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[发明专利]装卸装置、方法及硅片双面抛光设备-CN202211690624.1在审
发明人：孙介楠;王强 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种装卸装置、方法及硅片双面抛光设备，所述装卸装置包括：第一装卸机构，所述第一装卸机构用于将载具装载至所述硅片双面抛光设备以及将载具从所述硅片双面抛光设备卸载；第二装卸机构，所述第二装卸机构用于将硅片装载至装载于所述硅片双面抛光设备的载具以及将硅片从装载于所述硅片双面抛光设备的载具卸载；第三装卸机构，所述第三装卸机构用于将对所述硅片双面抛光设备的上抛光垫和下抛光垫进行修整的修整器装载至所述硅片双面抛光设备以及将修整器从所述硅片双面抛光设备卸载。
装卸装置方法硅片双面抛光设备

[实用新型]硅片研磨和清洗装置-CN201721880326.3有效
发明人：何昆哲;华波;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片研磨和清洗装置，包括双面研磨部件、清洗蚀刻部件及边缘研磨部件。所述双面研磨部件包括双面研磨砂轮，所述双面研磨砂轮用于对硅片的两个相对设置的表面进行双面研磨；所述清洗蚀刻部件用于对经过双面研磨的硅片进行清洗蚀刻；所述边缘研磨部件包括边缘砂轮和工作台，所述边缘砂轮位于所述工作台的侧面，所述工作台用于承载经过清洗蚀刻的硅片，所述边缘砂轮用于对位于工作台上的硅片的边缘进行研磨。本实用新型提供的硅片研磨和清洗装置可完成对硅片依次进行双面研磨、清洗蚀刻以及边缘研磨的工艺，在双面研磨和边缘研磨之间对硅片进行清洗蚀刻，可以提高研磨工艺的合格率。
双面研磨硅片砂轮清洗蚀刻边缘研磨硅片研磨清洗装置工作台本实用新型蚀刻部件研磨相对设置合格率承载侧面

[发明专利]一种N型双面电池的制备方法-CN201610220225.7有效
发明人：王金艺;黄纪德;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型双面电池的制备方法，包括对硅片进行双面热氧化，在所述硅片的上表面和下表面都生成氧化层；对所述硅片的下表面涂负胶；除去所述硅片的上表面的氧化层；除去所述硅片的下表面的负胶；对所述硅片进行背靠背硼扩散；对所述硅片的硼扩面涂负胶；除去所述硅片的下表面的氧化层；除去所述硅片的上表面的负胶；对所述硅片进行背靠背磷扩散。所述N型双面电池的制备方法，通过在硼扩散和磷扩散之前都通过涂胶保护好阻挡层，进而得到质量高的双面扩散结，最后能得到高效的电池片。
一种双面电池制备方法

[发明专利]硅片加工方法及硅片-CN202210733112.2在审
发明人：孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片加工方法，所述硅片加工方法包括：对经过第一次倒角加工和研磨加工后的硅片进行镀膜加工；对镀膜加工后的硅片进行双面抛光加工；对双面抛光加工后的硅片进行第二次倒角加工。本发明实施例提供了一种对硅片加工方法；该硅片加工方法通过两个方面改善硅片塌边的问题：一方面，该硅片加工方法包括对硅片进行镀膜加工，由此可以在硅片表面及边缘沉积一层氧化膜，该氧化膜会对硅片特别是硅片的边缘部分起到保护作用；另一方面，根据该硅片加工方法，在对硅片进行双面抛光加工之后再执行第二次倒角加工，由此可以通过倒角工艺去除在前工序双面抛光加工过程引起的硅片的边缘塌陷部分，从而解决硅片塌边的问题。
硅片加工方法

[发明专利]一种双面topcon电池的制备方法-CN202210778644.8在审
发明人：王红芳;徐卓;潘明翠;郎芳;翟金叶;李锋;陈志军;闫小兵;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种双面topcon电池的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：对N型硅片进行双面制绒；对所述制绒后硅片进行背面抛光；在所述抛光后硅片的正面粘结镂空掩膜板，得预处理硅片；在所述预处理硅片的正背面分别形成双面设有钝化结构的第一硅片；去除所述第一硅片正面的镂空掩膜板；在所述硅片的正面进行硼扩散；在所述硅片的背面进行磷扩散；将所述硅片进行退火处理；在所述硅片的正面沉积氧化铝层，然后在正背面分别沉积减反射膜后印刷栅线电极，烧结，得所述双面topcon电池。本申请采用粘结方式将镂空掩膜板贴合于硅片正面，能够实现一次性完成隧穿钝化层在硅片正背面的沉积。
一种双面 topcon 电池制备方法

[发明专利]单面湿法黑硅硅片的制备方法-CN201711035349.9有效
发明人：宫龙飞;吉鑫;姜小松;阮文娟;金善明 -专利权人：扬州协鑫光伏科技有限公司;苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片的制备方法，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。上述单面湿法黑硅硅片的制备方法中，由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。
单面湿法硅片制备方法

[发明专利]单面湿法黑硅硅片-CN201711034094.4有效
发明人：宫龙飞;金善明;张喜 -专利权人：扬州协鑫光伏科技有限公司;苏州协鑫光伏科技有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片，采用单面湿法黑硅硅片的制备方法制备得到，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。
单面湿法硅片

[发明专利]半导体硅片制造工艺-CN200910241461.7无效
发明人：库黎明;闫志瑞;索思卓;陈海滨;盛方毓 -专利权人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体硅片制造工艺，该工艺包括：(1)在磨削和腐蚀后，将硅片进行双面抛光粗抛，去除量为5～100微米；(2)在双面粗抛后，进行双面中抛，抛光布的硬度或抛光液颗粒的粒径比粗抛小，抛光去除量为1～100微米；(3)对双面抛光后的硅片直接进行单面最终抛光，此步的抛光去除量为小于0.5微米。通过该工艺方法制造硅片，可以获得高平整度的硅片，提高产品的一次收率。本发明的优点在于提出一种提高硅片表面的几何参数水平的大尺寸硅片制造方法。
半导体硅片制造工艺

[发明专利]一种双面电池用硅片的制绒方法-CN202011379206.1在审
发明人：叶晓亚;曹芳;邹帅;周思洁;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供一种双面电池用硅片的制绒方法，所述方法包括以下步骤：(1)将两片硅片的背面重叠置于碱液中进行各向异性刻蚀处理，得到碱液处理硅片；(2)将步骤(1)得到的所述碱液处理硅片置于酸性溶液中进行腐蚀处理，得到腐蚀处理硅片；(3)将步骤(2)得到而对所述腐蚀处理硅片分离，依次进行第一酸洗以及第二酸洗，得到制绒硅片。所述制绒方法在提升产能的同时，有效提升双面电池的背面效率以及双面率。
一种双面电池硅片方法

[发明专利]一种用于消除快速热处理过程中晶硅片位错缺陷的方法-CN202211149671.5有效
发明人：杨立功;汤佳丽;关统州;潘琦 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于硅片加工领域，公开了一种用于消除快速热处理过程中晶硅片位错缺陷的方法。首先，在目标热处理晶硅片下方增加垫片，然后在硅片四周均放置辅助片。所述垫片或辅助片均为下述材料中的一种或多种组合：多晶硅片；单晶硅片；非晶碳化硅薄片；以多晶硅片或单晶硅片为基底层，单面或双面镀碳化硅层；以氧化硅薄片为基底层，单面或双面镀非晶硅层；以氧化硅薄片为基底层，单面或双面镀碳化硅层；以氧化铝薄片为基底层，单面或双面镀非晶硅层；等等。本发明采用垫片和辅助片相结合，从目标热处理晶硅片的角度直接改善其热能分布，减小硅片不同区域间的温度差异，从而达到消除硅片因温度不均匀诱发应力导致缺陷的目的。
一种用于消除快速热处理过程硅片缺陷方法

[发明专利]一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺-CN201911285076.2在审
发明人：梁兴芳;柯雨馨;许奕川 -专利权人：阳光中科（福建）能源股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺，所述制备工艺包括：制绒步骤:对N型硅片正背双面进行制绒；离子注入步骤：对N型硅片正面离子注入硼形成PN结，对N型硅片背面离子注入磷形成N+N结，形成双结结构；双面同时加工步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时加工制备钝化减反结构；烧结步骤：对双面同时加工后的N型硅片进行共烧结处理，形成N型PERT双面太阳电池，所述钝化减反结构包括逐层叠加的SiO2钝化膜、SiNX减反膜以及Ag电极，通过对N型硅片双面同时逐层制备SiO2钝化膜、SiNX减反膜以及Ag电极，形成双面太阳电池，由于同时进行加工，制备流程短，加工效率高，满足市场需求。
一种制作 pert 双面太阳电池及其制备工艺

[发明专利]低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺-CN202110471933.9有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容低残压大功率过压保护器件芯片，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片的两侧形成有穿通区及触发区，N型单晶硅片的双面形成有基区，N型单晶硅片双面的基区形成阴极区，N型单晶硅片双面形成有双面氧化层，双面氧化层上位于阳极区与穿通区之间处形成内沟槽台面，内沟槽台面处填充有玻璃层，双面氧化层表面与内沟槽台面结构上形成有二氧化硅保护膜，二氧化硅保护膜、双面氧化层上位于基区、阳极区、阴极区上方光刻形成引线窗口，二氧化硅保护膜、双面氧化层上两侧边缘光刻形成划片槽，本发明实现了高浪涌、低残压、低电容兼容，产品的响应速度更快，更加适合目前通信领域的应用环境。
电容低残压大功率保护器件芯片及其制作工艺

[发明专利]一种P型黑硅双面电池的制备方法-CN201710207304.9有效
发明人：张范;郑霈霆;张昕宇;许佳平;孙海杰;郭瑶 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请公开了一种P型黑硅双面电池的制备方法，包括在硅片的双面制绒；进行正面黑硅制绒、正面P型扩散并制作正面掩膜；去除所述硅片背面的PSG，并进行背面黑硅制绒；在所述硅片的背面制作背场及减反射膜，并制作正面减反射膜；在所述硅片的双面印刷电极。本申请提供的上述P型黑硅双面电池的制备方法，能够提高电池短波响应和光电流，增加电池转换效率，且能够提高电池良品率。
一种型黑硅双面电池制备方法

[发明专利]一种大尺寸硅片双面抛光方法-CN202110286017.8在审
发明人：祝斌;武卫;刘建伟;刘园;刘姣龙;裴坤羽;杨春雪;由佰玲;孙晨光;王彦君;常雪岩;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸硅片双面抛光方法，步骤包括：控制置于硅片上方的压盘压力，并选择相应粒径的粗抛液对所述硅片双面进行粗抛；再调整所述压盘压力，并选择相应粒径的精抛液对所述硅片双面进行精抛；所述粗抛液或所述精抛液经同一主管道通过所述压盘流至设于所述硅片双侧的上抛垫和下抛垫本发明依次对硅片经过粗抛、精抛之后，再在硅片双面进行水膜处理，即可以完全清除硅片表面的黏着剂，清洗效果好；亦可获得0.5μm以内的平坦度。
一种尺寸硅片双面抛光方法

[发明专利]静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法-CN202310412015.8有效
发明人：张舸 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B24B37/28 文献下载
摘要：本公开涉及静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法，该静压支撑件用于在硅片的双面研磨中通过提供至硅片的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片，该静压支撑件包括相对设置的两个静压板，两个静压板的表面均设置有第一孔，以用于在研磨时向置于两个静压板之间的硅片的相反两面提供流体，并且两个静压板中的用于在研磨完成时吸附硅片的一者的表面还设置有第二孔，第二孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。根据该静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法，避免了因碎屑附着到静压板上导致硅片吸附于该静压板时在其表面上产生印记甚至划痕的问题。
静压支撑双面研磨装置方法

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