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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法-CN200510130771.3无效
发明人：卢励吾;张砚华;葛惟昆 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： G01N27/82 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料测试技术领域，特别是一种具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法。样品台装置，包括：样品1、样品台2、聚四氟乙烯片D、永久磁铁C、防护罩A和无氧紫铜块B。测量方法包括：在半导体材料深能级测量过程中，通过调节无氧紫铜块B厚度，使永久磁铁C和其上的聚四氟乙烯薄片D与样品台2之间的空隙尽可能在0.2－0.3mm之间。本发明用于II－VI族铁基稀磁半导体中与铁离子和其它杂质有关的深能级测量。
具有外加磁场能级瞬态样品装置及其测量方法

[发明专利]耐溶剂混合型空穴传输材料组合物及量子点发光二极管-CN201911164759.2有效
发明人：苏文明;谢黎明;刘扬 -专利权人：苏州欧谱科显示科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及耐溶剂混合型空穴传输材料组合物及量子点发光二极管，组合物包括浅HOMO能级、高迁移率的空穴传输材料Ⅰ和深HOMO能级且含有交连基团的空穴传输材料Ⅱ，其中，浅HOMO能级指能级在‑5.2eV~‑5.6eV，深HOMO能级指能级在‑5.8eV~‑6.4eV。该组合物不仅具有高的空穴迁移率，且具有匹配的HOMO能级帮助空穴在界面处的高效注入，从而提升空穴输运能力使得发光层中载流子更平衡，从而器件效率以及寿命得到提高。
溶剂混合空穴传输材料组合量子发光二极管

[发明专利]有机电致发光元件及其制造方法、以及有机电致发光显示装置-CN201080053434.8有效
发明人：冈本健 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：有机EL元件（1）具有三层结构的发光层（5），第一发光层（5a）包括具有比有机发光材料的最高占据能级深的最高占据能级的基质材料（︱HOMO（第一发光层的基质材料）︱＞︱HOMO（发出磷光的材料）︱）。此外，第二发光层（5c）包括具有比有机发光材料的最低未占能级浅的最低未占能级的基质材料（︱LUMO（第二发光层的基质材料）︱＜︱LUMO（发出磷光的材料）︱）。而且，第三发光层（5b）包括具有比有机发光材料的最高占据能级深的最高占据能级（︱HOMO（第三发光层的基质材料）︱＞︱HOMO（发出磷光的材料）︱），且具有比有机发光材料的最低未占能级浅的最低未占能级（
有机电致发光元件及其制造方法以及显示装置

[发明专利]一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法-CN202211417940.1在审
发明人：陈涛;黄汇钦 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种界面缺陷检测方法及晶圆检测方法，界面缺陷检测方法通过对待测功率器件施加水平静磁场，使得缺陷能级中的电子的自旋方向发生改变，其自旋方向向下，通过施加射频磁场后缺陷能级中的电子的自旋方向发生翻转，方向向上，使得来自导带中的原本与缺陷能级中进行配对的电子的配对行为将被禁止，此时来自导带中的电子将掉落进入价带中，并与价带中的空穴复合，形成漏电流，然后通过检测漏电流的大小实现界面缺陷密度的检测。
一种界面缺陷检测方法

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010838363.8在审
发明人：王超;刘锐康;徐晓华;蒋明伟 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：Mg掺杂能够使TiO2的费米能级上移，增加薄膜的自由载流子浓度，降低深能级缺陷态浓度。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN201210304090.4无效
发明人：李泽宏;赵起越;李巍;任敏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P+体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。在室温下，P+体区（6）中引入的深能级杂质（12）只有少部分电离，对器件正向导通工作的影响可以忽略。当器件内有大电流流过时，器件产生热损耗增大，深能级杂质（12）的电离率会随着器件温度的升高而增大，提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度，降低了NPN管发射极注入效率γ，进而降低
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种具有高温自保护功能的IGBT器件-CN201210303840.6无效
发明人：李泽宏;赵起越;夏小军;任敏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明是在传统IGBT器件的P型基区（5）中靠近多晶硅栅电极（9）的沟道区（A）中引入带有受主能级的深能级杂质（12），这些深能级杂质（12）在常温下电离率比较低，对器件的阈值电压影响非常小。当器件工作在大电流下，器件温度升高，上述深能级杂质（12）的电离率将得到大幅提高，相当于提高了P型基区（5）的有效掺杂水平，使器件的阈值电压大幅提高，降低IGBT器件的饱和电流值，加之器件的正向导通压降的负温度系数
一种具有高温保护功能 igbt 器件

[发明专利]一种叠层电荷俘获型突触晶体管及其制备方法-CN202111133860.9在审
发明人：黎明;李海霞;李小康;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层电荷俘获型突触晶体管及其制备方法，其电荷俘获层利用氮化硅缺陷能级浅和高k氧化物缺陷能级深的特点，对材料进行组合以同时实现长时程模拟和短时程模拟。
一种电荷俘获突触晶体管及其制备方法

[实用新型]一种含有混合漏电极的氮化镓HEMT器件-CN201821705843.1有效
发明人：黄兴;陈欣璐 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型通过在原有漏极引入P型氮化镓，使该器件在正向导通或者开通瞬态过程中有空穴注入二维电子气及其周边区域，使得被深能级缺陷捕获的电子可以被快速中和，从而恢复器件二维电子气的导电特性，降低了器件的动态电阻
氮化镓HEMT器件本实用新型二维电子气漏电极半导体功率器件空穴深能级缺陷导电特性电流崩塌动态电阻恢复器件瞬态过程正向导通周边区域漏极捕获中和引入开通

[实用新型]一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置-CN201921688832.1有效
发明人：冯长沙;黄社松;王凡;杨威 -专利权人：北京飞斯科科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于深能级瞬态谱测试的低温装置，包括真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机，所述真空外壳、用于提供仪器仪表接口及阀门的仪表裙、制冷机自上而下依次连接。本申请采用二级10K或者4K制冷机作为冷源，提供一个温度范围4K‑500K或者10‑500K且温度波动小于±50mk的低温环境和便于扎针的探针样品，方便深能级瞬态谱测试，有效提高了深能级瞬态谱测试的效率
一种用于能级瞬态测试低温装置

[发明专利]一种多能级掺杂PbTe基热电材料及其制备方法-CN201710103406.6有效
发明人：张倩;王心宇;张宗委;李孝芳 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种多能级掺杂PbTe基热电材料及其制备方法，所述多能级掺杂PbTe基热电材料的分子式为InxPb1‑xTe1‑yAy；其中，A为Cl，Br，I，Ga，Al；0能级同时掺杂，利用浅能级掺杂提高较低温度时的载流子浓度，利用深能级掺杂提高较高温度时的载流子浓度，并将双极扩散温度提高，最终获得在较宽温度范围内具有高热电优值的热电材料，提高材料的热电效率
一种多能掺杂 pbte 热电材料及其制备方法

[发明专利]深能级杂质电离碰撞晶体管-CN201110024074.5无效
发明人：詹瞻;黄芊芊;黄如;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-21 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种深能级杂质电离碰撞晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明晶体管包括N型或者P型相同掺杂的源、漏，控制栅以及含有能在高场下电离出载流子的深能级杂质的高阻漂移区。与现有低功耗器件IMOS相比，由于深能级杂质电离的临界电场远低于雪崩临界电场，可以大大降低器件工作点同时增加器件的可靠性。
能级杂质电离碰撞晶体管

[发明专利]一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件-CN201210187444.1无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;李巍;张蒙;张灵霞;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对超结中柱区（4）掺杂浓度的贡献，因此不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于提高了外延区（3）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降
一种动态电荷平衡 vdmos 器件

[发明专利]一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件-CN201210187423.X无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;李巍;张蒙;张灵霞;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对柱区（4）掺杂浓度的贡献，不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于降低了柱区（4）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降
一种能够有效防止电荷失衡 vdmos 器件

[发明专利]添加来氟米特制备钙钛矿膜的方法及钙钛矿光电探测器-CN202211631870.X在审
发明人：程佳瑞;孙丁月;刘峰 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本钙钛矿薄膜的制备方法中，通过引入来氟米特，来氟米特分子中的官能团C＝O，可实现对Pb2+相关缺陷的钝化，从而减少载流子非辐射复合；来氟米特的引入还可以减少深能级缺陷通过本发明所制备的钙钛矿薄膜，其改善的表面疏水性和减少的缺陷增强了钙钛矿膜的湿度和热稳定性。
添加来氟米特制备钙钛矿膜方法钙钛矿光电探测器

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