“半导体器件制备”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2994396个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202111289569.0在审
发明人：刘翔 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底形成栅极沟槽；在栅极沟槽内形成栅极层；向栅极层注入氮元素；其中，栅极层中的氮元素的浓度自栅极层的顶端向下逐渐减小。本公开实施例的半导体器件的制备方法能够改善栅致漏极泄露现象，且工艺简单，不会影响半导体器件的其他电学性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111316238.1在审
发明人：胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，用于降低半导体结构的设计难度及制备成本。半导体结构包括多个半导体器件。半导体器件包括衬底和参考图形。相邻两个半导体器件中，位于下层的为第一半导体器件，位于上层的为第二半导体器件。第二半导体器件的衬底中至少与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的透光率，小于或等于预设透光率。预设透光率为在从第二半导体器件远离第一半导体器件一侧无法识别第一半导体器件的参考图形的情况下，第二半导体器件的衬底中与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的最大透光率。第二半导体器件的参考图形和第一半导体器件的参考图形的正投影至少部分重合。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种柔性半导体器件的制备方法-CN201510837040.6在审
发明人：郭奥;胡少坚;周伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开了一种柔性半导体器件的制备方法，首先在无机半导体衬底上生长无机半导体薄膜，接着制备基于无机半导体薄膜的半导体器件以及隔离介质层，然后刻蚀沟槽使半导体器件的底部保持悬空，最后通过PDMS印章工艺将半导体器件转移至柔性衬底，该方法完全兼容了目前主流的微电子工艺技术，而且基于无机半导体材料所制备的半导体器件使得器件性能够得到有效保证。同时，本发明可广泛应用于不同种类的柔性半导体器件的制备，如发光二极管(LED)或场效应晶体管(FET)等，更可直接应用于柔性电路的实现，通过与柔性封装工艺相集成，有望实现柔性电路芯片的大规模量产，具有非常重要的应用价值
一种柔性半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法及制备装置-CN202011098039.3在审
发明人：邱宇渊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法及制备装置。半导体器件的制备方法包括：提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。本发明解决了在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低的技术问题。
半导体器件制备方法装置

[发明专利]一种半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202111026589.9在审
发明人：崔基雄;高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件制备技术领域，以解决由于在形成锗硅层时，产生的氢气扩散入电介质层中形成氧空位，从而产生泄漏电流，影响半导体器件的性能的问题。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底。所述衬底包括自下而上层叠设置的下电极层、电介质层以及上电极层。在所述上电极层上形成第一硅籽晶层。在所述第一硅籽晶层上形成层间氧化层。在所述层间氧化层上形成锗硅层。本发明提供的半导体器件的制备方法用于制备半导体器件。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法-CN201810638976.X在审
发明人：刘张李 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI衬底结构及其制备方法、半导体器件及其制备方法，通过在支撑衬底上依次形成第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层，并在所述第一半导体层中形成隔离部以将所述第一半导体层分隔为多个第一半导体区从而，实现了第一半导体区之间以及第一半导体层和上下层之间的全面隔离。进而，在制备具有背栅的半导体器件时，可直接利用第一半导体区制成背栅，不仅实现了器件制备工艺的简化，还能够保证背栅的良好隔离性，使背栅对半导体器件(例如MOS器件)的阈值电压的控制更为准确。
半导体层制备半导体器件背栅半导体区绝缘层衬底结构器件制备工艺阈值电压隔离部隔离性上下层衬底分隔隔离支撑保证

[发明专利]带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法-CN201210090254.8有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。同时在上下层半导体器件层中制备有空洞层+绝缘介质支撑层结构的半空洞隔离结构，有效降低了上下器件层之间的电容耦合效应。
带有半空结构半导体器件制备方法

[发明专利]带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法-CN201210090430.8有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。同时在上下层半导体器件层中制备有空洞层+下层接触孔结构的半空洞隔离结构，有效降低了上下器件层之间的电容耦合效应。
带有半空结构半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件芯片结构及其制备方法-CN201810212303.8在审
发明人：曼玉选;祁琼;彭岩;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件芯片结构及其制备方法，其中，所述半导体器件芯片结构的制备方法，包括以下步骤：在半导体外延片上形成光刻胶掩膜，并通过曝光后显影形成周期性结构；刻蚀去除无光刻胶掩蔽区域的部分外延层，在半导体外延片上形成脊形台面结构；在形成有脊形台面结构的所述半导体外延片的表面上沉积电绝缘介质层；去除所述脊形台面上的电绝缘介质，制作出电流注入窗口；以及在半导体外延片上形成P型电极和N型电极，由此完成半导体器件芯片结构的制备本公开半导体器件芯片结构及其制备方法，在确保器件性能良好的前提下，简化了半导体器件的制备流程，提高了制备时效。
制备半导体器件芯片半导体外延片脊形台面去除电绝缘介质层半导体器件电绝缘介质光刻胶掩膜周期性结构器件性能掩蔽区域注入窗口外延层脊形刻蚀无光显影沉积曝光

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110724992.2有效
发明人：杨天应;刘丽娟 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区之外的无源区；在有源区上制作源极、栅极和漏极，在无源区上制作栅极焊盘和漏极焊盘；将栅极和栅极焊盘进行金属互连，将漏极和漏极焊盘进行金属互连，以形成第一器件结构；在第一器件结构的源极上形成源极测试焊盘。该半导体器件通过上述的制备方法制备得到。该制备方法能够缩小半导体器件面积，提升半导体器件的集成度。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和半导体衬底及其减薄方法-CN202111655906.3在审
发明人：赵丹;秦博;卢汉汉 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法和半导体衬底及其减薄方法，其中，半导体器件的制备方法包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行离子注入，以在半导体衬底内部形成损伤层，其中，损伤层将半导体衬底分为第一衬底和第二衬底；对形成损伤层的半导体衬底进行加热处理以使损伤层转化为可剥离层；将第二衬底从可剥离层处进行剥离。本发明实施例的半导体器件的制备方法，不仅减小衬底减薄时所受应力而碎裂的隐患，还能灵活控制衬底厚度，满足半导体器件对衬底厚度的需求，提高器件良率。
半导体器件及其制备方法半导体衬底

[发明专利]两层半导体器件的制备方法-CN201210090253.3无效
发明人：黄晓橹;张守龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。
半导体器件制备方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201711217590.3有效
发明人：张韵;赵璐;张连 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，所述半导体器件的制备方法，包括以下步骤：在衬底上溅射沉积AlN缓冲层；以及采用MOCVD工艺在所述AlN缓冲层上形成功能层，完成所述半导体器件的制备。本公开半导体器件及其制备方法，制备时间短，成本低廉，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能，实现了大型工业MOCVD批量化生产。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体激光器的制造方法-CN98104316.X无效
发明人：后藤修;山田光志;八重樫浩树;堀川英明 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 1998-01-25 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：一种用高精度形成用于分割半导体器件10的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件10制备在一个半导体衬底16上，而作为标记的刻蚀槽31形成在半导体衬底16上的半导体器件区域的外部。
半导体激光器制造方法

[发明专利]沟槽制备方法及半导体装置制备方法-CN201610959001.8有效
发明人：易金凤;华强;周耀辉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽制备方法，包括提供半导体器件；在所述半导体器件上刻蚀形成沟槽结构；以及控制所述半导体器件旋转并利用激光对所述沟槽结构的侧壁进行熔融处理。上述沟槽制备方法，在传统的刻蚀形成沟槽结构的步骤后还增加了激光熔融处理步骤，激光熔融处理过程结合半导体器件的旋转从而最终制备得到底角圆润且侧壁光滑的沟槽，极大的改善半导体装置的漏电问题。本发明还提供一种半导体装置制备方法。
沟槽制备方法半导体装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条