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[发明专利]硅基OLED微显示器的对位装置及制作系统-CN201810123727.7在审
发明人：吴疆 -专利权人：上海瀚莅电子科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基OLED微显示器的对位装置，其包括硅基底、位于所述硅基底下方的掩膜板以及位于所述硅基底上方的对位镜头，所述硅基底上开设有贯穿所述硅基底的第一孔，所述掩膜板上对应开设有第二孔，且所述第一孔的尺寸大于所述第二孔的尺寸，以便所述对位镜头透过所述第一孔和第二孔，抓取到所述掩膜板上的对位标记，进而实现所述硅基底与所述掩膜板的高精度对位，而且对位精度高、设备和人员成本低、工艺简单，可简化产业化过程。
硅基掩膜板对位镜头对位装置微显示器抓取产业化过程高精度对位对位标记人员成本制作系统对位贯穿

[实用新型]一种实现大面积绝缘栅控制型器件的版图结构-CN201822023722.5有效
发明人：马克强;蒋兴莉;王思亮;胡强 -专利权人：成都森未科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别是一种实现大面积绝缘栅控制型器件的版图结构，包括绝缘层版，所述绝缘层版经过掩膜刻蚀后形成绝缘层图形，所述绝缘层版上覆盖有多晶硅版，所述多晶硅版通过掩膜刻蚀后形成多晶硅图形，所述绝缘层版下方为重掺杂N型版，所述重掺杂N型版经过掩膜刻蚀后形成重掺杂N型形貌，所述重掺杂N型形貌沿多晶硅层延伸呈条形分布。本申请通过绝缘层版将厚的绝缘层引入有源区，对有源区进行区域化的隔离，其构成的的图形可为四边形、六边形或长条形。
绝缘层重掺杂刻蚀掩膜形貌版图结构多晶硅绝缘栅控制型源区栅氧半导体制造领域多晶硅图形绝缘层图形六边形多晶硅层工艺难度掺杂N型长条形良品率区域化场氧减小申请隔离互联延伸引入覆盖制造保证

[发明专利]一种掩膜支撑装置和非接触式曝光设备-CN202310947539.7在审
发明人：薛峰;邢吉文;杨鹏;谢淑俊;陈曦;曹葵康 -专利权人：苏州天准科技股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜支撑装置和非接触式曝光设备，属于掩膜版支撑定位领域或镀铜的图形化领域，掩膜支撑装置包括掩膜基座、载台侧边定位组件、掩膜载台和掩膜版；掩膜载台包括内设气道的载台体，在载台体的中部开设掩膜窗口；在载台体的侧边开设侧气孔，用于设置气阀；在载台体的底面开设多个底面定位孔，用于设置掩膜定位销；在载台体的底面还开设一个气槽孔和一个闭环气槽，气槽孔与闭环气槽和载台体的内设气道连通，用于抽真空吸附下方的掩膜版通过本申请的掩膜支撑装置，可以快速更换掩膜版，并实现快速高精度的定位，便于在掩膜应用领域推广应用。
一种支撑装置接触曝光设备

[实用新型]一种用于半导体掩膜版磨边的装置-CN202222167324.7有效
发明人：周荣梵;林超;林伟 -专利权人：成都路维光电有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B24B9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体掩膜版磨边的装置，包括连接组件和打磨机构，连接组件包括连接机构、底座和机架，机架连接于底座上，连接机构一端连接于机架上部，另一端连接打磨机构；打磨机构包括机架本体、砂带和掩膜版装载治具，掩膜版装载治具上部设置有用于嵌入固定非常规尺寸半导体掩膜版的固定卡槽，其下部设置有通槽并固定于机架本体上方的两侧，而砂带设置于机架本体的表面并穿设于掩膜版装载治具下部的通槽，砂带通过连接机构驱动进行往复运动对固定在固定卡槽中的非常规尺寸半导体掩膜版磨边，不仅实现非常规尺寸半导体掩膜版的磨边，而且有效降低了非常规尺寸半导体掩膜版生产报废的风险，从而提高了设备稼动率。
一种用于半导体掩膜版磨边装置

[发明专利]一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法-CN201710581729.6在审
发明人：唐在峰;许进;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出一种图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，包括下列步骤对晶圆刻蚀时，利用终点监控系统，检测大块刻蚀区域硬掩膜的刻蚀终点，并实施刻蚀终点控制；对刻蚀晶圆通孔区域的硬掩膜进行断面形貌刻蚀量检测；进行晶圆通孔区域硬掩膜的总刻蚀量计算，并增加通孔区域的刻蚀量；重新进行晶圆硬掩膜和硅通孔的刻蚀，完成菜单开发。本发明提出的图像传感器3D栅极硅通孔刻蚀的方法，精确控制硅通孔的深度及形貌，达到保障器件特性，提高开发效率及保障后续量产稳定性的目的。
一种图像传感器栅极硅通孔刻蚀方法

[发明专利]一种硅基OLED微显示器的制备方法-CN202011129418.4在审
发明人：孙云翔 -专利权人：安徽熙泰智能科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基OLED微显示器的制备方法，包括：将包含有电极的硅基CMOS驱动电路的基板进行清洗并烘干；对基板进行阳极镀膜并涂覆上第一特性的光刻胶后，使用第一掩膜版对第一特性的光刻胶进行曝光显影，对基板依次进行阳极工艺后，将第一光刻胶保护层和阳极工艺中产生的正性光刻胶均去除，使得电极上存在有阳极保护层；针对包含有阳极保护层的基板执行生产相关加工工序；在基板上涂覆第二特性的光刻胶，并在涂覆完成后使用第二掩膜版进行曝光显影本发明可以制备出电极无腐蚀现象的硅基OLED微显示器。
一种 oled 显示器制备方法

[实用新型]掩膜版、光刻设备及显示面板-CN202120505010.6有效
发明人：王洁;余思慧 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示面板制造设备技术领域，提供一种掩膜版、光刻设备及显示面板，上述掩膜版包括刻蚀区和衍射区，衍射区设于刻蚀区与保留区之间，并且衍射区环绕刻蚀区设置；采用上述掩膜版对显示面板的阵列基板进行刻蚀，通过环绕刻蚀区设置衍射区，曝光光束照射至掩膜版的衍射区并形成衍射现象，使照射到阵列基板的导电过孔的孔壁的曝光光束的通光量自刻蚀区朝保留区方向逐渐变化，使阵列基板的导电过孔的孔壁被缓慢刻蚀，从而有效减小阵列基板的导电过孔的孔壁坡度，有效避免阵列基板的导电过孔的孔壁和孔底部之间的连接处产生尖角而造成导电膜层断路，有效保证显示面板的显示效果。
掩膜版光刻设备显示面板

[发明专利]一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法-CN201610979266.4在审
发明人：施维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻掩膜版和光刻掩膜版缺陷的修复方法，涉及半导体技术领域。所述修复方法包括：提供光刻掩膜版，所述光刻掩膜版包括透明基底以及形成在所述透明基底表面上的遮光图案，其中，在所述遮光图案外部的透明基底上形成有缺陷孔；在所述缺陷孔中形成透明材料。通过本发明的修复方法，在光刻掩膜版的透明基底上的缺陷孔中形成透明材料，以减小照射到缺陷孔中的入射光和照射到缺陷孔外侧的透明基底表面上的入射光之间的光程差，进而避免由于缺陷孔在晶圆上成像问题的出现，改善光刻掩膜版的质量，提高利用该光刻掩膜版成像的准确性和精度，进而提高半导体器件制备工艺的良率和形成器件的性能。
光刻掩膜版基底修复透明基底表面透明材料遮光图案入射光透明照射半导体技术领域半导体器件制备成像问题光程差成像减小晶圆良率外部

[发明专利]掩膜版管理系统以及掩膜版使用方法-CN201610354130.4有效
发明人：张小华;刘少华;刘振宇;闫冬;崔富毅 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： G03F1/66 文献下载
摘要：一种掩膜版管理系统以及掩膜版使用方法。该掩膜版管理系统包括：掩膜版投入模块，其被配置来提供至少一个掩膜版组，每个所述掩膜版组包括一个卡匣和放置在所述卡匣内的多个掩膜版；掩膜版检测和处理模块，其被配置来检测所述掩膜版组中的多个掩膜版，并根据检测结果对需要处理的掩膜版进行对应的掩膜版处理；掩膜版分类模块，其被配置来将经过处理并合格的掩膜版重新调整到所述掩膜版所属的掩膜版组的卡匣中。该掩膜版管理系统以及掩膜版使用方法可进行精细化的管控，有利于提高生产效率。
掩膜版管理系统以及使用方法

[发明专利]基于涂布方式制备纸基电极的方法-CN201811227010.3有效
发明人：辛智青;闫美佳;李修;方一;莫黎昕;郭振新;李亚玲;李路海 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： B41M1/12 文献下载
摘要：一种基于涂布方式制备纸基电极的方法，所述方法包括：设计并制作具有镂空图案结构的金属掩膜版；将疏水涂布液涂布在纸张表面上；将具有镂空图案结构的掩膜版放置在所述纸张上方后，对位于掩膜版的镂空区域下方的纸张进行等离子体处理；通过涂布导电油墨的方式在纸张上形成图案，并经烧结处理获得电极，所述图案与所述掩膜版的镂空区域相对应。本发明提供的基于涂布方式制备纸基电极的方法通过纸张表面疏水化并结合掩膜版等离子体处理技术，在纸张上获得具有润湿性差异的隐形图案，之后涂布导电油墨，由于润湿性差异及疏水区低粘附力，使疏水区的油墨完全去浸润到亲水区
基于方式制备电极方法

[发明专利]掩膜版及阵列基板的制备方法-CN201811536991.X有效
发明人：吴川 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩膜版，所述掩膜版上设置有第一透光区域和两个或两个以上第二透光区域，所述第二透光区域设置在所述第一透光区域两侧；所述第一透光区域设有若干个条形孔；所述第二透光区域设有若干个通孔，若干个所述通孔的中心位于第一直线上上述掩膜版，根据光路衍射特性，通过第二透光区域进行曝光固化处理所形成的色阻为连续条状，其厚度低于通过第一透光区域进行曝光固化处理所形成的色阻的厚度。因此，通过该掩膜版进行曝光固化处理得到的色阻厚度情况为中间厚两侧薄，在涂布配向膜后，基板上的总体结构平整，有效提高了显示器的质量和生产良率。
掩膜版阵列制备方法

[发明专利]生物掩膜版以及在衬底上图案化的方法-CN202110616453.7有效
发明人：叶怀宇;王少刚;高宸山;杨荟茹;刘起鹏;张国旗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请涉及一种生物掩膜版以及在衬底上图案化的方法，属于集成电路制备技术领域。在衬底上图案化的方法，包括如下步骤：在衬底上形成光刻胶层。在光刻胶层的背离衬底的表面形成生物掩膜版。对生物掩膜版进行曝光、显影、去除生物掩膜版、刻蚀、去除光刻胶，得到图案化的衬底。其中，生物掩膜版包括磷脂双层膜和嵌入磷脂双层膜内的孔蛋白。本申请中，在衬底上进行图案化时所使用的掩膜版为生物掩膜版，其通过孔蛋白来形成图案，能够有效降低工艺成本。
生物掩膜版以及衬底图案方法

[发明专利]通孔加工方法-CN201010619478.4有效
发明人：赵宇航;周军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的通孔加工方法包括步骤：提供掩膜；根据掩膜来刻蚀衬底以形成通孔；部分填充所述通孔，以在所述通孔的侧壁上形成保型覆盖的绝缘氧化层；以及去除所述掩膜。本发明可以消除波什刻蚀工艺所产生的硅通孔侧壁的扇贝形貌对后续工艺的影响，并且在硅通孔的侧壁形成表面平滑的绝缘氧化层薄膜，提高了绝缘氧化层薄膜的保型覆盖性，降低了后续硅通孔填充的难度，最终减小了器件失效的可能性
加工方法

[发明专利]背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法-CN202111408999.X在审
发明人：程器;彭翔 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式图像传感器深沟槽隔离的制备方法，包括：步骤一，提供一半导体器件，所述半导体器件包括正面及背面，所述背面上形成有硅外延层；步骤二，在所述硅外延层上沉积三层结构的复合硬掩膜层；步骤三，进行CDTI硬掩膜刻蚀,刻蚀停止至所述复合硬掩膜层的中间层，得到形成有第一沟槽的第一硬掩膜层；步骤四，进行DTI硬掩膜刻蚀，刻蚀停止至硅外延层，得到同时形成有第一沟槽和第二沟槽的第二硬掩膜层；步骤五，以第二硬掩膜层为掩膜版，刻蚀所述硅外延层，在硅外延层内同时形成CDTI和DTI结构。
背照式图像传感器深沟隔离制备方法

[发明专利]一种OLED显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法-CN201310400757.5有效
发明人：杜卫冲;韩建崴;梅文辉 -专利权人：中山新诺科技有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED显示面板生产用新型精细金属掩膜版及制作方法，其中装置包括在金属基板上设置多个通孔形成的边框，在边框的上表面电铸有一层精细掩膜从而使精细掩膜与边框结合为一体，所述精细掩膜划分有精细结构部分形成的图形区域和边框区域，所述图形区域与边框上的通孔相对应。B.制作精细掩膜：在金属基板上涂覆光阻层，将需要的图案显影在金属基板上的光阻层，再依次电铸上金属衬底层和热膨胀系数低的金属层，形成掩膜版的精细掩膜。C.腐蚀基板：在精细掩膜上划有图形区域，通过化学刻蚀的方法将图形区域背部对应片区的金属基板腐蚀掉，形成通孔，留下外部边框和内部分隔框，使外部边框和内部分隔框共同支撑起精细掩膜。
一种 oled 显示面板生产新型精细金属掩膜版制作方法