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[发明专利]波长6微米的激光器的有源区和激光器-CN202111310275.1有效
发明人：程凤敏;张锦川;卓宁;翟慎强;王利军;刘俊岐;刘舒曼;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
波长微米激光器有源

[发明专利]一种基于GaN的横向结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202010887566.6有效
发明人：赵胜雷;朱丹;张进成;张春福;王中旭;张苇杭;吴银河;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GaN横向结势垒肖特基二极管及其制备方法，此势垒肖特基二极管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；P注入区，设置于缓冲层、插入层和势垒层内，位于缓冲层、插入层和势垒层的一端，P注入区包括若干P区和若干N区，且两个相邻所述P区之间未进行P注入的区域由于存在二维电子气即为N区；阳电极，位于P注入区的上表面；阴电极，位于势垒层的上表面，且位于势垒层远离阳电极的一端本势垒肖特基二极管及其制备方法，通过P注入区与二维电子气形成梳状的横向PN结，有效屏蔽低势垒高度的肖特基结，可以抑制肖特基势垒降低效应及控制反向漏电流，提高击穿电压，同时保持较低的开启电压。
一种基于 gan 横向结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法-CN201811246105.X有效
发明人：于欢;孙昌;钱俊;张武志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法，包括下列步骤：形成有效像素区、势垒区和暗像素区的CIS器件结构；对有效像素区和暗像素区进行阀值电压调整离子注入，在传输栅下形成P阱；对势垒区进行N型深阱离子注入，形成深度N型离子掺杂；在有效像素区形成的电子通过P阱和N阱之间PN结进入势垒区；在势垒区的晶体管的复位管打开时，将电子导出，从而抑制有效像素区和暗像素区之间的串扰。本发明提出一种优化势垒区像素离子注入改善串扰的方法，针对特定区域的强串扰，即高光溢出现象(blooming)的解决方法，并且只是通过优化CIS在势垒区(barrier)的像素的离子注入，效果明显，且方法简单
一种优化势垒区像素离子注入改善方法

[发明专利]一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法-CN202210675845.5在审
发明人：张毅;张骏;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，该深紫外LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、电流扩展层、调制量子阱有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；沿电流扩展层至电子阻挡层的方向，调制量子阱有源层包括依次层叠布置的第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层与非掺杂势垒层的Al组分百分数相同，第一势垒层的Al组分百分数大于第二势垒层的本发明通过对量子阱有源层进行调制设置，由第一势垒层、非掺杂势垒层、势阱层和第二势垒层形成特定的单量子阱结构，改善了电子和空穴向量子阱中的注入效率，提高了器件的发光效率。
一种具有量子结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器-CN201711166225.4有效
发明人：陈文锁;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于：包括重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型注入结构、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器包括注入结构和肖特基接触超级势垒整流器元包序列。所述高可靠性肖特基接触超级势垒整流器属于超级势垒整流器类型，其肖特基接触超级势垒整流器元包序列部分能够使该器件获得好的电性性能和热稳定性，其注入结构部分能够使该器件获得更好的正向浪涌可靠性能力。
一种可靠性肖特基接触超级整流器

[发明专利]氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法-CN202110970797.8在审
发明人：王泽宇;陈家博;刘志宏;朱肖肖;赵胜雷;周弘;张苇杭;段小玲;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层；外延层，设置在衬底层上，外延层包括自下而上依次层叠设置的缓冲层、导通层和势垒层，势垒层位于导通层上表面的中部；阳极，设置在势垒层上；阴极，位于导通层上未被势垒层覆盖的区域，势垒层的两侧面，以及势垒层的部分上表面；势垒层内间隔设置有若干氟注入场环，氟注入场环位于阳极和阴极之间。本发明的氟离子注入场环氮化镓准垂直肖特基二极管，将带负电荷的氟离子作为场限制环结合到三族氮化物中，制备准垂直结构的侧壁肖特基势垒金属阴极，解决了肖特基金属淀积边缘电场线拥挤的问题，从而解决准垂直肖特基二极管过早击穿的问题
离子注入氮化垂直肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮化物LED结构及其制备方法-CN201110095027.X有效
发明人：于洪波 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物LED结构，其多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度梯度变化，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过梯度改变多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度，使得靠近P型空穴注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度大，靠近N型电子注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度小，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率。
一种氮化物 led 结构及其制备方法

[发明专利]量子级联激光器-CN201580011072.9有效
发明人：薮原秀彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：量子级联激光器的活性层具有多个发光区域和多个注入区域。各个发光区域具有注入势垒层、以及至少含有两个阱层并通过子带间跃迁发出红外光的发光量子阱层。各个注入区域具有抽出势垒层以及弛豫量子阱层，该弛豫量子阱层形成使来自上述发光区域的载流子的能量弛豫的能级。在各个发光量子阱层内邻接的两个阱层中，上述抽出势垒层侧的阱层比上述注入势垒层侧的第2阱层深。各个发光区域与各个注入区域交替层叠。
量子级联激光器

[发明专利]具有渐变的量子势垒层的发光二极管-CN201980039235.2在审
发明人：李晓航 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝量子势垒层包围，和第二氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层包围。该第一氮化铝量子势垒层、第二氮化铝量子势垒层和第三氮化铝量子势垒层中的至少一个具有渐变的铝组分。第一氮化铝量子势垒层与n型氮化铝层相邻，并且第三氮化铝量子势垒层与p型氮化铝空穴注入层相邻。
具有渐变量子势垒层发光二极管

[发明专利]一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构-CN201811632413.6有效
发明人：叶炜浩 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明所提供的制备方法，包括：注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；其中，掺杂金属原子缺电子，且掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。通过引入掺杂金属在势垒层表面形成均匀分布的成核点，改善了量子点在势垒层表面生长的均匀性，提高了量子阱的量子效率。
一种量子结构制备方法

[发明专利]量子级联激光器-CN202010074646.X在审
发明人：加藤隆志 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-01-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子级联激光器，其具有核心区，该核心区包括第一注入层、有源区和第二注入层。有源区包括第一阱层、第二阱层、第三阱层、第一势垒层和第二势垒层。第一势垒层被设置在第一阱层和第二阱层之间，并将第一阱层与第二阱层分离。第二势垒层被设置在第二阱层和第三阱层之间，并将第二阱层与第三阱层分离。第一势垒层具有1.2nm或更小的厚度，并且第二势垒层具有1.2nm或更小的厚度。
量子级联激光器

[发明专利]III族氮化物半导体发光二极管-CN200810114715.4有效
发明人：王海嵩;熊志军;张磊;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2－3倍。
iii 氮化物半导体发光二极管

[实用新型]一种基于氧处理的高性能p-GaN栅增强型晶体管-CN202320135793.2有效
发明人：李祥东;王萌;袁嘉惠;王峻博;杨伟涛;游淑珍;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧处理的高性能p‑GaN栅增强型晶体管，包括：衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层、氧离子注入区、栅极、隔离区、源极以及漏极，其中，衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层自下而上依次设置；p‑GaN帽层位于AlGaN势垒层的上表面中心位置；氧离子注入区位于AlGaN势垒层的内部，并且，氧离子注入区位于p‑GaN帽层的正下方；栅极位于p‑GaN帽层的上方；隔离区位于GaN高阻层的上方，源极和漏极位于GaN沟道层的上方，分别位于AlGaN势垒层5两侧。本实用新型提供的晶体管能够充分耗尽栅极区域下GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生的二维电子气，同时削弱晶体管栅极区域势垒层的极化效应，进而提高晶体管阈值电压和导通电流。
一种基于处理性能 gan 增强晶体管

[发明专利]一种MIS-HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910172827.3有效
发明人：郑雪峰;马晓华;李纲;王小虎;陈管君;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIS‑HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：底层(15)、势垒层(4)、绝缘层(5)、源极(7)、栅极(8)、漏极(9)、第一掺杂区(11)、第二掺杂区(12)、电极A(13)和电极B本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整偏置电压来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对MIS‑HEMT器件的热电子效应进行深入分析。
一种 mis hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

[发明专利]基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法-CN201910177938.3有效
发明人：郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于HEMT器件的热电子效应测试结构，包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、势垒层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)、第一掺杂区(9)、第二掺杂区(10)、电极A(11)和电极本实施例提供了一种热电子注入数量与能量可控技术的基于HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法，通过调整电压Va和Vb来控制势垒层中热电子的注入数量，并通过调整电压Va来控制势垒层中热电子的注入能量，解决了器件热电子注入数量和注入能量的不可控，以及非均匀注入势垒层等问题，有助于对异质结器件中的热电子效应进行深入分析。
基于 hemt 器件电子效应测试结构及其表征方法

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