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[发明专利]一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法-CN202111622589.5有效
发明人：陈凡;张鹏举;郭超超 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅料处理装置、硅棒生产设备和硅料处理方法。硅料处理装置包括：进料组件，用于传输硅料，所述进料组件包括沿传输方向依次设置的上料区、扫描区和装料区，其中，待传输的硅料在所述上料区添加至所述进料组件；扫描组件，对应所述扫描区设置，所述扫描组件用于采集位于所述扫描区的硅料的硅料信息，所述硅料信息包括硅料的形状特征和尺寸特征中的一项或多项；控制器，与所述扫描组件连接，所述控制器用于根据所述硅料信息生成装料策略；装料组件，对应所述装料区设置，所述装料组件用于根据所述装料策略将位于所述装料区的硅料移动至目标位置。本发明实施例而能够更加稳定的实现硅液的供给，降低了拉晶工序中，硅棒断线的可能性。
一种处理装置生产设备方法

[发明专利]测量单晶硅中元素含量的方法及装置-CN202010776364.4有效
发明人：衡鹏;徐鹏;李阳 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量单晶硅中元素含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅中元素含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素且所述保护膜的熔点低于所述单晶硅样品的熔点；对所述单晶硅样品块进行第一阶段的煅烧，使得所述保护膜完全挥发，所述第一阶段的煅烧温度低于所述单晶硅样品块的熔点；对所述单晶硅样品块进行第二阶段的煅烧，使得所述单晶硅样品块熔化，并对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧，氮，氢含量。本发明能够有效提高单晶硅中元素含量的检测准确性。
测量单晶硅元素含量方法装置

[发明专利]外延生长方法-CN202211612866.9在审
发明人：梁鹏欢;王力 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本公开提供一种外延生长方法，所述方法包括如下步骤：将硅片加载至基座上；调节上加热组件和下加热组件的工作参数，以调节反应腔室的温场，使反应腔室达到预定工艺温度，且硅片与所述基座的温差在预定阈值内；向反应腔室供给硅源气体，以在硅片表面成长形成外延层。本公开提供的外延生长方法可抑制硅片外延生长时支撑销杆污染印记的产生，工艺简单、重复性高。
外延生长方法

[发明专利]外延处理期间承载硅片的基座及硅片的外延的设备和方法-CN202310304245.2在审
发明人：梁鹏欢 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于外延处理期间承载硅片的基座及用于硅片的外延的设备和方法，所述基座包括：本体；涂覆于所述本体的多晶硅层，以使得所述硅片承载于所述基座时与所述多晶硅层接触。根据本发明的基座避免了接受外延处理的硅片的温度不均匀问题，能够使受温度影响的外延层的厚度在整个硅片上更加均匀。
外延处理期间承载硅片基座设备方法

[发明专利]一种搬运控制方法、装置、设备及介质-CN202310185915.3在审
发明人：李乐杰;唐昊;刘永亮;范东方 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种搬运控制方法、装置、设备及介质，该方法通过响应于目标设备发送的工艺结束信号，向执行制造系统转发该工艺结束信息，然后获取执行制造系统返回的工艺结束数据完成信息，以及获取目标设备发送的搬运请求。当收到搬运请求以及工艺结束数据完成信息后，将搬运请求发送至搬送控制系统，以使该搬送控制系统根据该搬运请求进行物料搬运。如此，通过和执行制造系统进行交互，确定工艺已完成。当收到搬运请求以及工艺结束数据完成信息后，才将搬运请求发送至搬送控制系统，避免搬运时可能存在工艺未完成的情况，从而提高设备的稼动率，提高搬运控制的效率。
一种搬运控制方法装置设备介质

[发明专利]一种晶圆位置的检测方法、装置及介质-CN202211582243.1在审
发明人：李昊;刘永亮;胡斌 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆位置的检测方法、装置及介质；该方法包括：基于晶圆周缘，在晶圆的多个设定径向方向上选取对应的测量点组；其中，每组测量点包括：在所述晶圆的参考周缘外侧针对承载盘本体表面的第一测量点以及在所述晶圆的参考周缘内侧针对晶圆表面的第二测量点；检测每组测量点中的第一测量点与第二测量点之间的高度差值；根据每组测量点的高度差值确定晶圆是否准确放置在承载盘本体的保持孔内。
一种位置检测方法装置介质

[发明专利]水平度调整装置、抛光设备及水平度调整方法-CN202111635560.0有效
发明人：李昀泽 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种水平度调整装置、抛光设备及水平度调整方法，该装置包括：用于检测抛光头水平偏移量的检测单元；在竖直方向上升降抛光头及驱动抛光头水平面内旋转的驱动单元，包括与抛光头相对且间隔设置的固定盘、及驱动固定盘升降及旋转的驱动组件；用于调节抛光头水平度的调节单元，包括设置于固定盘与抛光头之间的多个调节组件，多个调节组件的位置分布在抛光头不同区域，每个调节组件能够调节抛光头与固定盘之间在竖直方向上的相对距离；中央处理器，用于根据水平偏移量，确定各调节组件的调节补偿量，并控制各调节单元根据调节补偿量调节相对距离。本公开提供的水平度调整装置、抛光设备及水平度调整方法，可实现抛光头水平度自动调整。
水平调整装置抛光设备方法

[发明专利]为切割硅棒的多条切割线供应砂浆的装置及硅棒切割设备-CN202110908833.8有效
发明人：郭宇轩 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于为切割硅棒的多条切割线供应砂浆的装置及用于切割硅棒的设备，所述装置包括：管道，所述管道形成有沿着所述管道的纵向方向延伸的缝隙，其中，所述多条切割线垂直于硅棒的纵向轴线并且沿着所述纵向轴线的方向排列，以通过沿着延伸方向运动将硅棒切割成圆形硅片，其中，所述缝隙面对所述多条切割线，以使流通至管道中的砂浆经由缝隙供应至所述多条切割线并随所述多条切割线一起运动至硅棒；沿着缝隙的长度方向排列的多个缝隙遮盖件，每个缝隙遮盖件以能够沿着缝隙的宽度方向移动以便不同程度地遮盖缝隙的方式设置在管道上，使得从缝隙中设置有缝隙遮盖件的位置处供应的砂浆的流量能够得到调整。
切割供应砂浆装置设备

[发明专利]晶棒线切割装置和晶棒线切割方法-CN202110891837.X有效
发明人：严涛 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒线切割装置，包括：切割结构，包括相对设置的两个导线轮，绕设于两个所述导线轮之间的多条切割线，所述切割线在晶棒上的正投影为切割位置；晶棒固定结构，包括沿着第一方向间隔设置的多个固定部，所述固定部在晶棒上的正投影位于相邻两个所述切割位置之间，所述第一方向为晶棒的延伸方向；第一移动结构，用于控制所述切割结构和/或所述晶棒固定结构移动，以使得所述切割结构和所述晶棒固定结构相向移动、以对晶棒进行切割形成多个硅片；第二移动结构，用于控制多个所述固定部沿着所述第一方向移动，以使得相邻两个所述硅片之间的距离大于预设值。本发明还涉及一种晶棒线切割方法。
晶棒线切割装置方法

[发明专利]一种用于硅片的真空包装设备及方法-CN202110712996.9有效
发明人：吕天爽 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B65B31/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于硅片的真空包装设备及方法，所述设备包括：内置在外壳顶部的送风装置，所述送风装置用于过滤外界空气，并将过滤后的洁净空气传送至设备内部，以及利用所述洁净空气产生的气流驱动所述设备内部的颗粒向下运动；设置在隔板上的多个第一排出孔以及设置在所述外壳底部位置的多个第二排出孔，其中，所述多个第一排出孔和所述多个第二排出孔用于将所述设备内部的颗粒排出至所述设备底部；设置在所述设备外部的排气装置，所述排气装置通过第一排出管路与所述第二排出孔相连接，其中，所述排气装置用于将所述设备底部的颗粒排出至所述设备外部。
一种用于硅片真空包装设备方法

[发明专利]基座支撑结构和外延生长装置-CN202111587730.2有效
发明人：俎世琦;金柱炫 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基座支撑结构，用于支撑外延生长装置中的基座，所述基座支撑结构包括主支撑轴，和由所述主支撑轴向外延伸的多个支撑臂，所述主支撑轴沿其延伸方向包括第一部分和第二部分，多个所述支撑臂设置于所述第一部分上，所述第一部分的重量小于所述第二部分的重量。本发明还涉及一种外延生长装置。将所述主支撑轴沿其延伸方向划分为第一部分和第二部分，第一部分上设置有多个支撑臂，在支撑基座时，所述第一部分靠近所述基座设置，本发明实施例中，所述第一部分的重量小于所述第二部分的重量，从而将主支撑轴的中心下移，从而改善在转动过程中容易出现偏移的问题。
基座支撑结构外延生长装置

[发明专利]抛光系统-CN202211664528.X在审
发明人：马科宁 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光系统，包括：抛光设备，抛光设备包括抛光机构与搬运机构；转运机构，转运机构可拆卸地设置于抛光设备，转运机构用于转运容纳槽，搬运机构用于搬运转运机构上的容纳槽至抛光设备的卸载部，且搬运机构用于搬运放置于卸载部的容纳槽至清洗设备。通过转运机构将清洗机异常的抛光设备所抛光的硅片转运到抛光设备位置，通过搬运机构搬运转运机构的容纳槽至抛光设备的卸载部，通过搬运机构搬运放置于卸载部的容纳槽至清洗设备，使得清洗机异常的抛光设备所抛光的硅片转运到正常的清洗设备进行清洗，使得硅片尽快清洗，使清洗机异常的抛光设备可以正常生产，保证硅片的加工质量与效率，避免由于清洗机异常导致的生产产能降低。
抛光系统

[发明专利]一种用于降低双面抛光设备碎片风险的检测装置和方法-CN202211713649.9在审
发明人：吴金隆 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于降低双面抛光设备碎片风险的检测装置和方法，检测装置包括：用于支承检测装置的其他单元的固定柱；沿竖直方向相互平行地布置的至少一个硅片固定单元，至少一个硅片固定单元中的一个硅片固定单元用于承载一个硅片；应力施加单元，应力施加单元用于向硅片固定单元施加大小可调节的挤压力，挤压力通过硅片固定单元传递至硅片以使得硅片发生形变，应力施加单元经配置成能够重复向硅片固定单元施加挤压力然后减压直至硅片不受力的过程至少两次；检测单元，检测单元用于检测硅片表面是否出现裂纹或者碎片。通过筛选出不满足形变要求的硅片，降低在双面抛光过程中的碎片风险。
一种用于降低双面抛光设备碎片风险检测装置方法

[发明专利]一种用于晶片断面刻蚀的装置、设备和方法-CN202310192438.3在审
发明人：刘倩 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于晶片断面刻蚀的装置、设备和方法，该装置用作晶片断面刻蚀的载具，其包括承载模块和夹紧模块，其中，承载模块包括构造成完整半圆形的承载件，承载件内表面上等距地设置有多个直立的间隔片，相邻间隔片之间形成有多个卡槽，晶片以插入卡槽的方式装配至承载件，卡槽底部设置有供刻蚀液通过的孔洞；夹紧模块以可拆卸的方式固定至承载件，夹紧模块包括第一夹板和第二夹板，夹紧模块经构造成：第一夹板和第二夹板均以可拆卸的方式固定至卡槽，第一夹板和第二夹板以分别抵接晶片的两个表面的方式将晶片固定在承载件中。通过该装置能够满足多种形状的晶片承载需求，从而保证后续缺陷检测、品质检测顺利进行。
一种用于晶片断面刻蚀装置设备方法

[发明专利]一种用于研磨硅片的设备和方法-CN202211602027.9在审
发明人：陈光林 -专利权人： 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于研磨硅片的设备和方法，所述设备包括：研磨垫；加压机构，所述加压机构用于利用所述研磨垫将所述硅片夹持成处于被夹持状态，在所述被夹持状态下，所述硅片相对于在接受常规研磨时所处于的被夹紧状态产生弹性回复，在所述被夹紧状态下，所述硅片产生翘曲度减小的弹性变形；驱动机构，所述驱动机构用于使所述硅片和所述研磨垫之间产生相对运动以对被所述研磨垫夹持成处于所述被夹持状态下的所述硅片进行研磨。
一种用于研磨硅片设备方法

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