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[实用新型]一种被授时设备网络时间精度监测方法的接口电路-CN202122473761.7有效
发明人： 王海嵩;邱祖雄;方国盛 -专利权人：上海泰坦通信工程有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种被授时设备网络时间精度监测方法的接口电路，其特征在于，包括实现NTP协议栈功能的主控FPGA模块、主控MCU模块、第一路被授时设备NTP检测接口单元以及第二路被授时设备NTP检测接口单元。本实用新型通过网络时间同步NTP技术，进行被授时设备的网络时间精度的测试，可以更进一步地提高网络授时精度的测量。本实用新型在FPGA硬件层面完成了NTP协议栈的功能，NTP协议监测包通过主控FPGA模块完成硬件时标的写入功能，为软件分析、被授时设备封包在网络上的往返延迟提供NTP包的准确硬件时标，从而独立地给出每一个被授时设备的网络时钟偏差，进而更精准地监测被授时设备的时间精度。
一种授时设备网络时间精度监测方法接口电路

[实用新型]基于北斗的DCLS监测装置的信号输入电路-CN201920898109.X有效
发明人：马广新;王雅芬;王海嵩;苏金广 -专利权人：上海泰坦通信工程有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01S19/37 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种基于北斗的DCLS监测装置的信号输入电路，其包括十六路监测输入信号电路；第一路监测输入信号电路包括：第一光电管U122，其2脚通过电阻R214接隔离电源电路、3脚通过电阻R231接第一反相器U103、5脚接地、6脚通过电阻R184接第一信号输入端、7脚接5V电源、8脚接5V电源，第一光电管U122的7脚、8脚连接于电阻R148，电阻R148另一端接第一光电管U122的5脚，第一光电管U122的8脚接有另一端接地的电容C121，第一反相器U103的2脚接电阻R129和电阻R101、3脚接隔离电源电路、5脚接隔离电源电路，电阻R129接BNC输入，第二‑十六路监测输入信号电路参见说明书，本实用新型能够同时输入多个DCLS时间信号。
基于北斗 dcls 监测装置信号输入电路

[实用新型]频率锁相环电路-CN201920897130.8有效
发明人：张强;王海嵩;朱亚;马广新 -专利权人：上海泰坦通信工程有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种频率锁相环电路，其包括：参考电压芯片电路、数模转换电路、模拟放大器电路、TCXO控制电路、频率整形分配电路；参考电压芯片电路接5V电源并输出参考电压；数模转换电路连接于参考电压芯片电路；数模转换电路连接于模拟放大器；模拟放大器连接于TCXO控制电路；TCXO控制电路连接于频率整形分配电路。采用16位数模转换的高精度的电压控制电路，通过SPI总线控制，频率输出经过FPGA的时钟输入脚，便于计算相位偏差。
参考电压芯片数模转换电路控制电路电路模拟放大器分配电路整形模拟放大器电路电压控制电路计算相位偏差输出参考电压本实用新型时钟输入脚频率输出模转换频率锁相环

[实用新型]基于硬件NTP监测的应用接口电路-CN201920897125.7有效
发明人：王延明;王海嵩;张强;朱亚 -专利权人：上海泰坦通信工程有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种基于硬件NTP监测的应用接口电路，其包括：主控MCU；连接于主控MCU的主控FPGA模块，主控FPGA模块连接有2路监测部分以及2路输出部分，2路监测部分采用NTP监控模块(NTP Monitor模块)，2路输出部分为2路NTP模块。NTP硬件时间戳的应用，提高了本身设备的测试精度。NTP Monitor功能是基于NTP的硬件时标实现的，NTP包的硬件时标T1、T4都是由硬件完成的，摆脱了软件打时标的不确定性，提高了测量精度。
主控FPGA 主控MCU 时标监测本实用新型硬件时间戳不确定性监控模块模块连接应用接口输出电路测量测试应用

[实用新型]高精度NTP时间服务器-CN201620365779.1有效
发明人： 王海嵩;方国盛;马广新 -专利权人：上海泰坦通信工程有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高精度NTP时间服务器，卫星时钟处理FPGA单元与DCLS接收单元相连，DCLS接收单元连接北斗/GPS卫星接收单元及主CPU单元，主CPU单元还连接北斗/GPS卫星接收单元，卫星时钟处理FPGA单元输出的时间信号通过DA驱动单元驯服时间保持单元OCXO振荡器，其特征在于，NTP信号在以太网物理层单元上标记时间戳，并通过硬件FPGA单元高速处理后由DCLS解包及NTP授时管理单元输出时间。本实用新型基于FPGA硬件的方式，完成NTP授时任务的NTP时间服务器设计与实现方式，提供了一种高精度NTP时间服务器，能够实现局域网范围内微秒级时间同步。
高精度 ntp 时间服务器

[发明专利]一种氮氧化合物发光材料、其制备方法以及由其制成的照明光源-CN201010611621.5有效
发明人：贾晓卿;王海嵩;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：M1-yX4-xZ1+xOxN7-x:Ry，其中，M为碱金属、碱土金属、稀土金属、过渡金属中的一种或几种；X为Si，Ge，B，Al中至少一种且包含Si；Z为Al，Ga，In中至少一种且包含Al；R为发光中心元素Eu，Ce，Tb，Yb，Sm，Pr，Dy中至少一种；0≤x＜0.5；0＜y＜1.0。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源激发时，能发射波长在500-750nm的黄色光或者红色光，配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。本发明的发光材料具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。
一种氧化发光材料制备方法以及制成照明光源

[发明专利]一种氮化合物发光材料及其制法以及由其制成的照明光源-CN201110293647.4有效
发明人： 王海嵩;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明涉及“一种氮化合物发光材料及其制法以及由其制成的照明光源”，属于LED无机发光材料领域。氮化合物发光材料，其化学式为：M1-yEuyAlSiCxN3-4/3x，其中，M为Li，Mg，Ca，Sr，Ba等碱土金属中的一种或几种；0＜x≤0.2；0＜y≤0.5；C为碳元素。该发光材料被紫外、近紫外或蓝光等激发光源如LED激发时，能发射波谱在500-800nm范围且最大发射波长位于600-700nm的红色光，具有激发波长范围宽、高效、稳定的特点，制备方法简单、易于批量生产、无污染。用本发明的发光材料配合紫外、近紫外或蓝光LED以及其它发光材料如绿色荧光粉可制得新型白光LED光源。
一种氮化发光材料及其制法以及制成照明光源

[发明专利]半导体发光装置-CN201010168081.8有效
发明人： 王海嵩;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2010-05-11 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体发光装置，属于发光二极管领域。采用透明的玻璃片放置在点胶后的荧光胶的上部，致使荧光胶膜在器件表面的厚度保持均匀。采用透明支撑物于玻璃片于发光器件之间，解决了不同封装器件之间会产生较大的色温差的问题。本发明能够以最简单的方式实现单一封装装置色温均匀性，改善器件光斑，以及不同装置间色温的一致性，提高生产效率。
半导体发光装置

[发明专利]一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用-CN200910176523.0有效
发明人：张小玲;王海嵩;蔺向阳;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明涉及“一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用”，涉及半导体领域。一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：A_xB_yO_zN_{2/3x+4/3y-2/3z}:R，其中，A为下列物质中的一种或几种：Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Li，Na，所述B为Si，Ge，Zr，Ti，B，Al，Ga，In中的一种或几种且至少含有Si。该发光材料化学性质稳定、发光性能优异，能被紫外或蓝光LED激发的白光LED用氮氧化物的蓝绿色到红色发光材料；其激发波长在300-500nm之间，发光波长在470-700nm之间，该类发光材料配合蓝色LED或紫外或近紫外LED能制成白光LED照明或显示光源。
一种氧化发光材料制备方法及其应用

[发明专利]半导体发光装置-CN200810105392.2有效
发明人： 王海嵩;熊志军;刘锐;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及“半导体发光装置”，属于半导体光电器件领域。半导体发光装置，包括集光反射杯和覆盖有荧光粉层的半导体发光芯片，其特征在于：集光反射杯与荧光粉层在光出射方向上不接触或接触部分不超过半导体发光芯片的高度，抑制了金属杯表面与荧光粉之间的多重反射，光在金属杯上反射产生的损耗降低，从而使本发明半导体发光装置的光取出效率得到提高。与常规的半导体发光装置的对比实验，证明本发明的光取出效率提高了20％左右。
半导体发光装置

[发明专利]III族氮化物半导体发光二极管-CN200810114715.4有效
发明人： 王海嵩;熊志军;张磊;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2008-06-11 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及“III族氮化物半导体发光二极管”，属于化合物半导体技术领域。III族氮化物半导体发光二极管，其活性层为存在内部电场的量子阱结构，所述量子阱结构活性层由位于p型区域一侧的第一势垒层、量子阱层、和位于n型区域一侧的第二势垒层所构成的，其特征在于：所述量子阱层中插入第三势垒层，所述第三个势垒层的厚度满足以下条件：(1)由p型区域注入的空穴能被屏蔽在第三势垒层与位于p型区域一侧的第一势垒层之间；(2)由n型区域注入的电子能自由通过第三势垒层，向能量最低的区域移动。本发明通过插入第三势垒层，使电子和空穴的波动函数的空间重叠部分增大，发光复合效率增大，是插入第三势垒层之前的2－3倍。
iii 氮化物半导体发光二极管

[发明专利]一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用-CN200710118199.8有效
发明人：张小玲;王海嵩;蔺向阳;鲍鹏 -专利权人：北京宇极科技发展有限公司
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及“一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用”，涉及半导体领域。一种氮氧化合物发光材料，其化学式为：A_xB_yO_zN_{2/3x+4/3y－2/3z}:R，其中，A为下列物质中的一种或几种：Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，所述B为Si，Ge，Zr，Ti，B，Al，Ga，In，Li，Na中的一种或几种且至少含有Si。该发光材料化学性质稳定、发光性能优异，能被紫外或蓝光LED激发的白光LED用氮氧化物的蓝绿色到红色发光材料；其激发波长在300－500nm之间，发光波长在470－700nm之间，该类发光材料配合蓝色LED或紫外或近紫外LED能制成白光LED照明或显示光源。
一种氧化发光材料制备方法及其应用

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