“赵厚莹”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体晶盒清洗干燥储存一体化方法及设备-CN201610850773.8有效
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶盒清洗干燥储存一体化方法及设备，该设备包括：控制模块、晶盒装载单元、晶盒清洗单元、晶盒真空干燥单元、晶盒储存单元、晶盒卸载单元、晶盒载具以及所述晶盒载具的输运装置；该方法采用晶盒载具装载晶盒；将晶盒连同晶盒载具一起进行超声波或兆声波清洗；将清洗后的晶盒连同晶盒载具一起进行真空干燥；将真空干燥后的晶盒连同晶盒载具一起储存；将储存的晶盒连同晶盒载具一起取出，并将晶盒从晶盒载具中卸载。本发明可实现半导体晶盒的清洗、干燥、储存一体化，提高了晶盒的清洗干燥的效率和质量，节约了时间成本。
一种半导体清洗干燥储存一体化方法设备

[发明专利]一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法-CN201710641819.X有效
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆最终抛光后的清洗方法，该清洗方法包括：使用聚合物清洗液去除最终抛光后的晶圆上残留的聚合物；使用包括氧化试剂的清洗液清洗所述晶圆；使用酸性清洗液清洗所述晶圆；使用包括氧化试剂的清洗液再次清洗所述晶圆。该清洗方法可以避免抛光液中的聚合物与SC1发生脱水缩合反应，而产生会附着在晶圆上的、在整个清洗过程无法再去除的派生物，从而改善了清洗工艺的颗粒表现。
一种半导体最终抛光清洗方法

[发明专利]一种用于晶圆的目视检测机及检测方法-CN201710600948.4有效
发明人：孙瑞;何昆哲;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于晶圆的目视检测机及检测方法。所述目视检测机包括：载台，用于支撑待测晶圆；机械手臂，设置于所述载台的两侧，用于抓取所述待测晶圆；其中，所述机械手臂绕第一轴向、第二轴向和第三轴向转动设置，所述第一轴向和所述第二轴向的延伸方向为水平面上的两个相互垂直的方向，所述第三轴向的延伸方向为垂直于所述水平面的竖直方向。根据本发明的目视检测机及检测方法，所述机械手臂通过不同的点以及轨道来实现绕三个不同的方向，例如X轴，Y轴，Z轴转动。通过所述转动进行两次抓取不同位置来实现晶圆无盲区，全部区域都可被检测，解决了目前目检机存在死角无法全面检测的问题，进一步提高了检测精度和准确度。
一种用于目视检测方法

[发明专利]晶盒清洗设备-CN201610596315.6有效
发明人：张汝京;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶盒清洗设备，包括：清洗室和晶盒放置架，所述清洗室内设有喷淋装置，所述晶盒放置架设置在所述清洗室内，所述晶盒放置架包含旋转轴、晶盒体固定装置和晶盒盖固定装置，所述晶盒体固定装置和所述晶盒盖固定装置设置在所述旋转轴上。本发明提供的晶盒清洗设备，将晶盒体放置在晶盒体固定装置上以及将晶盒盖放置在晶盒盖固定装置上，通过喷淋装置对晶盒进行清洗，从而实现充分清洗，当晶盒放置架旋转进行甩干时，清洗溶液会被甩出，提高了清洗晶盒的效率并降低了清洗晶盒的成本。
清洗设备

[发明专利]一种晶圆片架的取放片装置-CN201610588892.0有效
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆片架的取放片装置，包括：固定器模块、控制模块和机械手臂，所述控制模块控制所述固定器模块的每一个定位槽的上升和下降，使定位槽从原位上升，卡持晶圆片架中对应的晶圆，并将对应的晶圆推送出所述晶圆片架，或使已上升的定位槽下降回原位，所述机械手臂根据所述控制模块的控制抓取或放回被所述定位槽推送出晶圆片架的晶圆。本发明的晶圆片架的取放片装置通过固定器模块将需要取出的晶圆从晶圆片架中推出，并可通过控制模块根据设定顺序取片，这样在取放片时机械手臂无阻挡，可避免传统取放片时机械手臂在多片晶圆间隙之间进行操作而造成的晶圆损伤，从而可提高生产良率。
一种晶圆片架取放片装置

[发明专利]一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法-CN201710639489.0在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法，该最终抛光机包括：至少两个抛光台，以及氧化液溢流槽，所述氧化液溢流槽配置为使用包括氧化剂的清洗液对晶圆进行溢流式清洗。使用该最终抛光机不仅可以继续使用脱机清洗方式，以降低成本，而且最终抛光与脱机清洗之间的等待时间可以相对较长，提高了清洗操作的灵活性和便利性。该最终抛光及清洗方法具有类似优点。
清洗最终抛光抛光机半导体晶圆氧化液溢流槽脱机氧化剂清洗操作便利性抛光台清洗液晶圆配置

[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法-CN201710639479.7在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的清洗方法，包括：对晶圆执行第一清洗，以使所述晶圆的电动电势转变为正值；使用酸性清洗液清洗所述晶圆，以去除所述晶圆上残留的金属；对所述晶圆执行第二清洗，且在所述第二清洗过程中，所述晶圆进入漂洗槽的初期，漂洗槽里的液体电动电势为正值，并在第二清洗完成后所述晶圆的电动电势转变为负值。该清洗方法可以避免由于晶圆表面的电动电位与后续溶液里微粒的动电位有相反的情况存在，而导致微粒重新附着在晶圆表面的问题，提高了清洗效果。
晶圆清洗电动电势半导体晶圆晶圆表面漂洗槽酸性清洗液电动电位清洗过程清洗效果重新附着动电位去除残留金属

[发明专利]晶圆表面平坦化方法-CN201710261391.6在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化方法，包括以下步骤：1）提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2）在所述晶圆的第一表面形成第一固化平坦层；3）对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4）去除所述第一固化平坦层；5）在所述晶圆研磨处理后的第二表面形成第二固化平坦层；6）对所述晶圆的第一表面进行研磨处理；7）去除所述第二固化平坦层。本发明的晶圆平坦化方法可以彻底消除晶圆表面的表面纳米形貌，具有工艺步骤简单、易于操作、效率较高等优点。
晶圆平坦层固化第二表面第一表面研磨处理平坦化晶圆表面去除形貌表面纳米工艺步骤圆表面种晶

[发明专利]晶圆表面平坦化方法-CN201710262317.6在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆表面平坦化方法，包括以下步骤：1）提供一晶圆，所述晶圆包括相对的第一表面及第二表面；2）在所述晶圆的第一表面形成固化平坦层；3）对所述晶圆的第二表面进行研磨处理；4）对所述固化平坦层及所述晶圆的第一表面进行研磨处理，以去除所述固化平坦层，并将所述晶圆的第一表面平坦化。本发明的晶圆平坦化方法可以彻底消除晶圆表面的表面纳米形貌，具有工艺步骤简单、易于操作、效率较高等优点。
晶圆第一表面平坦化平坦层固化第二表面晶圆表面研磨处理形貌表面纳米工艺步骤圆表面去除种晶

[发明专利]硅片的制作方法-CN201710068794.9在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的制作方法，其包括以下步骤：提供一硅片；对硅片的第一面和第二面同时进行磨削，硅片的第一面和第二面均形成由边缘至中心逐渐增厚的形貌；将所述硅片吸附于一吸盘装置，所述硅片的第二面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第一面进行研磨；将所述硅片翻转并吸附于所述吸盘装置，所述硅片的第一面与所述吸盘装置接触，对所述硅片的第二面进行研磨，形成碗状结构的硅片；对硅片的第一面和第二面同时进行平坦化；在硅片的第一面或第二面上外延生长外延层。本发明解决了传统工艺在硅片上生长外延层时，得到的硅片中间凸起或者凹陷的问题，同时消除了切割硅片时产生的波纹状纳米形貌，而且较现有技术有更好的局部与整体平坦度。
硅片第二面吸盘装置研磨外延层吸附形貌传统工艺硅片翻转纳米形貌外延生长碗状结构中间凸起逐渐增厚波纹状平坦度平坦化凹陷磨削制作切割生长

[实用新型]硅片研磨和清洗装置-CN201721880326.3有效
发明人：何昆哲;华波;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅片研磨和清洗装置，包括双面研磨部件、清洗蚀刻部件及边缘研磨部件。所述双面研磨部件包括双面研磨砂轮，所述双面研磨砂轮用于对硅片的两个相对设置的表面进行双面研磨；所述清洗蚀刻部件用于对经过双面研磨的硅片进行清洗蚀刻；所述边缘研磨部件包括边缘砂轮和工作台，所述边缘砂轮位于所述工作台的侧面，所述工作台用于承载经过清洗蚀刻的硅片，所述边缘砂轮用于对位于工作台上的硅片的边缘进行研磨。本实用新型提供的硅片研磨和清洗装置可完成对硅片依次进行双面研磨、清洗蚀刻以及边缘研磨的工艺，在双面研磨和边缘研磨之间对硅片进行清洗蚀刻，可以提高研磨工艺的合格率。
双面研磨硅片砂轮清洗蚀刻边缘研磨硅片研磨清洗装置工作台本实用新型蚀刻部件研磨相对设置合格率承载侧面

[发明专利]一种半导体晶片湿法清洗设备-CN201610971358.8在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片湿法清洗设备，包括：两列洗涤槽、缓冲槽、搬送机构以及控制模块；其中，所述两列洗涤槽平行放置，根据所述控制模块的控制进行晶片的湿法清洗操作；所述缓冲槽位于所述两列洗涤槽之间，作为洗涤槽之间传送晶片的缓冲区，接收晶片或晶片盒滴落的液体；所述搬送机构根据所述控制模块的控制搬送晶片或晶片盒至指定洗涤槽或在所述缓冲槽停留等待。本发明的半导体晶片湿法清洗设备解决了现有技术中多个菜单之间切换面临的问题，可实现多个菜单同时进行清洗，使设备得到了高效的利用，可有效节约资源，降低了生产成本。
一种半导体晶片湿法清洗设备

[发明专利]半导体晶圆的抛光方法-CN201610899466.9在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的抛光方法，依次包括如下步骤S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2在所述半导体晶圆的正反两面上分别形成环形氧化层，所述环形氧化层覆盖所述半导体晶圆正反两面靠近边缘的外圆周区域；S3对所述半导体晶圆的边缘进行镜面抛光，同时去除所述环形氧化层；S4对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶圆表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光，并且在半导体晶圆边缘抛光之后，环形氧化层会被完全去除，不会对后续的抛光步骤造成影响，方法简单、经济实用。
半导体抛光方法

[发明专利]一种半导体晶圆的抛光方法-CN201610898646.5在审
发明人： 赵厚莹;李章熙 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的抛光方法，依次包括如下步骤S1同时对半导体晶圆的正反两面进行初步抛光；S2对所述半导体晶圆进行第一湿法清洗，同时在所述半导体晶圆的正反两面形成氧化层；S3对所述半导体晶圆的边缘部分进行镜面抛光；S4对所述半导体晶圆进行第二湿法清洗，同时去除覆盖在所述半导体晶圆上的氧化层；S5对所述半导体晶圆的正面或正反两面进行镜面抛光。本发明可避免半导体晶圆表面靠近边缘的区域在边缘抛光步骤中的过度抛光，并且可提高最终镜面抛光的效率和平整度，方法简单、经济实用。
一种半导体抛光方法

[发明专利]项目任务分配方法、装置、计算机设备和项目管理系统-CN201610541476.5在审
发明人： 赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明的项目任务分配方法、装置、计算机设备和项目管理系统，通过获取项目及其对应的各项目目标的信息；获取完成所述项目所需的人力组织架构信息，所述人力组织架构信息中包含人员及对应职级的信息；分解所获取的项目为树形结构的多层的元素，其中，第一层中的各元素分别对应各所述项目目标，其它层中的元素对应于为达成各所述项目目标而需完成的经一或多次分解的任务；将各所述元素对应任务的职责分配给所获取的人力组织架构信息中的人员并生成对应的职责分配信息，以供根据该职责分配信息进行项目管理；根据人力组织架构信息来进行元素对应任务的职责分配，从而避免现有技术的问题。
项目任务分配方法装置计算机设备管理系统

1
2
下一页»
尾页
共 17 条