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[发明专利]一种陶瓷覆铜板的制备方法-CN202110020698.3有效
发明人：蔡正旭;娄花芬;王云鹏;莫永达 -专利权人：中铝材料应用研究院有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：活性金属焊料的组分及其质量百分含量为：Cu 21％‑24％、Sn 5％‑10％、In 5％‑10％、Ti 3％‑5％、余量为Ag；(2)将质量比为(85‑90)：(10‑15)的活性金属焊料粉体与活性焊料载体混合制成活性焊膏；(3)在陶瓷基片表面印制活性焊膏层；(4)将表面印制活性焊膏层的陶瓷基片置于真空炉中进行排胶；(5)将排胶后的陶瓷基片与铜箔装配后进行真空烧结，得到陶瓷覆铜板。本发明制备的陶瓷覆铜板焊后孔洞低、翘曲可控、热循环寿命高。
一种陶瓷铜板制备方法

[发明专利]一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块化封装方法-CN201710954332.7在审
发明人：梅云辉;谢宜静;付善灿;陆国权;李欣 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块及封装方法；由功率端子、上DBC基板、下DBC基板、纳米银焊膏、缓冲层、n对碳化硅FRED芯片和碳化硅MOS芯片、栅极电阻、粗铝丝、硅凝胶和模制树脂组成；分别将碳化硅MOS芯片下表面、碳化硅FRED芯片下表面以及缓冲层的下表面平行并联在下DBC基板；同样上DBC基板进行同样的连接；将碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面与上DBC基板的缓冲层上表面相连，同样的，下DBC基板的缓冲层与上DBC基板的碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片相互连接。功率芯片和缓冲层与DBC基板的连接均采用纳米银焊膏，具有烧结温度低、熔点高和热导率高优点。
一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅 mos 器件模块化封装方法

[发明专利]柔性电路板的制作方法-CN201210143441.8无效
发明人：赖志成 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种柔性电路板的制作方法，包括以下步骤：提供一承载装置，包括承载板、树脂连接层及设置于该承载板与该连接层之间的附着层；提供一柔性电路板基板，该柔性电路板基板包括基底层、导电线路层及防焊层，该柔性电路板基板具有产品区及围绕该产品区的废料区；在该废料区内形成一暴露该基底层的加热盲槽；加热软化对应加热盲槽的基底层与连接层使其熔融并相互粘接；印刷锡膏；在锡膏上贴装电子元件；通过回焊炉，使该锡膏层熔融再凝固；及移除该废料区，得到柔性电路板。
柔性电路板制作方法

[实用新型]一种高频焊焊膏添加装置-CN201720711327.9有效
发明人：荣森;蔡荣生;陈玉富 -专利权人：芜湖三花自控元器件有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： B23K13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频焊焊膏添加装置，属于四通阀加工技术领域。包括横截面呈斗状的焊膏杯，所述焊膏杯一侧倾斜插接有用于添加焊膏的导向管，焊膏杯的顶端螺旋安装有用于连接送丝气缸的连接头，其底端插接安装有送丝嘴。本实用新型结构简单，使用方便，结构上没有加工台阶，能够确保焊膏在焊膏杯及导向管内具有良好的流动性，保证钎焊质量。
一种高频焊焊膏添加装置

[发明专利]电路板结构的加工工艺及电路板结构-CN202210581937.7在审
发明人：王峰;苏琮仁 -专利权人：深圳市宝泰光电科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种电路板结构的加工工艺及电路板结构，包括如下步骤：S100提供电路板、隔热片、第一电子元件与第二电子元件，隔热片具有朝向相反的第一面与第二面；S200在第一面涂覆第一锡膏层；S300将第一电子元件贴在第一锡膏层；其中，至少部分第一电子元件的本体与第一锡膏层之间设置有隔热片；S400使第一电子元件的引脚与锡膏层焊接连接；S500在第二面涂覆第二锡膏层；S600将第二电子元件贴在第二锡膏层；S700使第二电子元件的引脚与第二锡膏层焊接连接通过隔热片的设置，电路板在第二次输送至回流焊炉中，由于部分第一电子元件与电路板之间设置有隔热片，因此，回流焊炉在焊接第二电子元件与第二锡膏层时，隔热片减小热量通过电路板传递至第一电子元件。
电路板结构加工工艺

[发明专利]一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法-CN202010714452.1在审
发明人：王成森;钱清友;李成军;吴家健;江林华 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种功率器件的高温高浪涌加固封装方法，包括：将基板设置在散热器上；将纳米银焊膏印刷在基板上；在晶圆级芯片上光刻金属Ag；将光刻金属Ag的晶圆级芯片划片得到分立芯片；将分立芯片贴装在纳米银焊膏上；将纳米银焊膏烧结成型得到纳米银焊层；第一引脚通过引线与分立芯片键合连接，第二引脚与基板键合连接；将分立芯片、纳米银焊层、基板、散热器、第一引脚、第二引脚和引线置于塑封壳内，塑封壳塑封成型得到功率器件芯片
一种功率器件高温浪涌加固封装方法

[发明专利]焊膏印刷装置及网板清扫方法-CN200810167755.5无效
发明人：翟立娜;周小美 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及的一种焊膏印刷装置和网板清扫方法。该焊膏印刷装置具备：用于向基板印刷焊膏图形的刷板和网板；在网板的下侧，检查网板的下表面的与基板接触的部分被焊膏污染的情况的检查装置；以及在网板的下表面被焊膏污染的情况下，或者，在焊膏的污染量达到规定的程度的情况下，清扫网板的下表面，除去污染网板的下表面的焊膏的清扫装置。
印刷装置清扫方法

[实用新型]一种金属眼镜焊接焊膏供给装置-CN202121013015.3有效
发明人：刘本好;诸国光 -专利权人：温州创宇智能设备有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B23K3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属眼镜焊接焊膏供给装置，包括推膏底座，所述推膏底座开设有推膏通道、用于向焊接头输送焊膏的上料通道以及回收焊膏的回料通道，所述推膏通道的一端口设置有推动杆，另一端口处设置有阀杆组件，所述推动杆开设用于向推膏通道输送焊膏的输送通道，其的一端部置于推膏通道内，另一端部设置推动推动杆前后移动的推动驱动机构；当焊接头焊接时，所述推膏通道与上料通道相连通并且阀杆组件关闭回料通道，所述推动驱动机构驱使推动杆向前移动挤压焊膏，可以通过控制推动杆向前移动距离，来准确控制焊膏涂抹所需量，也避免焊膏浪费。
一种金属眼镜焊接供给装置

[实用新型]一种用于检测陶瓷滤波器银浆料可焊性的实验结构-CN202021735934.7有效
发明人：杨爱民;司留启;白宝柱 -专利权人：江苏国瓷泓源光电科技有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B23K31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测陶瓷滤波器银浆料可焊性的实验结构，包括喷涂后烧结在陶瓷滤波器表面的银层，银层上具有采用锡膏印刷机印刷的焊料锡膏柱。本实用新型用于检测陶瓷滤波器银浆料可焊性的实验结构具有结构简单、制作方便，规格统一，检测结果精确的优点。
一种用于检测陶瓷滤波器浆料可焊性实验结构

[发明专利]一种助焊膏的制备方法-CN201810677758.7有效
发明人：徐朴;王思远;刘传福 -专利权人：深圳市福英达工业技术有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B23K35/40 文献下载
摘要：一种助焊膏的制备方法，包括将制作助焊膏的基础原料置于反应容器内加热至80～120℃搅拌均匀，制得助焊膏初反应体；在80～120℃恒温条件下，在助焊膏初反应体上施加超声波进行分散处理，制得助焊膏中间体；将助焊膏中间体冷却至室温，冷却过程中持续使用超声波进行分散处理，制得助焊膏。本发明方法操作简便，工作效率高，采用本发明方法制备得到的助焊膏中的结晶粒径尺寸小于20μm，晶粒分布更加均匀，综合性能优。
一种助焊膏制备方法

[发明专利]碳包铜合金核壳结构制备装置、方法以及低温烧结焊膏-CN202211001323.3在审
发明人：陈显平;钱靖 -专利权人：重庆平创半导体研究院有限责任公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B23K35/36 文献下载
摘要：本发明属于焊接材料技术领域，具体涉及一种碳包铜合金核壳结构制备装置、方法以及低温烧结焊膏，碳包铜合金核壳结构低温烧结焊膏，包括核壳结构和助焊剂，核壳结构的内核为纳米铜合金，内核外包覆有壳层，壳层为碳层；本发明解决了现有金属纳米焊膏易氧化、烧结后连接强度不够的问题。
铜合金结构制备装置方法以及低温烧结

[发明专利]纳米立方银焊膏、互连结构及焊接方法-CN202110860085.0有效
发明人：周国云;邱娟;何为;王守绪;杨猛;张彬彬;吴琼;毕建民;谭建容 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米立方银焊膏、互连结构及其焊接方法，纳米立方银焊膏由尺寸均一的纳米立方银颗粒与有机溶剂混合而成，具有连接层孔隙率低、剪切强度高等优势。所述纳米立方银颗粒为立方体形状、粒径为20nm～200nm，纳米立方银焊膏可用于制备覆铜陶瓷基板和IGBT模块功率芯片的互连结构；本发明利用纳米立方银颗粒的自组装性能，形成超晶格结构，实现纳米立方银颗粒的紧密排列，经焊接后形成的连接层的连接接头界面层结合良好，连接层的孔隙率约为5％，剪切强度达到30Mpa以上，具有较高的剪切强度，能够很好地应用于电子器件的封装互连；其制备工艺简单，便于工业化生产。
纳米立方银焊膏互连结构焊接方法

[发明专利]一种以SU-8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法-CN201711113162.6有效
发明人：李建华;陈玉龙;徐立新;李夷渊;陈佳文 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种以SU‑8胶为回流焊阻焊层的MEMS元件低温封装方法，属于微制造加工领域。方法为：(1)准备玻璃晶圆片；(2)在玻璃晶圆片上溅射Cr/Cu种子层；(3)涂覆AZP4620光刻胶并进行曝光；(4)电镀Cu生成焊接圆盘；(5)去除光刻胶及种子层；(6)在玻璃晶圆片上固定丝状或带状敏感元件；(7)涂覆SU‑8胶、光刻后作为回流焊阻焊层；(8)在SU‑8阻焊层处填充低温锡膏(例如锡铋合金锡膏)；(9)放入回流焊炉，进行回流焊加工，完成丝状、带状MEMS元件的封装。
一种 su 回流焊阻焊层 mems 元件低温封装方法

[发明专利]一种焊料凸点的形成方法-CN201110428754.3无效
发明人：丁万春 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种焊料凸点的形成方法，包括：在芯片的焊盘和钝化层上依次形成耐热金属层和金属浸润层；在金属浸润层上形成光刻胶，所述光刻胶设有开口曝露出芯片焊盘上方的金属浸润层；在上述开口中的金属浸润层上依次形成阻挡层和焊料保护层；在焊料保护层上形成焊料膏；去除光刻胶；蚀刻钝化层上的耐热金属层和金属浸润层至钝化层裸露；回流焊料膏，形成焊料凸点。
一种焊料形成方法

[发明专利]一种银焊膏及其制备工艺-CN202310637978.8在审
发明人：王春成;王振峰;刘青松 -专利权人：徐州得驰电子科技有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B23K35/30 文献下载
摘要：本发明涉及银焊膏技术领域，具体为一种银焊膏及其制备工艺，将纳米氧化银颗粒、有机溶剂载体相互混合，制备银焊膏。其中纳米氧化银颗粒能够在较低温度下分解，原位生成纳米尺寸的高能银颗粒。同时通过固态扩散，与芯片的底部、基底的顶部的金属层发生冶金结合，从而得到较为致密、界面结合优异的芯片互连金属层。
一种银焊膏及其制备工艺