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[发明专利]一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置-CN202210175725.9有效
发明人： 程万坡;张兴杰;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明属于电子元件生产领域，尤其是一种可检测击穿电压的双极型晶体管制造装置，针对现有的双极型晶体管在生产过程中，没有设置相关的击穿检测装置，还需人工进行检测，比较浪费时间，使得生产效率低下的问题，现提出如下方案，其包括底座，所述底座的顶部固定安装有安装架，且安装架的顶部固定安装有放置罩，所述放置罩内设有晶体管，所述安装架的顶部内壁上对称固定安装有插接组件，且插接组件的数量为两个，本发明通过对晶体管进行卡装定位，之后可对晶体管进行正向和反向电流测试，以此能够对晶体管进行性能测试和逆向击穿测试，因此相较于传统的检测方式，本技术方案具有良好的方便性，因此能够提高晶体管的生产效率。
一种检测击穿电压双极型晶体管制造装置

[发明专利]微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺-CN202110813137.9有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺，包括以下步骤：在N型单晶硅片的背面扩散一层浓磷；在高温下进行浓磷再扩散，形成器件内二极管的阴极区和三极管的集电区；在硅片正面进行液态硼源扩散，形成一定深度的二极管补硼区；通过离子注入硼对三极管的基区进行掺杂；通过正面液态硼源扩散在正面形成晶闸管的短基区以及三极管的基区补硼区；在三极管基区上通过离子注入磷形成三极管的发射区；正面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；通过LPCVD在表面沉积一层多晶硅；光刻刻出引线孔；正、背面金属化后，得到芯片；本发明制得的芯片具有小型化、防浪涌能力高、成本低、可靠性高等优点。
微型可编程浪涌防护器件及其制作工艺

[发明专利]一种贴片式二极管的加工装置-CN202011346894.1有效
发明人： 程万坡 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明属于二极管的加工设备技术领域，尤其为一种贴片式二极管的加工装置，包括底座，所述底座的顶部对称固定有四个支撑柱，所述底座的上方设置有顶板，所述支撑柱的顶部均与顶板的底部固定连接，所述顶板的底部固定有伺服电机，所述伺服电机的输出轴固定有切割盘，所述顶板的顶部固定有吸风机，所述吸风机的吸风端固定有吸风管。本发明通过设置围板、双向丝杆、步进电机、竖块和夹板，可以较为方便的将贴片式二极管夹持固定住，通过设置伺服电机，可以带动切割盘转动，通过设置电动推杆，可以带动围板在竖直方向上移动，从而可以实现将贴片式二极管多余的引脚切掉，与传统人工手持刀具切割相比，省时省力，效率较高。
一种贴片式二极管加工装置

[发明专利]低电容低残压大功率过压保护器件芯片及其制作工艺-CN202110471933.9有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容低残压大功率过压保护器件芯片，包括N型单晶硅片，N型单晶硅片的两侧形成有穿通区及触发区，N型单晶硅片的双面形成有基区，N型单晶硅片双面的基区形成阴极区，N型单晶硅片双面形成有双面氧化层，双面氧化层上位于阳极区与穿通区之间处形成内沟槽台面，内沟槽台面处填充有玻璃层，双面氧化层表面与内沟槽台面结构上形成有二氧化硅保护膜，二氧化硅保护膜、双面氧化层上位于基区、阳极区、阴极区上方光刻形成引线窗口，二氧化硅保护膜、双面氧化层上两侧边缘光刻形成划片槽，本发明实现了高浪涌、低残压、低电容兼容，产品的响应速度更快，更加适合目前通信领域的应用环境。
电容低残压大功率保护器件芯片及其制作工艺

[发明专利]一种防污染便于注液的肖特基二极管制造蚀刻装置-CN202210175715.5有效
发明人：张兴杰;程万坡;卜正林 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于蚀刻装置领域，尤其是一种防污染便于注液的肖特基二极管制造蚀刻装置，针对现有的蚀刻装置在使用时，液体没有进行完全的收集容易造成污染，也不便于对需要蚀刻的二极管进行注液，会造成液体的浪费问题，现提出如下方案，其包括框体，所述框体上转动连接有盖板，所述框体的内壁上固定安装有过滤网，所述盖板的底部滑动连接有对称设置的滑动架，所述滑动架的数量为两个，两个滑动架相互靠近的一侧固定安装有对称设置的轨道杆，本发明通过在盖板上调节喷枪的位置，就可方便喷头喷射液体对过滤网上的二极管进行蚀刻，调整好外壳的位置后还可自动的对外壳的位置进行定位，大大增加了喷枪在使用时的稳定性。
一种污染便于肖特基二极管制造蚀刻装置

[发明专利]一种基于FOPLP先进封装的可控硅器件-CN202210175490.3在审
发明人：张兴杰;程万坡;钦彪 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FOPLP先进封装的可控硅器件，包括连接收纳机构、稳定安置机构、封装加固机构和夹层保护机构，所述连接收纳机构的顶端设置有稳定安置机构，且稳定安置机构的上方设置有封装加固机构，所述封装加固机构的内部四周设置有夹层保护机构。该基于FOPLP先进封装的可控硅器件检修机构外部结构示意图，在此可控硅器件完成封装进入储存或使用时，可将搭载轴进行旋转，同时带动其一侧外壁固定连接的三组引脚，进行旋转，让三组引脚在旋转翻折过程中进入底座底面所开设的收纳槽内，完成引脚的回收，完成未安装使用情况下其引脚的收纳，防止在此可控硅安装前或移动中出现引脚损坏影响正常的使用，起到保护作用。
一种基于 foplp 先进封装可控硅器件

[发明专利]一种可自动顶模的双极型晶体管制造用注料设备-CN202210104684.4在审
发明人： 程万坡 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： B29C43/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自动顶模的双极型晶体管制造用注料设备，属于注料设备技术领域，启动驱动电机带动下调节螺杆和上调节螺杆转动，使其调节转盘调节下升降连接架向上移动，使其顶出板插入至顶模具内，通过下调节螺杆的转动还带动调节转盘运动调节铰接杆推动推动杆运动，通过推动杆调节联动板运动，使其加液管运动位于顶模具上方，启动水泵使其原料通过布液板、出液管和导液软管导入至顶模具内。
一种自动双极型晶体管制造用注料设备

[发明专利]一种双极型晶体管制造用高切换速度的封焊装置-CN202210175492.2在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极型晶体管制造用高切换速度的封焊装置，属于封焊装置技术领域，散热扇安装在出气口中间处，限位座底中部安装有驱动转盘组件，限位支撑立柱中上段一侧安装有气缸封焊组件，转动好后通过启动气缸推动封焊组件和红外线扫描件向下移动对另一侧进行扫描和封焊，封焊结束后启动第二驱动电机带动第一转动杆、限位套和齿轮沿着齿牙进行移动带动第二电动伸缩杆和升降推料板进行升降和推料，封焊好后的双极型晶体管通过下料板和下料槽进行下料，从而避免在封焊时热量过高会导致封焊件的使用寿命较短，更换成本较高的问题；晶体管在生产过程中便于上下料，可以进行转动调节角度进行封焊；晶体管在封焊结束后可以进行自动下料。
一种双极型晶体管制造切换速度装置

[发明专利]内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺-CN202110423298.7在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种内沟槽台面工艺触发二极管芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上通过低温液态源扩散或离子注入方式掺杂一层淡磷；在高温下进行磷再扩散，在淡磷上进行双面浓磷扩散；在淡磷上进行双面局部补硼扩散；在双面进行硅腐蚀，形成内沟槽；在双面沟槽内填充一层玻璃层形成终端保护；双面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。本发明采用的内沟槽钝化保护结构相比常规外沟槽结构有更高的可靠性，产品不易失效与产生漏电，规避了芯片划片、封装等带来的可靠性风险。
沟槽台面工艺触发二极管芯片制作

[发明专利]高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺-CN202110423467.7在审
发明人：张兴杰;程万坡;卜程德;王荣元 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温度特性门极灵敏型触发可控硅芯片的制作工艺，包括以下步骤：在单晶硅片上生长一层氧化层，在芯片边缘进行对通隔离扩散，再进行背面阳极区及正面短基区P扩散；在正面短基区P上进行磷扩散；在正面进行局部腐蚀，形成深沟槽；在正面门极与阴极交界处附近进行腐蚀，形成浅沟槽；在表面及沟槽内沉积一层SIPOS，作为PN结最底层的钝化层；在沟槽内、SIPOS上填充一层玻璃层作为最终的保护钝化层；通过LPCVD方法在表面生长一层氧化层作为引线孔光刻的过渡层；在正面、背面光刻出引线窗口，同时在边缘开出划片槽；正、背面金属化后，得到芯片。通过提高门极灵敏型触发可控硅的温度特性，来提高产品使用的最高结温，提升产品的高温适应性能。
温度特性灵敏触发可控硅芯片制作工艺

[发明专利]一种微型二极管引线加工模具-CN202011341261.1在审
发明人： 程万坡 -专利权人：江苏韦达半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本发明属于加工模具技术领域，尤其为一种微型二极管引线加工模具，包括模具主体，所述模具主体的顶部表面固定连接有T型块，所述T型块的内壁通过轴承转动连接有双向螺纹杆，所述双向螺纹杆的表面螺纹连接有螺纹块，所述螺纹块的一侧固定连接有滑块，所述螺纹块的顶部固定连接有连接块，所述连接块的顶部固定连接有夹持件，所述模具主体的顶部固定连接有安装板。本发明通过手动转动转把带动双向螺纹杆转动，通过双向螺纹杆带动两个螺纹块移动，通过螺纹块的顶部连接连接块进而带动连接块顶部的夹持件前后移动，利用夹持件对微型二极管进行夹持固定，通过该结构，有效节省操作人员的工作效率，操作更加方便快捷。
一种微型二极管引线加工模具

[发明专利]一种P型GaAs基半导体发光二极管的制造方法-CN201410038697.1在审
发明人：周明;申云;程万坡;张兴杰 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型GaAs基半导体发光二极管的制造方法，包括形成GaAs衬底，以及在GaAs衬底上沉积p型接触层、有源层、n型电子阻挡层、n型过渡层和n型接触层；其中形成GaAs衬底的方法包括如下步骤：在常温常压下，将GaAs晶片放入高温高压装置中；对GaAs晶片加热的同时加压，加热温度为860～890℃，加压压力为5.0～5.5GPa，保持10～15分钟；停止加热，使GaAs晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaAs晶片恢复至常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaAs晶片。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。
一种 gaas 半导体发光二极管制造方法

[实用新型]一种快恢复二极管芯片-CN201220428448.X有效
发明人：周明;程万坡;穆连和;张兴杰 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种快恢复二极管芯片，涉及半导体器件的制造技术领域，包括N++结构层，在所述N++结构层的背面设置背面镀膜层，在N++结构层的正面设置N+结构层，在N+结构层的正面设置N-结构层，在N-结构层的正面设置P结构层，在P结构层的正面设置正面镀膜层；在正面镀膜层的两侧设置SiO2层，在P结构层的两侧和N-结构层两侧的局部设置台面，在所述台面的外表面设置玻璃钝化层；所述SiO2层与相应的所述玻璃钝化层相连续。本实用新型可以通过两次磷扩散和一次硼扩散的工艺方法，提高产品的反向恢复特性，使产品的反向恢复时间减小，反向恢复软度大大提高，以进一步提高产品质量，满足用户的需求，扩大产品的使用范围。
一种恢复二极管芯片

[发明专利]一种快恢复二极管芯片的制备方法-CN201210308248.5无效
发明人：周明;程万坡;穆连和;张兴杰 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种快恢复二极管芯片制备方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本发明中包括如下工艺步骤：硅片清洗、氧化、一次扩散、二次清洗、二次扩散、三次清洗、三次扩散、氧化、背面半导体复合中心杂质引入、一次光刻、台面成型、玻璃钝化、二次光刻、正面镀膜、三次光刻、背面镀膜，最后划成独立的芯片。本发明产品的击穿电压可以根据用户的要求进行调节；产品的反向恢复软度因子大，反向恢复时间小。
一种恢复二极管芯片制备方法

[发明专利]硅平面半导体器件的玻璃钝化方法-CN200910182406.5有效
发明人： 程万坡;周明;顾理健 -专利权人：南通明芯微电子有限公司
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：硅平面半导体器件的玻璃钝化方法，涉及一种半导体器件的玻璃钝化工艺，特别是硅平面半导体器件的表面PN结玻璃钝化工艺。本发明将玻璃粉和光刻胶混合后涂敷在硅片的每一个芯片表面，利用光刻的方法去除不必要的玻璃粉和光刻胶，再经过去胶，将留在硅片表面的光刻胶去除，在PN结部位留下玻璃粉，并在高温下烧结以形成玻璃钝化保护膜。本发明生产工艺过程所用的设备完全可采用通常的台面半导体器件的生产设备，省去了昂贵的CVD专用设备的投资，降低了生产成本，工艺操作简单，易于实施，实现了对平面半导体器件的表面PN结保护。
平面半导体器件玻璃钝化方法

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