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[发明专利]硅片判定方法及装置-CN202310699807.8在审
发明人：陈曦鹏;孙介楠;董佳佳 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N21/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片判定方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片判定方法，包括：获取待检测硅片表面的颗粒分布信息，所述颗粒分布信息包括硅片表面颗粒的数量和坐标；将所述硅片划分为多个子区域；根据所述颗粒分布信息判断所述多个子区域内包含的颗粒数量是否满足预设规则，若满足，判定所述硅片表面的颗粒具有预设图案。本发明的技术方案能够识别出表面具有单一聚集型特殊颗粒图案的硅片。
硅片判定方法装置

[发明专利]一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法-CN202310611201.4在审
发明人：靳凌翔;孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，涉及半导体加工领域。该装置包括：送料台、上料结构、下料结构以及检测结构；所述送料台设置于所述上料结构和所述下料结构之间，且所述送料台的第一端和第二端之间存在高度差；所述上料结构用于将晶圆或者晶圆盒放置于所述送料台的第一端；所述检测结构垂直于所述送料台的传输方向设置，用于检测第一晶圆相对于第一晶圆盒的位置，所述第一晶圆盒为在所述送料台上进行传输的晶圆盒，所述第一晶圆为装载于所述第一晶圆盒内的晶圆。本发明的方案解决了晶圆的化学刻蚀工序需要人工进行上了下料，并且在上下料的过程可能会发生破片，导致人员成本增加及产品良率降低的问题。
一种刻蚀装置方法

[发明专利]测量硅片径向电阻均匀性的装置及方法-CN202211613264.5在审
发明人：陈曦鹏;孙介楠;金花;朴星昱 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种测量硅片径向电阻均匀性的装置及方法；所述装置包括：能够旋转的机械臂；设置于所述机械臂上的中心探针，所述中心探针用于测量待测硅片中心处的电阻；设置于所述机械臂上的至少一个边缘探针，所述边缘探针用于测量所述待测硅片边缘处的电阻；数据处理单元，所述数据处理单元用于根据所述待测硅片中心的电阻与所述不同的边缘去除量规格分别对应的多个所述目标边缘测量点的电阻，计算获得所述不同的边缘去除量规格分别对应的所述待测硅片的径向电阻均匀性。
测量硅片径向电阻均匀装置方法

[发明专利]边缘抛光装置和边缘抛光方法-CN202211607168.X在审
发明人： 孙介楠;陈曦鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B24B9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种边缘抛光装置，包括承载待抛光件的承载面，抛光鼓和与所述抛光鼓枢接的多个连接杆，每个所述连接杆的两端分别设置有抛光垫和配重锤，所述连接杆上还设置有用于在所述抛光鼓旋转过程中自动调整所述连接杆与所述抛光鼓的外周面之间的角度的调节结构。通过所述调节结构的设置，可以在抛光过程中动态调整，提高对硅片边缘进行抛光的多个抛光垫对硅片的作用力的均匀性，避免由于抛光垫与硅片边缘之间的作用力不均匀，导致硅片边缘轮廓发生变化，甚至破片问题的发生。
边缘抛光装置方法

[发明专利]一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质-CN202211616119.2在审
发明人：陈曦鹏;孙介楠;金花;朴星昱 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01B11/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质；所述测量装置包括：光源模块，用于向待测硅片的边沿发射光束以在设定的基准板上形成第一投影；设置于所述待测硅片边沿且能够旋转的支撑模块，用于支撑所述待测硅片；其中，在所述光源模块向所述待测硅片的边沿发射所述光束后，所述支撑模块旋转设定的角度，且所述光源模块再次向所述待测硅片的边沿发射所述光束以在所述设定的基准板形成第二投影；数据处理模块，经配置为分别获取所述第一投影的直径数据及所述第二投影的直径数据，并根据所述第一投影的直径数据与所述第二投影的直径数据确定所述待测硅片完整周向的直径数据。
一种硅片直径测量方法装置计算机存储介质

[发明专利]装卸装置、方法及硅片双面抛光设备-CN202211690624.1在审
发明人： 孙介楠;王强 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种装卸装置、方法及硅片双面抛光设备，所述装卸装置包括：第一装卸机构，所述第一装卸机构用于将载具装载至所述硅片双面抛光设备以及将载具从所述硅片双面抛光设备卸载；第二装卸机构，所述第二装卸机构用于将硅片装载至装载于所述硅片双面抛光设备的载具以及将硅片从装载于所述硅片双面抛光设备的载具卸载；第三装卸机构，所述第三装卸机构用于将对所述硅片双面抛光设备的上抛光垫和下抛光垫进行修整的修整器装载至所述硅片双面抛光设备以及将修整器从所述硅片双面抛光设备卸载。
装卸装置方法硅片双面抛光设备

[发明专利]用于修复切割线的装置、线切割设备及方法-CN202211617480.7在审
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于修复切割线的装置，其特征在于，所述装置包括：清洗模块，所述清洗模块用于对线切割过程中离开线切割区域的切割线段进行清洗；修复模块，所述修复模块用于通过气相沉积的方法对清洗后的所述切割线段进行修复。
用于修复切割装置设备方法

[发明专利]硅片处理方法及装置-CN202211597468.4在审
发明人：李龙;孙介楠;马强强 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片处理方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法，包括：划伤检查步骤，用于对平坦度检查合格的硅片进行划伤检查，判断所述硅片是否存在划伤；划伤深度获取步骤，用于如果所述硅片存在划伤，获取所述硅片的划伤深度；处理步骤，用于根据所述硅片的划伤深度确定所述硅片的处理方式，所述处理方式包括以下任一项：返工双面抛光，返工单面抛光，判定为不合格硅片。本发明的技术方案能够有效的减少无用返工且提高返工效率。
硅片处理方法装置

[发明专利]双面研磨装置和双面研磨方法-CN202111597504.2有效
发明人： 孙介楠;贺云鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面研磨装置，用于对硅片的相对的两面进行研磨，包括：环状承载结构，用于沿径向从外周侧支撑硅片；相对设置的两个静压支撑件，两个静压支撑件分别位于硅片的两侧，通过流体静压，非接触支撑硅片；相对设置的两个磨轮，用于对硅片的相对的两面进行研磨，两个所述静压支撑件中包括第一静压支撑件和第二静压支撑件，所述第一静压支撑件用于吸附研磨后的硅片；还包括对所述第一静压支撑件进行清洁的清洁结构。本发明还涉及一种双面研磨方法。通过清洁结构的设置，对用于吸附硅片的静压支撑件进行清洁，避免影响晶圆的平滑度。
双面研磨装置方法

[发明专利]一种晶棒的开槽方法及晶棒开槽装置-CN202011480406.6有效
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本公开提供一种晶棒的开槽方法及晶棒开槽装置，所述晶棒的开槽方法，包括：检测晶棒的原始晶向；将晶棒除所述晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，根据所述原始晶向，确定不同子区域的开槽方向，以确定晶棒表面的开槽路线图案，其中相邻两个子区域的所述开槽方向不同；根据所述开槽路线图案，控制激光器的移动轨迹，利用激光器放出的激光束对晶棒表面熔烧，以在晶棒表面形成开槽路线激光标记；控制开槽机构的刀头按照激光标记轨迹进行开槽，以形成各子区域上的开槽；各子区域的开槽完成后，切割所述晶棒，以使各所述子区域切割后形成为单独硅块。本公开晶棒的开槽方法及晶棒开槽装置，能够提升效率，提升设备产能。
一种开槽方法装置

[实用新型]一种晶棒切割装置-CN202221516375.X有效
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶棒切割装置，所述装置包括：感测模块，所述感测模块用于感测所述晶棒被切割的部位的温度；处理器，所述处理器经配置成当所述感测模块感测的温度大于温度预设值时生成第一控制信号，当所述感测模块感测的温度小于所述温度预设值时生成第二控制信号；控制模块，所述控制模块根据所述第一控制信号和所述第二控制信号通过调节所述晶棒切割装置的工艺参数使得所述晶棒在切割过程中各个部位的温度被控制为所述温度预设值。通过上述装置在整个切割过程中使得晶棒的不同部位所能到达的切割温度一致，改善了晶片翘曲的问题。
一种切割装置

[发明专利]多线切割晶棒的方法和装置-CN202110136709.4有效
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多线切割晶棒的方法和装置；该方法可以包括：基于待加工晶棒与处于高速往复运动的切割线之间沿竖直方向的相向运动以使所述切割线与所述待加工晶棒接触并对所述待加工晶棒进行切割；在所述切割线对所述待加工晶棒进行切割过程中，控制所述待加工晶棒按照设定的旋转策略绕轴线旋转。
切割方法装置

[发明专利]一种晶棒的加工方法及晶片-CN202011478313.X有效
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本公开提供一种晶棒的加工方法及晶片，该方法包括：检测晶棒原始晶向；将除晶棒的头部和尾部之外的棒体部分在轴向方向上分为至少两个子区域，确定不同子区域的预设晶向，相邻两个子区域的预设晶向不同；在每个子区域的两端边界线处预开槽，形成围绕晶棒外周设置的多个预开凹槽；针对任一子区域，根据当前子区域的预设晶向，旋转晶棒旋转至预定角度，控制刀头下降至当前子区域一侧边界线处的预开凹槽内，沿晶棒的轴向方向向另一侧边界线处的预开凹槽移动刀头，形成当前子区域的开槽；重复上述步骤，依次形成各子区域上的开槽；沿预开凹槽沿晶棒切割晶棒，以使各子区域切割后形成为单独硅块。本公开晶棒的加工方法及晶片，能够提升效率及设备产能。
一种加工方法晶片

[发明专利]晶棒切割方法及装置-CN202210825593.X在审
发明人：陈曦鹏;孙介楠;金花;王晓豪 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶棒切割方法及装置，属于半导体技术领域。晶棒切割方法包括：调整晶棒的晶向，将调整后的晶棒通过树脂条粘结在工件板上，所述晶棒的延伸方向与所述工件板平行；利用容器罩住所述晶棒，所述容器与所述工件板之间形成容纳空间，所述晶棒位于所述容纳空间内，所述容器具有一远离所述工件板一侧的开口；通过所述开口向所述容纳空间内加入液态树脂，所述液态树脂包覆至少部分所述晶棒；对所述液态树脂进行固化，形成包覆所述晶棒的树脂块；拆除所述容器，将包覆所述晶棒的树脂块送入线切设备进行线切割，得到多个包覆有树脂的硅片，去除所述硅片上包覆的树脂。本发明能够防止硅片破片、弯曲或翘曲。
切割方法装置

[发明专利]一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备-CN202210771464.7在审
发明人： 孙介楠 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于对硅片进行抛光的抛光垫和抛光设备，抛光垫的上表面包括：与抛光垫的周向边缘相邻的第一环形区域；靠近抛光垫的中心的第二环形区域；在抛光垫的径向方向上位于所述第一环形区域与所述第二环形区域之间的第三环形区域，所述第一环形区域、所述第二环形区域和所述第三环形区域与所述抛光垫同圆心；其中，所述第三环形区域形成有沿径向方向延伸的多个直线形沟槽以及与所述多个直线形沟槽相交并且与抛光垫同圆心的多个环形沟槽，所述第一环形区域和所述第二环形区域形成有沿径向方向延伸的多个弧形沟槽，使得在抛光过程中抛光液在所述第一环形区域和所述第二环形区域上流动的速度大于在所述第三环形区域上流动的速度。
一种用于硅片进行抛光设备

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