“电流崩塌”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果605113个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅衬底GaN半导体器件外延材料结构-CN201810485372.6有效
发明人：刘查理 -专利权人：刘查理
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，针对硅衬底GaN半导体器件的电流崩塌问题，本发明公开了一种硅衬底GaN半导体器件外延材料结构，包括自下而上逐层分布的Si基板衬底层、AlN形核层、AlGaN过渡层、AlNxGaNx超级结构层、AlGaN约束层、GaN通道层、AlGaN障碍层和SiNx钝化层；本发明所述的硅衬底GaN半导体器件外延材料结构包括不同材料层,并且对不同材料层的厚度、所含物质进行了进一步控制，针对造成电流崩塌的每一个环节提供了解决办法，从而能够有效降低或排除硅衬底GaN半导体器件在室温和高温(25℃)下的电流崩塌问题，使硅衬底GaN半导体器件的可靠性大幅度提高，以达到终端产品要求。
衬底 gan 半导体器件外延材料结构

[发明专利]一种提高GaNHEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术-CN201610117878.2在审
发明人：王茂俊;林书勋;陶明;郝一龙 -专利权人：北京大学
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法，所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中，在常规钝化层淀积之前，利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化，然后再用盐酸去除薄层氧化物，重复该过程若干周期在表面钝化之前达到彻底移除表面缺陷，得到一个相对完美的表面，提高表面钝化效果，降低由于表面陷阱效应引起的电流崩塌。
一种提高 ganhemt 钝化效果降低电流崩塌表面处理技术

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410281040.8有效
发明人：裴轶;邓光敏 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明采用凹槽结构以改善半导体器件的电流崩塌，同时降低漏电。凹槽结构位于栅漏之间电流崩塌不敏感的区域。并对凹槽进行表面处理以减小漏电流，处理方法包括表面处理、沉积绝缘层等。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]潜在崩塌灾害体快速识别方法-CN202010187226.2有效
发明人：陈国庆;朱州;孙祥;张广泽;徐正宣;王栋;林之恒 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01V9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种潜在崩塌灾害体快速识别方法，其包括定位潜在崩塌灾害体中发生崩塌性比较高的区域为崩塌待识别区；计算崩塌待识别区崩塌的临界裂隙宽度；采用无人机搭载相机或雷达获得的数据得到崩塌待识别区的现有裂隙宽度，计算现有裂隙宽度与临界裂隙宽度的比值；判断比值是否大于等于设定阈值；若是，则崩塌待识别区为崩塌灾害体；否则进入下一步；根据崩塌待识别区的地质图和DEM高程数据，获取崩塌待识别区中与地形地貌特征相关的参数作为指标因子；基于指标因子的权重值，计算崩塌待识别区发生崩塌的判别指数；判断判别指数是否大于崩塌阈值，若是，则崩塌待识别区为崩塌灾害体，否则崩塌待识别区不是崩塌灾害体。
潜在崩塌灾害快速识别方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN201910143592.5有效
发明人：程凯;刘凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，在衬底层之上的缓冲层进行过渡金属和杂质共掺杂使半导体器件实现泄漏电流的降低、提升夹断特性、避免器件电流崩塌，此外通过控制缓冲层中过渡金属和杂质的浓度范围来保证器件在动态特性时漏电流的平衡
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种喀斯特地区崩塌最大运动距离计算方法及其应用-CN201810386784.4在审
发明人：李为乐;郭辉;石元帅;于明山;杨帆;陆会燕 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种喀斯特地区崩塌最大运动距离计算方法，其特征在于，包括以下步骤：a、通过调查测绘崩塌后端裂缝的位置、崩塌的前端位置、崩塌的平均长度和崩塌的宽度，计算崩塌面积A，通过V＝0.146A1.332计算崩塌体积V；b、根据高程差H及崩塌体积V确定崩塌的最大运动距离Lmax；当崩塌体积V>100000m3时，通过Lmax＝H/10‑0.109 log V+0.17计算；当崩塌体积V<100000m3本发明能够准确的计算喀斯特地区崩塌的最大运动距离，有效避免崩塌风险和崩塌造成的危害，极大的提高了防灾效果。
崩塌最大运动距离喀斯特地区防灾效果前端位置高程差测绘裂缝应用调查

[发明专利]γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法-CN201410403083.9无效
发明人：王兴军;李玉涟;张波;邱维阳;何素明;周书同;罗向东;翁钱春;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法，该方法在标准大气压，普通空气氛围下，采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量，使辐照后LED内In组分起伏增强，In团簇对载流子的束缚能力增加，载流子局域能力增强，因此发生去局域时电流密度增大，从而降低LED的效率崩塌效应，增强大电流密度下的发光强度。
辐照降低 led 效率崩塌效应增强发光强度方法

[实用新型]一种与Si-CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件-CN201721577336.X有效
发明人：王洪;周泉斌;李祈昕 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌本实用新型可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈。
异质结本实用新型异质结外延电流崩塌重掺杂层兼容氮化物成核层氮化物缓冲层低温退火电极形成工艺兼容技术瓶颈欧姆接触器件性能受主能级有效抑制栅介质层电荷钝化层漏电极势垒层栅电极电离本征衬底金源半导体

[发明专利]一种高陡岩体崩塌机制的物理模型试验系统及方法-CN201710453926.X有效
发明人：贺凯;陈春利;李滨;冯振;王文沛;高杨 -专利权人：中国地质科学院地质力学研究所;中国地质环境监测院
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01N3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高陡岩体崩塌机制的物理模型试验系统和方法，该系统包括崩塌试验模型、试验承台、人工反力装置和测试设备；崩塌试验模型放置在试验承台上，人工反力装置设置在崩塌试验模型的上端；在崩塌试验模型底部区域与试验承台结合面、崩塌试验模型底部区域与上部区域结合面分别布设压力传感器；在崩塌试验模型上方和侧面安装激光传感器；在崩塌试验模型底部区域的中间部位设置声波换能器，连接声波测试仪用以监测波速变化；在崩塌试验模型的底部区域和上部区域分别安装用以监测崩塌试验模型崩塌失稳的动态全过程的高速摄像机本发明填补了目前高陡岩体崩塌模型试验的空白，可为高陡岩体崩塌灾害防灾减灾提供重要数据支撑。
一种高陡岩体崩塌机制物理模型试验系统方法

[实用新型]一种高陡岩体崩塌物理模型试验系统-CN201720699681.4有效
发明人：贺凯;陈春利;李滨;冯振;王文沛;高杨 -专利权人：中国地质科学院地质力学研究所;中国地质环境监测院
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G01N3/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及高陡岩体崩塌物理模型试验系统，包括崩塌试验模型、试验承台、人工反力装置和测试设备；崩塌试验模型放置在试验承台上，人工反力装置设置在崩塌试验模型的上端；在崩塌试验模型底部区域与试验承台结合面、崩塌试验模型底部区域与上部区域结合面分别布设压力传感器；在崩塌试验模型上方和侧面安装激光传感器；在崩塌试验模型底部区域的中间部位设置声波换能器，连接声波测试仪用以监测波速变化；在崩塌试验模型的底部区域和上部区域分别安装用以监测崩塌试验模型崩塌失稳的动态全过程的高速摄像机本实用新型填补了目前高陡岩体崩塌模型试验的空白，可为高陡岩体崩塌灾害防灾减灾提供重要数据支撑。
一种高陡岩体崩塌物理模型试验系统

[发明专利]一种基于力学平衡原理的土体崩塌数值模拟方法-CN201910036443.9有效
发明人：周祖昊;蔡静雅;刘佳嘉;徐东坡;龚家国;严子奇;王浩;贾仰文 -专利权人：中国水利水电科学研究院
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于力学平衡原理的土体崩塌数值模拟方法，涉及土体崩塌模拟与计算机数值计算技术领域。该方法通过对崩塌的土体形状进行概化，确定崩塌土体的横断面包括梯形、直角三角形和矩形，并获取预崩塌土体的几何参数，根据几何参数，对不同断面形状的预崩塌土体的受力进行模拟，根据模拟结果判断土体是否会发生崩塌，若崩塌则获取土体的质量，从而实现了对崩塌型重力侵蚀土体的数值模拟。本发明基于崩塌发生的最根本原因—力学失稳机理，提出崩塌发生与否的判别条件，并对崩塌量进行模拟。该方法不受地域和地形因素局限，可以广泛推广应用。
崩塌土体数值模拟力学平衡原理几何参数计算机数值计算直角三角形地形因素断面形状根本原因模拟结果判别条件失稳机理重力侵蚀横断面受力力学局限地域

[发明专利]一种基于数字孪生技术的崩塌监测系统与方法-CN202211065374.2有效
发明人：朱樟柳;韩忠;王长欣;吕大伟;喻光明;田淑明;闫鹏洋;李兵;饶振宾;徐猛 -专利权人：北京云庐科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种基于数字孪生技术的崩塌监测系统与方法，属于崩塌监测技术领域，采集并记录待监测崩塌类型及岩性、崩塌周边地表情况，选择崩塌破坏模型，并制定现场监测方案、建立崩塌数字孪生体；利用位态展示子模块、超前预测子模块以及虚实互动模块进行崩塌数字孪生体与实体的互动，并通过对待监测崩塌的位移超前预测、安全系数计算，实现崩塌可能发生的特殊时期交通沿线崩塌状态的实时智能感知；采用了孪生体唤醒机制，能最大程度的节约算力，优化人力和物力，可在整个交通沿线推广复制。
一种基于数字孪生技术崩塌监测系统方法

[发明专利]危岩崩塌试验模拟装置-CN202111580136.0有效
发明人：杨星;范安军;李树鼎;周志林;蒋发森 -专利权人：四川公路工程咨询监理有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：本申请提供了危岩崩塌试验模拟装置，属于地质崩塌技术领域，该危岩崩塌试验模拟装置包括扭摆试验组件和横摆试验组件。所述扭摆试验组件包括试验台、扭摆盘、扭摆滚珠和扭摆电机。模拟试验崩塌表层滑动崩塌脱离危岩基体表面的规律，更进一步可通过扭摆电机带动试验危岩基体回转摆动，试验崩塌表层在环圈切向惯性作用下，滑动脱离危岩基体模拟危岩崩塌滑落试验，此时横向惯性作用力与环圈切向惯性作用力合力，试验崩塌表层与危岩基体的相对滑动更加复杂多向，有利于分析模拟危岩崩塌滑落的规律，通过复杂多向的试验崩塌表层和试验危岩基体的相对滑动，模拟自然界危岩表层滑动崩塌的场景，科学分析危岩结构面演化特征、失稳崩塌规律
岩崩试验模拟装置

[发明专利]一种增强型氮化物场效应晶体管-CN202010087726.9在审
发明人：王磊 -专利权人：苏州晶界半导体有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管,其中器件的栅极凹槽结构贯穿GaN缓冲层和GaN沟道层，使漏极与源极在GaN缓冲层与GaN沟道层电气隔离，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌；本发明中一种增强型氮化物场效应晶体管还包括氮化物材料通过激光剥离和衬底转移工艺技术优点：通过优化工艺流程和器件设计结构，有效抑制氮化物场效应晶体管电流崩塌和提升氮化物场效应晶体管热稳定性。
一种增强氮化物场效应晶体管

[发明专利]常关型沟道调制器件及其制作方法-CN202111152886.8在审
发明人：毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张鹏;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种常关型沟道调制器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基功率开关器件存在的电流崩塌问题，其自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)，势垒层(3)上从左到右依次设有源极(6)、P‑GaN本发明能有效抑制常关型器件的电流崩塌，可用于电力电子系统基本器件。
常关型沟道调制器件及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条