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[实用新型]一种基于氧处理的高性能p-GaN栅增强型晶体管-CN202320135793.2有效
发明人：李祥东;王萌;袁嘉惠;王峻博;杨伟涛;游淑珍;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氧处理的高性能p‑GaN栅增强型晶体管，包括：衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、p‑GaN帽层、氧离子注入区、栅极、隔离区、源极以及漏极，其中，衬底、缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层自下而上依次设置；p‑GaN帽层位于AlGaN势垒层的上表面中心位置；氧离子注入区位于AlGaN势垒层的内部，并且，氧离子注入区位于p‑GaN帽层的正下方；栅极位于p‑GaN帽层的上方；隔离区位于GaN高阻层的上方，源极和漏极位于GaN沟道层的上方，分别位于AlGaN势垒层5两侧。本实用新型提供的晶体管能够充分耗尽栅极区域下GaN沟道层和AlGaN势垒层之间产生的二维电子气，同时削弱晶体管栅极区域势垒层的极化效应，进而提高晶体管阈值电压和导通电流。
一种基于处理性能 gan 增强晶体管

[发明专利]一种GaN HEMT功率半桥电路系统-CN202310160863.4在审
发明人：李祥东;王峻博;王萌;杨伟涛;袁嘉惠;游淑珍;常晶晶 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN HEMT功率半桥电路系统，包括：死区时间控制电路(1)、电平移位电路和上侧逻辑电路(2)、逻辑和控制电路(3)、高侧驱动(4)、低侧驱动(5)、电流检测电路(6)、高侧器件(7)、低侧器件(8)、二极管(D)、第一电容(C101)、电感(L)、第二电容(C102)和第一电阻(R101)。本发明实施例的GaN HEMT半桥电路系统在降低电路静态功耗的同时，提高电路性能，且具备防止高侧与低侧器件串通的保护电路系统功能；在提升半桥电路性能的同时，提升了电路的可靠性，降低了设备损坏的风险。
一种 gan hemt 功率电路系统

[发明专利]基于选择性湿法腐蚀工艺的P-AlGaN栅增强型晶体管及制备方法-CN202211354448.4在审
发明人：李祥东;王峻博;王萌;杨伟涛;袁嘉惠;游淑珍;常晶晶;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于选择性湿法腐蚀工艺的P‑AlGaN栅增强型晶体管及制备方法，该制备方法包括步骤：在衬底层上依次生长AlN成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层、P‑AlGaN层、金属层和掩膜层；使用干法刻蚀方法去除栅极区域外的掩膜层和金属层，露出P‑AlGaN层的上表面；使用湿法刻蚀方法，以GaN帽层为自停止层，刻蚀掉栅极区域外的P‑AlGaN层，形成P‑AlGaN栅极结构；湿法去除掩膜层，并在金属层、P‑AlGaN层、P‑AlGaN层的表面沉积介质材料，形成钝化层；在器件有源区之外制备隔离区；在P‑AlGaN栅极结构上的金属层上制备栅极；在栅极的一侧制备源极，另一侧制备漏极，使得源极和漏极均与隔离区相邻且深入GaN沟道层中。该方法解决了传统干法刻蚀所造成的损伤导致的P‑GaN侧墙缺陷产生的问题。
基于选择性湿法腐蚀工艺 algan 增强晶体管制备方法

[发明专利]一种双层钝化耗尽型MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202210434393.1在审
发明人：李祥东;袁嘉惠;王峻博;王萌;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层钝化耗尽型MIS‑HEMT器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层以及AlGaN势垒层；在上一步得到的样品两侧形成器件的隔离区；在AlGaN势垒层上表面生长Si钝化层，并通过热氧化工艺在Si钝化层表面形成一层SiO2氧化层，从而形成Si‑SiO2双层钝化结构；刻蚀掉栅极区域两侧的SiO2氧化层和Si钝化层；在整个样品表面淀积SiO2钝化层；制作器件的源漏极和栅极。本发明通过在栅极氧化物和半导体之间生长一层Si钝化层，并经热氧化形成Si‑SiO2双层钝化结构，有效减少了栅极介质和势垒层之间的界面态，减小了器件阈值电压负漂，避免了现有器件因栅极不稳定导致的失效问题，实现了具有优异可靠性的耗尽型MIS‑HEMT器件。
一种双层钝化耗尽 mis hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种灯塔停光停电报警系统-CN201922136677.9有效
发明人：车荣合;张继军;路少君;于有来;姜书成;郑国旺;贾承扬;张璞;陈希彬;王峻博 -专利权人：交通运输部北海航海保障中心大连航标处
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： F21S9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种灯塔停光停电报警系统，具体涉及电工技术领域，包括灯塔体，所述灯塔体包括灯塔底层，所述灯塔底层的底端设置有基础层，且灯塔底层的顶端连接有监测室，且灯塔底层与基础层的连接处设置有阶梯，所述监测室的顶端设置有塔顶，所述塔顶的内部顶端安装有吊杆。本实用新型设置了定位凸起、弹簧、限位腔、滑块以及滑槽，滑块进入到限位腔的内部，当定位凸起到达定位孔的位置时，定位凸起进入到定位孔的内部，实现了LED照明灯与安装座之间的固定，LED照明灯安装拆卸简单，更换方便，设置了停电报警器、光敏传感器以及警报灯，光敏传感器接收不到光信号，警报灯发出警报，便于及时检查LED照明灯，适用于夜晚的情况。
一种灯塔停电报警系统