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[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201910494975.7有效
发明人：夏玉明;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。
阵列及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02127669.2有效
发明人：菊地修一;木绵正明 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-08-07 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：特征在于在具有在半导体衬底上由用选择氧化法形成的第1栅绝缘膜和用热氧化法形成的第2栅绝缘膜组成的栅绝缘膜，形成跨过该第1栅绝缘膜和第2栅绝缘膜那样的栅电极形成的半导体器件中，上述第2栅绝缘膜，用膜厚度厚的栅绝缘膜10A，和膜厚度薄的栅绝缘膜12构成。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示基板、制造其的方法和包括其的显示装置-CN202011049272.2在审
发明人：赵晟原;丁有光;崔大元;金善一;裵水斌;吕伦钟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该显示基板包括：基板；在基板上的第一栅电极；在第一栅电极上的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上的有源层；在有源层上的第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上的第二栅电极；在第二栅电极上的层间绝缘层；第一电极，该第一电极在层间绝缘层上，以经由通过层间绝缘层、第二栅绝缘层、有源层以及第一栅绝缘层的一部分的第一接触孔接触有源层的顶表面、侧壁和底表面；以及第二电极，该第二电极在层间绝缘层上，以经由通过层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层的第二接触孔接触第一栅电极
显示制造方法包括显示装置

[实用新型]阵列基板及液晶显示器-CN201020554515.3有效
发明人：刘翔;薛建设;刘圣烈 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示器，其中阵列基板包括：衬底基板，衬底基板上形成有数据线和栅线；数据线和栅线围设形成像素单元；像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极；栅线上覆盖有栅绝缘层；有源层形成于栅绝缘层上；还包括：辅助栅绝缘层和辅助栅电极；辅助栅绝缘层形成于栅线和栅电极上方；辅助栅电极形成于栅电极上方且被栅绝缘层覆盖，辅助栅电极与栅电极之间以辅助栅绝缘层相互间隔；辅助栅电极通过附加过孔与栅电极连接。本实用新型的阵列基板在保证栅绝缘层的厚度满足基本要求的情况下，可以增大充电电流。
阵列液晶显示器

[发明专利]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法-CN201610021254.0在审
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法，其结构如图1所示，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管-CN201620030937.8有效
发明人：张璇;唐莹;韦一;彭应全 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管，其结构包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)。该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
一种结构光敏有机场效应晶体管

[发明专利]半导体设备-CN200810088549.5无效
发明人：上田尚宏 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种不造成由于形成厚栅绝缘膜而导致的问题、且具有在高耐压器件中能适用的MOS晶体管的半导体设备。漏区域具备含有N－漏区域(3d)和N+漏区域(11d)的二重扩散结构。栅电极包括：第一栅电极(9)，在栅绝缘膜(7)上形成；第二栅电极(13)，经由栅电极间绝缘膜(11)形成在第一栅电极(9)上。第二栅电极(13)连接栅导线(13g)，第一栅电极(9)不连接栅导线(13g)。在栅绝缘膜(7)和N+源区域(11s)之间的半导体基板(1)的表面配置场绝缘膜(15)。第一栅电极(9)的漏区域侧的端部配置在场绝缘膜(15)上。施加到第二栅电极(13)的栅电压由栅绝缘膜(7)和栅电极间绝缘膜(11)分割。
半导体设备

[实用新型]背接触型太阳能电池-CN202320570774.2有效
发明人：王尧;柳伟;黄宏伟;项建军;陈达明;张学玲 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种背接触型太阳能电池，包括：电池基体、正极栅线、多个正极绝缘层、多个正极绝缘层、负极栅线、多个负极绝缘层以及两条焊带。正极栅线包括正极主栅及多个正极细栅。正极绝缘层覆盖在正极细栅的一端。负极栅线包括负极主栅及多个负极细栅。负极绝缘层覆盖在负极细栅的一端。正极绝缘层的长度和负极绝缘层的长度满足如下公式：y1＝y2≥x+b，y1＝y2≤6x。在保证正极栅线与负极栅线之间绝缘性的情况下，对正极绝缘层及负极绝缘层的参数限定，以使正极绝缘层及负极绝缘层的覆盖细栅线的面积较小，即减少了制成正极绝缘层及负极绝缘层材料的使用，从而降低了产品的生产制造成本
接触太阳能电池

[发明专利]用于显示设备的薄膜晶体管-CN201610985215.2在审
发明人：赵成民;具奭勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：示例性实施例提供了用于显示设备的薄膜晶体管，包括基板；半导体，被布置在基板上，并且包括沟道以及布置在沟道的相对侧的源区和漏区；栅绝缘层，包括布置在基板和半导体上的第一栅绝缘层以及布置在第一栅绝缘层上并与沟道重叠的第二栅绝缘层；布置在第二栅绝缘层上的栅电极；直接布置在第一栅绝缘层和栅电极上的层间绝缘层；以及布置在层间绝缘层上并连接到半导体的源电极和漏电极，其中栅绝缘层的与栅电极重叠的部分的厚度可大于栅绝缘层的与源区重叠的部分的厚度以及栅绝缘层的与漏区重叠的部分的厚度
用于显示设备薄膜晶体管

[发明专利]一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法-CN201910716626.5在审
发明人：饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法，该平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅，所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层，从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极，所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现，具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容，更快的开关速度和更低的开关功耗，可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。
栅电极绝缘层平面栅器件结构外延层衬底半导体半导体器件领域平面栅结构间隔设置开关功耗两侧延伸栅漏电容等功率栅电极制造加工应用

[实用新型]一种具有高开关速度的平面栅器件结构-CN201921253115.6有效
发明人：饶祖刚;王民安;项建辉;郑科峰 -专利权人：安徽省祁门县黄山电器有限责任公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高开关速度的平面栅器件结构及其制造方法，该平面栅器件结构，包括半导体衬底或外延层，所述半导体衬底或外延层上间隔设置有一组平面栅，所述平面栅包括设置在中间位置的第一栅电极绝缘层，从第一栅电极绝缘层向两侧延伸的第二栅电极绝缘层及设置在第一栅电极绝缘层和第二栅电极绝缘层上的栅电极，所述第一栅电极绝缘层的厚度大于第二栅电极绝缘层的厚度。该结构的平面栅加工方法简单且易于实现，具有该平面栅结构的器件具有更低的栅漏电容，更快的开关速度和更低的开关功耗，可广泛应用于MOSFET、IGBT和MCT等功率半导体器件领域。
栅电极绝缘层平面栅器件结构外延层衬底半导体半导体器件领域本实用新型平面栅结构间隔设置开关功耗两侧延伸栅漏电容等功率栅电极加工应用制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610164220.3无效
发明人：横山成之 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：硅基板，在硅基板上提供的栅绝缘体，在栅绝缘体上提供的栅电极，在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体，在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体，以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]栅网固定装置、栅网结构及射频离子源-CN202122729063.9有效
发明人：刘伟基;冀鸣;赵刚;易洪波;吴秋生 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01J3/38 文献下载
摘要：本申请涉及一种栅网固定装置、栅网结构及射频离子源；其中，栅网固定装置，应用于射频离子源的栅网结构上，所述栅网结构的各个栅网通过紧固件和绝缘件进行固定，所述紧固件与栅网之间通过绝缘件进行绝缘隔离，所述绝缘件外部设置有防护帽，所述防护帽的帽沿与所述栅网固定连接，使得所述绝缘件与外部形成空间隔离；该技术方案，通过在用于对栅网和紧固件与进行绝缘隔离的绝缘件外部设置防护帽，利用防护帽使得绝缘件与外部形成空间隔离，保证绝缘件保护在镀膜沉积的难区，避免栅网之间产生短路情况，保证射频离子源稳定工作。
固定装置结构射频离子源

[发明专利]薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板-CN202111587882.2在审
发明人：王航 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基板；底栅电极，设于基板上；底栅绝缘层，底栅绝缘层覆盖底栅电极和基板；金属层，设于底栅绝缘层上；金属氧化物半导体层，卡设于金属层中，且金属氧化物半导体层的一侧与底栅绝缘层接触；顶栅绝缘层，顶栅绝缘层覆盖底栅绝缘层和金属层，且顶栅绝缘层与金属氧化物半导体层的另一侧接触，顶栅绝缘层设有过孔，过孔暴露出金属层的一部分；顶栅电极，设于顶栅绝缘层上。本申请实施例中在金属氧化物半导体层的两侧分别设置第一沟道和第二沟道，底栅电极和顶栅电极交替打开，第一沟道和第二沟道交替使用，可有效减少阈值电压的漂移，使TFT器件的稳定性增加。
薄膜晶体管制作方法驱动方法显示面板

[发明专利]一种网孔式多栅离子束引出装置-CN202211673943.1在审
发明人：聂军伟;陈庆川;黄琪;金凡亚;但敏;陈伦江 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：本发明属于低温等离子体薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种网孔式多栅离子束引出装置，包括：网格栅、屏栅、加速栅、地栅、绝缘子A、绝缘子B、加速栅电源和屏栅电源；所述网格栅固定于屏栅的一侧面，加速栅通过绝缘子A固定于屏栅的另一侧面；所述加速栅未设置绝缘子A的端面上设置有绝缘子B，所述绝缘子B上安装有地栅；加速栅电源的正极接地，加速栅电源的负极与加速栅连接；屏栅电源的正极接地，屏栅电源的负极与屏栅连接。本发明通过控制与等离子体接触的网栅结构，控制离子束发射面，实现高导流率、低发散角的低能离子束产生。
一种网孔式多栅离子束引出装置

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