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[实用新型]一种MXenes/AlN基深紫外探测器-CN202222133719.5有效
发明人：唐鑫;李国强;郑昱林 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MXenes/AlN基深紫外探测器，由下至上依次包括硅衬底、Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列，所述Ti3C2Tx层状材料上设有第一金属电极；所述AlN纳米柱阵列上设有第二金属电极，Ti3C2Tx层状材料和AlN纳米柱阵列之间形成的高肖特基势垒。
一种 mxenes aln 深紫探测器

[发明专利]一种硅纳米线阵列及其制备方法-CN202111453274.2有效
发明人：张利锋;阮欢;胡越;白嘉玺;刘毅;郭守武 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明提供一种硅纳米线阵列及其制备方法，属于微纳米材料合成领域。以成本较低的工业级硅藻土作为硅源，预处理之后与石墨和海藻酸钠混合研磨制浆，干燥后与聚酰亚胺膜、金属锂片封装，充放电数次后制得硅纳米线阵列。本发明原料易得，工艺简单，成本较低，应用前景广阔。制备出的硅纳米线形貌特征鲜明，直径大约为50nm，整体呈规整的阵列状排列，在纳米电子器件、光电子器件以及新能源等方面具有较大的应用前景。
一种纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种高灵敏度的聚合物微纳米阵列及其制备方法-CN202310456260.9在审
发明人：梁峻兰;朱宏德;刘长青;陈珍明;黄俊俊 -专利权人：贺州学院
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及到一种高灵敏度的聚合物微纳米阵列及其制备方法，包括：(1)将合成聚二甲基硅氧烷(PDMS)的预聚体与引发剂混合，得到聚合物溶液；(2)将上述聚合物混合液涂在多孔模板上，超声方式使混合液填充到模板的微纳米孔内；(3)然后将涂覆聚合物混合液液的模板放入干燥箱中固化成型；(4)最后将干燥后的多孔模板依次与强碱溶液，饱和氯化铜的盐酸溶液，中强酸溶液反应，得到具有长径比可调的PDMS微纳米柱阵列结构。本发明制备的PDMS微纳米柱成本低廉、操作简单、长径比可控，而且，将该PDMS微纳米柱阵列应用于摩擦发电、物体识别和生物传感等领域，具有较高的灵敏度，预期具有广泛的应用前景。
一种灵敏度聚合物纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种双面硅纳米线阵列的制备方法-CN201210034487.6无效
发明人：丁建宁;张福庆;郭立强;程广贵;凌智勇;张忠强;杨娟;孙东健 -专利权人：江苏大学
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅纳米线，特指一种双面硅纳米线阵列的制备方法。在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属离子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到硅纳米线阵列；包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、用化学镀法在硅片两个表面覆盖一层均匀的银纳米颗粒网络的步骤、双面硅纳米线阵列制备的步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤
一种双面纳米阵列制备方法

[发明专利]一种多孔硅纳米线阵列的制备方法-CN201810529306.4在审
发明人：李绍元;耿超;马文会;何祖东;万小涵;雷云;颜恒维;于洁;魏奎先;谢克强;杨斌;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多孔硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米材料技术领域。>2SO₄和H₂O₂混合的溶液浸泡，然后取出采用氢氟酸溶液中浸泡；将处理的硅片采用阳极电化学刻蚀方法常温刻蚀，得到表面形成纳米多孔硅层的硅片；然后继续在金属纳米粒子催化作用下采用一步或两步金属纳米颗粒辅助刻蚀法，得到刻蚀后多孔硅纳米线阵列；将得到的刻蚀后多孔硅纳米线阵列置于浓度为0.1~90wt%的氧化性溶液中浸泡10~600min，取出后用去离子水清洗后得到多孔硅纳米线阵列本发明采用阳极电化学腐蚀技术结合金属催化化学刻蚀方法，能够较好地实现纳米多孔结构、尺寸以及硅纳米线直径、长度等参数的可控制备。
纳米线阵列多孔硅刻蚀硅片阳极电化学去离子水制备浸泡清洗取出表面形成纳米金属纳米颗粒金属纳米粒子纳米材料技术纳米多孔结构氢氟酸溶液氧化性溶液催化作用多孔硅层硅纳米线化学刻蚀技术结合金属催化溶液浸泡可控制体积比甲苯乙醇丙酮超声腐蚀

[发明专利]多彩太阳能电池及其制备方法-CN201710080923.6有效
发明人：刘敏;李新化;史同飞;马文霞;王玉琦 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：电池为硅衬底上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列，其中，硅纳米线的直径为50‑120nm、周期为500‑1500nm，表面覆有厚1‑200nm的介质层；方法为先于硅衬底表面使用纳米球模板法或电子束曝光法或纳米压印技术制作有序掩模后，使用湿法工艺或反应离子刻蚀的博世工艺于其上刻蚀出有序纳米线阵列，再使用扩散工艺对其上置有有序硅纳米线阵列的硅衬底进行表面掺杂硼元素，之后，于得到的其上置有表面形成PN结的有序硅纳米线阵列的硅衬底上使用化学气相沉积法或电子束蒸发法或原子层沉积技术或旋涂法制作介质层后
多彩太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种纳米间隙可控的硅基阵列的制备方法及其应用-CN201711185389.1有效
发明人：杨绍松;刘广强;赵倩;郭静;蔡伟平 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米间隙可控的硅基阵列的制备方法及其应用，包括：制备硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列；采用反应离子刻蚀法对硅片基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列进行刻蚀，并在刻蚀完成后去除单层聚苯乙烯胶体晶体阵列，制得锥形硅基阵列；以所述锥形硅基阵列为模板，采用物理沉积方法在该模板的表面沉积一层厚度为10～50nm的金膜，并在锥形硅基的顶部沉积形成金纳米球，通过控制沉积时间调整金纳米球间距，制得纳米间隙可控的硅基阵列
一种纳米间隙可控阵列制备方法及其应用

[发明专利]一种基于有机钝化膜的硅太阳能电池-CN201610217600.2在审
发明人：陈立新 -专利权人：陈立新
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机钝化膜的硅太阳能电池，包括背电极(6)和P型硅衬底(5)，其特征在于：P型硅衬底(5)的上表面采用硅纳米线阵列结构，该硅纳米线阵列结构表面上依次层叠有支化聚乙烯亚胺钝化膜(4)、N型非晶硅层(3)和氧化铟锡透明导电膜(2)，纳米线阵列结构的顶端设有正电极(1)。本发明由于P型硅衬底表面采用纳米线结构，具有良好的陷光效果，且提高了载流子的收集效率，同时支化聚乙烯亚胺钝化膜钝化性能优异，改善了硅太阳能电池的能量转化效率。
一种基于有机钝化太阳能电池

[发明专利]基于结构色的图像显示装置、系统及该装置的制作方法-CN202010256967.1有效
发明人：史丽娜;李龙杰;牛洁斌;陈生琼;尚潇;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：其中，该图像显示装置包括：衬底，该衬底为硅和二氧化硅组成的双层衬底；硅圆柱纳米结构，形成于该衬底上，且该硅圆柱纳米结构通过对光的米氏共振作用产生结构色；金属掩膜铬，覆盖于该硅圆柱纳米结构上；其中，该硅圆柱纳米结构和形成于其上的金属掩膜铬共同构成一个硅‑铬圆柱纳米结构，多个该硅‑铬圆柱纳米结构呈阵列排布形成一个圆柱纳米结构阵列。本发明提供的该基于结构色的图像显示装置、系统及该装置的制作方法，采用周期纳米结构，对环境友好，与半导体工艺兼容，不褪色，改变纳米结构的尺寸和纳米结构阵列的间隙便可使结构色发生变化，容易观察。
基于结构图像显示装置系统装置制作方法

[发明专利]硅纳米线装配的方法-CN200810116691.6无效
发明人：姜岩峰 -专利权人：北方工业大学
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线装配的方法，通过温度场的控制，应用硅纳米线在温度场中具有自组织的特性，能够用来装配平行的纳米线；硅纳米线通过稀磁杂化的方法，使之具有弱磁性，然后通过外加磁场控制的方法进行正交装配既能装配互相平行的硅纳米线，也能采用多层技术装配正交的纳米线，使构成网格式的纳米线阵列，装配效果好，可以用于装配大规模的纳米线阵列。
纳米线装方法

[发明专利]一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器-CN202310458949.5在审
发明人：陈海涛;刘霄羽;钱沁宇;王钦华 -专利权人：扬州大学
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于方孔阵列结构的超表面超宽带完美吸收器，在透明衬底上设有纳米方孔阵列，每个纳米方孔由衬底向上高度均为h的五个方形环构成，材料依次为氟化镁、硅、铬、砷化镓、铝；每个纳米方孔内嵌入纳米方柱，纳米方柱由衬底向上高度均为h的四个方形柱构成，四个方形柱的材料依次为硅、铬、砷化镓、铝。该吸收器与传统的吸收器相比，是实现大面积超薄超表面吸收器的有效途径，具有宽频带、高吸收的优点，且其结构相对简单，与当前的纳米加工技术如沉积和光刻兼容，易于制造，成本较低。
一种基于阵列结构表面宽带完美吸收

[发明专利]基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法-CN201811547972.7在审
发明人：尤政;王晓峰 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了属于微储能器件领域的一种基于管状金属氧化物的三维微柱阵列活性电极及制备方法。在硅基底上依次附着Si/SiO₂，三维的微柱阵列电极、纳米金属氧化物活性电极薄膜和三维微柱阵列电极的集流体，组成三维微柱阵列活性电极。以氧化钌、氧化锰等为纳米金属氧化物。首先加工微柱及“微草”结构；继而以“微草”结构为沉积模板，制备具有三维管状的纳米金属氧化物薄膜，得到三维微柱阵列活性电极。
三维微柱阵列活性电极纳米金属氧化物电极制备管状金属氧化物储能器件薄膜三维超级电容器电极无线传感网络电化学储能电子器件微柱阵列比容量集流体可穿戴微结构氧化锰氧化钌沉积附着硅基微柱加工应用帮助

[发明专利]一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法-CN201711221172.1有效
发明人：赵红英 -专利权人：金寨嘉悦新能源科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池及其制备方法，用以提高光伏电池的光电转换效率。基于硅纳米线阵列的异质结光伏电池的制作方法包括：n型硅片的清洗；在n型硅片的表面制备硅纳米线阵列；对n型硅片以及硅纳米线各自的表面进行钝化处理；硅纳米线/P3HT复合活性膜的制备；PEDOT:PSS/P
一种基于纳米阵列异质结光伏电池及其制备方法

[发明专利]一种有序硅纳米线阵列的制备方法-CN201310022489.8无效
发明人：左则文 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种有序硅纳米线的制备方法，结合多孔氧化铝模板和金属辅助化学腐蚀获得有序的硅纳米线阵列。所述方法在清洁的硅片表面依次沉积SiO2和Al膜；然后对铝膜进行阳极化，形成多孔氧化铝AAO；以AAO作为掩模，利用等离子体刻蚀在硅表面复制AAO的孔阵图形；随后去除AAO及SiO2层，在图形化的硅表面沉积金膜，得到网孔结构的金层；将覆盖有网孔结构金膜的样品浸入HF酸与H2O2腐蚀液中腐蚀，得到硅纳米线阵列。本制备方法简单，可以制备出大面积有序的垂直排列的硅纳米线阵列，能够对纳米线的取向、掺杂类型及水平、直径、长度、间距、面密度等实现有效控制，并且成本低廉，可以用于基于硅纳米线阵列的器件中。
一种有序纳米阵列制备方法

[发明专利]基于体硅的三维阵列式SiNWFET制备方法-CN201210093915.2有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于体硅的三维阵列式SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成阵列式鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述阵列式鳍形有源区中的SiGe层，形成三维阵列式硅纳米线；在所述三维阵列式硅纳米线、体硅衬底以及源漏区上形成栅极氧化层；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成栅极；在所述源漏区和所述栅极之间形成隔离介质层本发明采用三维阵列式硅纳米线结构，使器件集成度和器件电流驱动能力成倍数增大，并采用了常规的栅极氧化层。
基于三维阵列 sinwfet 制备方法