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[发明专利]具有势垒的隧道晶体管-CN200780003316.4无效
发明人：雷德弗里德勒·胡尔克斯;普拉巴特·阿加瓦尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体管(21)，包括源极(24)和漏极(29)以及定位在源极和漏极之间的势垒区(27)。势垒区用半导体材料的本征或低掺杂区(26、28)与源极和漏极隔离。在势垒区与本征或低掺杂区的界面上形成势垒。栅电极(32)设置在势垒的附近，结果使势垒的有效高度和/或宽度能通过向栅电极施加适当的电压进行调制。
具有隧道晶体管

[发明专利]氮化镓晶体管及其制造方法-CN201911407484.0在审
发明人：逯永建;贾利芳;肖金平;闻永祥;李东昇 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化镓晶体管及其制造方法，包括：在势垒层上方的第一区域形成栅叠层，栅叠层包括栅极结构层以及位于栅极结构层和势垒层之间的第一插入层；以及在势垒层上方的第二区域形成第一空穴注入层，第一区域和第二区域彼此隔开该氮化镓晶体管采用第一空穴注入层向沟道层中注入电荷以释放陷阱能级捕获的电子，因而可以获得稳定的导通电阻。
氮化晶体管及其制造方法

[发明专利]具备信号电荷选择功能的CCD像元结构-CN201310627833.6无效
发明人：熊平;史泽林;李立;罗海波;向鹏飞;唐遵烈 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：一种具备信号电荷选择功能的CCD像元结构，包括有效信号储存区、无效信号泄放区、有效信号读出势垒、信号分割势垒、感光区、CCD处理单元、信号储存区和光敏区势垒；感光区与信号储存区连接；信号储存区输出端分别与有效信号读出势垒和信号分割势垒连接，有效信号读出势垒与有效信号储存区的连接，信号分割势垒与无效信号泄放区连接；有效信号储存区的通过光敏区势垒与CCD处理单元连接；有效信号读出势垒上方设置有有效信号读出栅，信号分割势垒上方设置有信号分割栅
具备信号电荷选择功能 ccd 结构

[发明专利]基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管-CN202110968495.7在审
发明人：周大雨;隋金洋;孙纳纳;习娟 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种基于铁电性Ⅲ族氮化物极化反转的增强型高电子迁移率晶体管，其自下而上依次为衬底、成核层、缓冲层、插入层、势垒层和钝化层；势垒层包括非铁电性势垒层、铁电性Ⅲ族氮化物势垒层，铁电性Ⅲ族氮化物势垒层在非铁电性势垒层和钝化层之间缓冲层和势垒层形成禁带宽度不同的异质结，缓冲层禁带宽度小于势垒层禁带宽度；缓冲层上表面的两端设有源电极和漏电极；铁电性Ⅲ族氮化物势垒层上设有栅电极，栅电极嵌套在钝化层中。本发明缓冲层和势垒层均采用Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，二者制备工艺兼容，各层薄膜生长质量高、薄膜间界面特性好；同时Ⅲ族氮化物铁电材料的电滞回线矩形度高、剩余极化强度大，器件关闭和导通状态的保持时间长，服役可靠性更高
基于铁电性氮化物极化反转增强电子迁移率晶体管

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法、太赫兹探测器-CN202310545402.9在审
发明人：郑小平;李熠豪;邓晓娇 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法、太赫兹探测器，涉及太赫兹信号探测领域，包括：衬底，以及在衬底一侧依次层叠设置的氮化镓成核层以及氮化镓缓冲层；第一势垒层以及第二势垒层，第一势垒层与第二势垒层包含铝粒子，第一势垒层包括靠近衬底的第一侧和背离衬底的第二侧，第一势垒层的铝粒子含量占比从第一侧到第二侧逐渐提升，以使在第一势垒层形成三维电子气；第二势垒层与第二侧的铝粒子含量占比相同；源极、栅极和漏极，源极、栅极和漏极与第二势垒层形成欧姆接触本申请通过设置铝粒子含量占比逐渐提升的第一势垒层，形成具有一定厚度的三维电子气，有效减小了栅极与沟道区的距离，提升晶体管的响应度。
氮化电子迁移率晶体管及其制备方法赫兹探测器

[发明专利]一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台-CN202210170106.0在审
发明人：魏进;杨俊杰;吴妍霖 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓器件及其制造方法、半导体集成平台，在衬底上可以依次堆叠第一势垒层、沟道层和第二势垒层，第一势垒层、沟道层和第二势垒层的材料为Ⅲ‑Ⅴ族化合物，且第一势垒层和第二势垒层的带隙大于沟道层的带隙，由于极化效应使第一势垒层和沟道层之间形成空穴积累层，沟道层和第二势垒层之间形成的二维电子气作为器件的沟道，之后可以形成第二势垒层上的源极以及与源极电连接的连接结构，连接结构完全贯穿第二势垒层且至少部分贯穿沟道层
一种氮化器件及其制造方法半导体集成平台

[发明专利]一种结势垒肖特基二极管-CN201910458056.4在审
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种结势垒肖特基二极管，自上而下依次包括阳极电极层、隔离介质层、N‑外延层、N+衬底层和阴极电极层，其中，在N‑外延层的上表面设置有P型离子注入区；相邻P型离子注入区的间距从N‑外延层的上表面中心至边缘呈减小趋势；并且P型离子注入区的深度从N‑外延层的上表面中心至边缘呈减小趋势。该结势垒肖特基二极管通过使相邻P型离子注入区的间距从器件中心至边缘呈减小趋势，且P型离子注入区深度从器件中心至边缘呈减小趋势，使得器件肖特基接触区的面积从中心至边缘逐渐减小，从而减小了器件中心处与边缘处的温度差
减小外延层结势垒肖特基二极管器件中心上表面中心隔离介质层肖特基接触阳极电极层阴极电极层有效抑制逐渐减小边缘处衬底层电迁移上表面温度差

[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法-CN201911398448.2在审
发明人：郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明在不引入其他异质材料层的情况下，利用界面势垒可以调控电子注入，实现其与空穴注入的平衡。ZnMgO可调节电子传输层的禁带宽度，调节电子的注入势垒，降低电子的注入效率，可平衡电子‑空穴的注入，达到促进电子‑空穴在量子点发光层内有效的辐射复合的目的，进而提高器件的效率。
一种量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种通过增加注入复合区以增大发光效率的方法及系统-CN202210512778.5在审
发明人：安雪娥;潘汉怀;邵瑛 -专利权人：上海电子信息职业技术学院
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体发光器技术领域，公开了一种通过增加有效注入复合区以增大发光效率的方法及系统，根据电场分布情况调整量子阱厚度，将量子阱区与势垒区电场方向调到相反，减少载流子的泄露；增大有效复合区域：载流子通过隧穿效应到达一个区域后，将此区域的势垒厚度增大，阻止载流子向两端逃逸，达到增加有效注入复合区的目的，进而增大发光效率。本发明提供的通过增加有效注入复合区以增大发光效率的方法，根据电场的分布情况，调整量子阱厚度，将注入区的面积调到最大：载流子通过遂穿效应到达一个区域后，将此区域的量子阱厚度增大，以增加注入复合区，能够有效增大发光效率
一种通过增加注入复合增大发光效率方法系统

[发明专利]AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法-CN201911405708.4在审
发明人：付羿;周名兵 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlN势垒层、AlN/GaN HEMT外延结构及其生长方法，其中，AlN/GaN HEMT外延结构从下到上依次包括：生长衬底、位错过滤层、应力控制层、GaN薄层及AlN势垒层，其中，所述AlN势垒层中掺杂饵。由于铒的原子半径比Al大，稀土元素铒掺入AlN势垒层后，会在AlN材料中产生晶格畸变从而提高AlN势垒层的压电性能；另外，由于铒的电负性小，增加了AlN势垒层中的离子键比例，进一步增强了稀土掺杂AlN势垒层的压电系数和极化效应，使得掺铒的AlN势垒层厚度减薄后仍然可以获得高面密度的二维电子气。
aln 势垒层 gan hemt 外延结构及其生长方法

[发明专利]一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法-CN202211086074.2在审
发明人：李浩文;周靖;陈效双;徐文;付兰克 -专利权人：深圳网联光仪科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法，双异质结太赫兹探测器包括在蓝宝石衬底上依次是i‑GaN缓冲层和势垒层组，所述势垒层组与所述i‑GaN缓冲层形成2‑DEG通道，其中，所述势垒层组从下到上依次包括i‑InGaN层、i‑GaN沟道层、第一i‑AlGaN势垒层、n‑doped AlGaN势垒层、第二i‑AlGaN势垒层、SiN绝缘层；源极和漏极分别位于所述势垒层组的两端接触，并与所述2‑DEG通道形成欧姆接触；栅极与所述n‑dopedAlGaN势垒层形成肖特基接触。
一种双异质结太赫兹探测器及其制作方法

[发明专利]氮化镓基晶体管-CN202310678628.6在审
发明人：孙海定;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基晶体管，包括：底部结构；背势垒层，设置在底部结构上，背势垒层采用铝元素、镓元素、铟元素与氮元素组合的二元、三元或四元合金，背势垒层的铝元素组分沿背势垒层的生长方向递减，以改变氮化镓基晶体管沟道处的能带结构；沟道层，设置在背势垒层上，沟道层用于提供电流横向流通的通道；势垒层，设置在沟道层上，势垒层用于与沟道层形成异质结，通过极化效应在异质结的界面处形成二维电子气；其中，背势垒层用于限制电子在沟道层中传输，
氮化晶体管

[发明专利]外延结构及半导体器件-CN202210206690.0有效
发明人：许洁;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种外延结构及半导体器件，外延结构包括：钝化层；势垒层，势垒层位于所述钝化层的一侧；其中，所述势垒层的表面包括至少一个势垒层凹槽，至少一个势垒层凹槽位于结构设定区域，且所述至少一个势垒层凹槽的开口朝向钝化层势垒层表面的势垒层凹槽可以引入更多的电场集中区域，进而削弱在栅极靠近漏极的边缘处因电场集中效应产生的峰值电场的强度，减少栅极边缘因该峰值电场的作用变为会被陷阱俘获的热电子的数量，进而缩短了在半导体器件开关时陷阱的充放电时间
外延结构半导体器件

[发明专利]整流器-CN200980129467.3有效
发明人：关口亮太 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该整流器包括：包括肖特基电极(111)的肖特基势垒部分(101)；对于在肖特基势垒部分中的多数载流子具有整流特性的势垒部分(102)；以及与具有整流特性的势垒部分电接触的欧姆电极(103)，其中肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分中的每一个具有其在一侧的坡度比另一侧的坡度大的不对称的能带轮廓，以及肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分彼此连接使得能带轮廓的陡的坡度侧位于肖特基电极一侧。
整流器

[发明专利]磁性隧道结-CN201210229507.5在审
发明人：吴昊;张佳;余天;张晓光;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用，磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中，包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单元、磁逻辑器件单元、自旋晶体管和自旋场效应管。基于这些新型势垒的磁性隧道结，势垒层与磁性电极晶格失配度较低，在保持高的室温隧穿磁电阻比值的同时，偏压依赖特性比较弱，击穿电压得到提高。
磁性隧道