。制备方法包括清洗衬底；在衬底制备聚苯乙烯单层薄膜，用衬底捞起薄膜后热处理，再置于磁控溅射仪中，进行溅射镀膜；加热，去除模板。使用上述材料或制备方法制备的电致变色器件。本发明形貌均一，周期性排列的球壳状NiO纳米结构阵列，球壳的纳米单元尺寸可通过微球的尺寸、溅射功率、溅射时间等参数来调控，这种周期性的空心纳米结构阵列不仅具有巨大的比表面积，也为离子在材料中的脱嵌提供了便利，可解决材料电致变色的响应速度慢的问题。
nio 纳米结构阵列材料制备方法变色器件

[发明专利]一种抗高温氧化高熔点TiB2晶须的制备方法-CN201910072267.4在审
发明人：方一航;张平;冯尚申;吴建波;王天乐;薛双喜;刘壕东;霍颜秋;詹兴宇;赵子栋 -专利权人：台州学院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗高温氧化高熔点TiB2晶须的制备方法，包括以下步骤：称取工艺配比份数的二硼化钛和熔盐，将称取后的二硼化钛和熔盐混合倒入研磨机中研磨添加酒精溶液搅拌均匀，获得稠状反应原料将上述反应原料放置于真空管式炉内，进行煅烧处理，获得烧结产物；将上述烧结产物加入去离子水中，进行过滤处理，获得固体粉饼产物，并将固体粉饼产物放入真空烘干箱中烘干至恒重，即获得成品。综合上述，本发明具有工艺流程简单、煅烧温度适中、制作成本低、产品得到率高的特点，适用于工业生产。
抗高温氧化二硼化钛反应原料烧结产物高熔点称取粉饼晶须熔盐煅烧制备真空管式炉真空烘干箱工艺配比过滤处理酒精溶液研磨工艺流程研磨机烘干稠状放入恒重水中离子制作

[发明专利]硅纳米柱状阵列材料及其制备方法-CN201610604267.0有效
发明人：李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 -专利权人：李志刚;台州学院
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
硅纳米柱阵列材料制备阵列膜衬底胶体晶体模板光吸收性能尺寸可控光敏器件紧密排列六角阵列能源器件柱状阵列防反射蜂窝状光吸收峰位硅柱合成覆盖应用

[发明专利]一种超细晶高性能Ti(C，N)-TiB₂-WC复合金属陶瓷刀具及制备方法-CN201710556028.7有效
发明人：方一航;张梦贤;赵先锐;徐爱娇;冯尚申;薛双喜;霍颜秋;李战江;吴建波;张平 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C22C29/04 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，公开了一种超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC复合金属陶瓷刀具及制备方法。所述超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC复合金属陶瓷材料为一步法原位合成，晶粒尺寸小于700nm。其主要组分由以下材料组成：Co：8wt.％(纯度99wt.％，粒度<1μm)，Ti：53‑69wt.％(纯度99.9wt.％，粒度<0.8μm)，C：1‑4wt.％(纯度98wt.％，粒度<1μm)，BN：10‑14wt.％(纯度99wt.％，粒度<0.5μm)，WC：5‑25wt.％(纯度99.9wt.％，粒度<0.4μm)，通过研磨制备粉体，8MPa预压，真空反应热压烧结成坯体，磨制刀片等，最终得到Ti(C,N)‑TiB2‑WC复合金属陶瓷刀具。本发明方法制得碳化物添加的金属陶瓷刀具与传统的金属陶瓷刀具相比，具有更高的硬度和耐磨性，其热稳定性，耐磨性，导热性，抗氧化性以及高温硬度，高温强度，切削性能都有明显优势。
一种超细晶高性能 ti tib2 wc 复合金属陶瓷刀具制备方法

[发明专利]一种超细晶高性能Ti(C;N)-TiB₂-WC-TaC复合金属陶瓷刀具及制备方法-CN201710556296.9有效
发明人：赵先锐;张梦贤;许辉;薛双喜;方一航;冯尚申;霍颜秋;李战江;陈基根;吴建波 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，公开了一种超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC‑TaC复合金属陶瓷刀具及制备方法。所述超细晶高性能Ti(C,N)‑TiB2‑WC‑TaC复合金属陶瓷材料为一步法原位合成，晶粒尺寸小于500nm。其主要由以下材料组成：Co：8wt.％(纯度99wt.％，粒度<1μm)，Ti：62wt.％(纯度99.9wt.％，粒度<0.8μm)，C：3％(纯度98wt.％，粒度<1μm)，BN：12wt.％(纯度99wt.％，粒度<0.5μm)，WC：3‑12wt.％(纯度99.9wt.％，粒度<0.4μm)，TaC：3‑12wt.％(纯度99.9wt.％，粒度<0.4μm)通过研磨制备粉体，8MPa预压，真空反应热压烧结成坯体，磨制刀片等，最终得到金属陶瓷刀具。本发明方法制得碳化物添加的金属陶瓷刀具与传统的金属陶瓷刀具相比，具有更高的硬度和耐磨性，其热稳定性，耐磨性，导热性，抗氧化性以及高温硬度，高温强度，切削性能都有明显优势。
一种超细晶高性能 ti tib2 wc tac 复合金属陶瓷刀具制备方法

[发明专利]聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料及制备方法-CN201610466968.2有效
发明人：李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 -专利权人：李志刚;台州学院
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L39/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚苯乙烯胶体球与铌膜复合异质结构超导材料，包括衬底、铌膜和聚苯乙烯胶体六角阵列膜，铌膜位于衬底之上，聚苯乙烯六角阵列膜覆盖于铌膜之上；聚苯乙烯六角阵列膜包括多个聚苯乙烯胶体微球，各聚苯乙烯胶体微球以单层紧密排列为六角状阵列。本发明还公开了所述超导材料的制备方法。本发明将聚苯乙烯胶体微球和铌超导薄膜材料构筑为异质结构纳米结构材料，通过改变胶体球和铌衬底的接触面积，调控超导转变的临界温度，从而提高铌薄膜的超导转变温度Tconset，材料制备工艺简单，所需的设备较少，大大降低超导材料的制备成本，有利于推广应用。
超导材料聚苯乙烯胶体微球聚苯乙烯胶体六角阵列异质结构衬底制备聚苯乙烯超导转变膜复合材料制备工艺超导薄膜材料纳米结构材料紧密排列胶体球六角状膜覆盖单层薄膜调控构筑

[发明专利]一种ZrCrN/ZrAlN叠层刀具涂层及其制备方法-CN201710556298.8在审
发明人：方一航;赵先锐;许辉;张梦贤;陈基根;郑家乐;薛双喜;曹振雨;冯尚申;李妮 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明属于金属表面涂层技术领域，公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积ZrCrN/ZrAlN叠层刀具涂层及其制备方法。本发明所述的ZrCrN/ZrAlN叠层涂层从基体到表层依次为Cr/CrN过渡层、ZrCrN层、ZrAlN层……ZrCrN层、ZrAlN层。单层涂层厚度为40～80nm，涂层总厚度为3～4微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、铝、铬和氮四种元素，涂层显微硬度达到38.3GPa，耐高温氧化温度可达1280℃，划痕法测得涂层与基体见的结合力可达138N。通过本发明制备的硬质合金刀具有较高的膜基结合力，可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
一种 zrcrn zraln 刀具涂层及其制备方法

[发明专利]一种纳米复合锆铝钼氮化物刀具涂层及其制备方法-CN201710556057.3在审
发明人：赵先锐;方一航;许辉;张梦贤;陈基根;薛双喜;张平;曹振雨;冯尚申;李妮 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明属于金属表面涂层技术领域，公开了一种在WC/CO硬质合金基体上沉积纳米复合锆铝钼氮化物涂层及其制备方法。本发明所述的锆铝钼氮化物涂层分为两层，一层为Zr/ZrN打底层，厚度为100～400纳米；一层为纳米复合锆铝钼氮化物涂层，厚度为2.8～3.4微米；涂层总厚度为2.9～3.8微米。本发明所述的涂层采用多弧离子镀技术沉积。涂层中含有锆、铝、钼和氮四种元素，涂层显微硬度达到33.6GPa，耐高温氧化温度可达1130℃，摩擦系数为0.33。通过本发明制备的硬质合金刀具可实现对高硬度的金属材料进行高速干切削。
一种纳米复合锆铝钼氮化物刀具涂层及其制备方法

[发明专利]可见光区域纳米结构阵列增透膜及其制备方法-CN201710264960.2在审
发明人：李志刚;冯尚申 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜的制备方法，包括以下步骤第一步、对石英衬底进行清洗；第二步、在石英衬底的其中一面合成胶体晶体模板；第三步、合成单面SiO2纳米柱状结构阵列膜；第四步、在石英衬底的另一面合成胶体晶体模板；第五步、合成双面SiO2纳米柱状结构阵列膜。本发明的SiO2柱状纳米阵列膜与石英衬底之间的结合十分牢固，超声清洗半小时对薄膜的形貌没有任何影响。本发明还公开了一种可见光区域SiO2柱状纳米结构阵列增透膜。
可见光区域纳米结构阵列增透膜及其制备方法

[发明专利]宽紫外光吸收FeGa空心球纳米阵列材料及其制备方法-CN201410011134.3有效
发明人：李志刚;冯尚申;邵先亦;陈卫平;李艳萍;王天乐 -专利权人：李志刚;台州学院
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可磁场调控宽紫外光吸收性能的FeGa空心球纳米阵列材料，包括衬底、FeGa空心球阵列膜，FeGa空心球阵列膜覆盖于衬底上；所述FeGa空心球阵列膜由多个FeGa空心球单层紧密排列为蜂巢形阵列；所述FeGa空心球的直径为500～1000nm，壁厚为20～120nm。本发明将FeGa材料做成金属光子晶体，可通过外加磁场，利用FeGa良好的磁滞伸缩性能来调控材料的形态结构，能够实现进一步调控材料的光学方面性能。本发明还公开了一种FeGa空心球纳米阵列材料的制备方法。
紫外光吸收 fega 空心球纳米阵列材料及其制备方法

[发明专利]NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法-CN200910153351.5无效
发明人：蔡培阳;冯尚申;薛双喜;周英;陈卫平 -专利权人：台州学院
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明是一种铁磁形状记忆合金及其制备方法，特别是一种NiMnGaSi合金粘结磁体及其制备方法。NiMnGaSi合金粘结磁体的制备方法是选用原料Ni2O3粉末、Ga2O3粉末、Mn粉、Ca粉和SiO2乳胶液，通过还原反应和扩散反应得到NiMnGaSi合金粉末；再将NiMnGaSi合金粉末粘结成一体，即得到NiMnGaSi合金粘结磁体。本发明的NiMnGaSi合金粘结磁体，其磁致应变性能和机械性能都得到明显的提高，在高频电磁场作用下不易发热，可以根据工件的要求加工成不同尺寸和形状，有较大的应用价值。
nimngasi 合金粘结磁体及其制备方法

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