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[发明专利]倒T型隧穿场效应晶体管-CN201910156471.4有效
发明人：韩茹;张海潮;王党辉;安建峰;黄小平;张萌;陈超 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒T型隧穿场效应晶体管，SOI晶圆的硅衬底上方为SOI晶圆的衬底绝缘层，SOI晶圆的衬底绝缘层上方为重掺杂源区、两个单晶硅薄膜和两个重掺杂漏区，两个单晶硅薄膜L型两侧分别有一个栅极绝缘层，栅极绝缘层的两侧分别有绝缘介质阻挡层，栅极绝缘层两侧且绝缘介质阻挡层的上方为栅极，两个栅极分别位于两侧绝缘介质阻挡层之上且分别与两侧栅极绝缘层接触；栅电极位于栅极上方；源电极位于重掺杂源区上方；漏电极位于重掺杂漏区上方本发明具有良好的栅极控制能力，具有优秀的亚阈值特性和正向导通能力，使得器件保证在正向特性的同时，具有良好的低反向泄露电流和静态功耗。
型隧穿场效应晶体管

[发明专利]薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置-CN201780059867.6在审
发明人：大平真也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的薄膜晶体管基板具备：绝缘基板；栅极电极，其配置在绝缘基板上；栅极绝缘层，其覆盖栅极电极；氧化物半导体层，其配置在栅极绝缘层上的与栅极电极的一部分重叠的位置；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层的上表面和侧面；以及源极电极和漏极电极，其配置在层间绝缘层上，在层间绝缘层中，从氧化物半导体层侧按顺序层叠第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层，在俯视时与氧化物半导体层重叠的区域具有第一开口部和第二开口部，其中，源极电极和氧化物半导体层在第一开口部接触，漏极电极和氧化物半导体层在第二开口部接触，蚀刻液对第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层的蚀刻速率具有特定的关系。
薄膜晶体管基板氧化物半导体层层间绝缘层绝缘层开口部栅极电极栅极绝缘层绝缘基板漏极电极显示装置源极电极第三层第一层配置蚀刻覆盖氧化物半导体层上表面蚀刻液俯视制造侧面覆盖

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201310483122.6有效
发明人：李文辉;曾志远 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管为底栅共平面结构，包括以下步骤步骤1、提供基片（20）；步骤2、在基片（20）上形成栅极（22）；步骤3、在栅极（22）与基片（20）上形成栅极绝缘层（24）；步骤4、在栅极绝缘层（24）上形成源/漏极（26），且该源/漏极（26）上覆盖有感光材料层（27）；步骤5、对栅极绝缘层（24）表面进行等离子体处理；步骤6、去除源/漏极（26）上的感光材料层（27）；步骤7、在源/漏极（26）及栅极绝缘层（24）上形成氧化物半导体层（28），并图案化该氧化物半导体层（28）。本发明通过对栅极绝缘层表面进行等离子体处理，修复栅极绝缘层与氧化物半导体层界面的缺陷，进而改善薄膜晶体管的电性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210475097.2有效
发明人：崔虎山;钟汇才;项金娟;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括在衬底上形成假栅极绝缘层、刻蚀停止层和假栅极层构成的假栅极堆叠；在假栅极堆叠两侧的衬底上形成栅极侧墙；去除假栅极层，直至暴露刻蚀停止层；去除刻蚀停止层，直至暴露假栅极绝缘层；去除假栅极绝缘层，直至暴露衬底，形成栅极沟槽。依照本发明的半导体器件制造方法，利用非氧化硅的假栅极绝缘层与氧化硅的刻蚀停止层的层叠结构，分步采用不同刻蚀液刻蚀假栅极，从而避免了衬底特别是沟道区受到不必要的侵蚀，提高了器件的性能和可靠性。
半导体器件制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置和用于制造碳化硅半导体装置的方法-CN201580009268.4在审
发明人： J.J.麦克马洪;L.D.斯特瓦诺维奇;S.D.阿瑟;T.B.戈尔奇卡;R.A.博普雷;Z.M.斯坦;A.V.波罗特尼科夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。
碳化硅半导体装置用于制造方法

[发明专利]用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及OLED大板-CN201811546767.9有效
发明人：卜呈浩 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于监控OLED面板蚀刻深度的测试键及一种OLED大板，所述测试键包括：一扫描基线区，所述扫描基线区的一膜层结构依序包括：一透光基材、一阻隔缓冲层、一主动层、第一栅极绝缘层、一第一栅极金属层、一第二栅极绝缘层、一第二栅极金属层及一层间绝缘层；及一层间绝缘层蚀刻区，相邻于所述扫描基线区，所述层间绝缘层蚀刻区的一膜层结构依序包括：所述透光基材及所述阻隔缓冲层。
用于监控 oled 面板蚀刻深度测试

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201410830699.4有效
发明人：赵加湘 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提出了一种薄膜晶体管及其制备方法，在有源层上形成栅极绝缘层，且栅极绝缘层暴露出有源层的两端，用于形成源/漏极，接着，在栅极绝缘层上形成金属栅极，且金属栅极暴露出栅极绝缘层的两端，借助金属栅极和栅极绝缘层的遮挡作用，在栅极绝缘层暴露出的两端下方的有源层内形成LDD区，通过一次工艺即可同时形成源/漏极和LDD区，减少工艺步骤，降低生产成本。此外，在形成金属栅极的同时，还在有源层两端及缓冲层表面形成金属源漏连线，金属源漏连线与后续形成的源/漏极分别相连，在后续刻蚀形成第一通孔时，刻蚀暴露出的是金属源漏连线，而非常规的源/漏极，可防止对源/漏极进行刻蚀的过程中造成的电性能恶化
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]三维存储器及其制作工艺-CN202110004522.9有效
发明人：高庭庭;薛磊;刘小欣;耿万波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：该三维存储器，包括衬底、存储结构和栅极层叠结构，栅极层叠结构设置在衬底上，存储结构垂直贯穿栅极层叠结构设置，栅极层叠结构包括交替层叠设置的栅极层和栅绝缘层，栅绝缘层内具有多个空气隙，存储结构与栅极层对应的位置设置有高K介质层。栅绝缘层内具有多个空气隙，具有空气隙的栅绝缘层222的介电常数低于现有技术中常规的栅绝缘层的介电常数，因此，可以降低寄生电容，进而降低浮栅的滚降比和电压。
三维存储器及其制作工艺

[发明专利]有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法-CN201710256835.7有效
发明人：梁伸赫;李光洙;金斗铉;金志训 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K59/122 文献下载
摘要：所述有机发光显示装置包括基底、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、保护绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源电极和漏电极以及子像素结构。缓冲层设置在基底上。有源层设置在缓冲层上，并且具有源极区、漏极区和沟道区。栅极绝缘层在有源层上设置在沟道区中。保护绝缘层设置在缓冲层、有源层的源极区和漏极区以及栅极绝缘层上。栅电极在保护绝缘层上设置在沟道区中。层间绝缘层设置在栅电极上。源电极和漏电极设置在层间绝缘层上。
有机发光显示装置制造方法

[发明专利]用于显示面板的薄膜晶体管基板-CN200610168227.2有效
发明人：皇甫尚佑;金时烈;梁成勋;李禹根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管基板，包括底基板、栅电极、栅极绝缘层、表面处理层、有源层、源电极和漏电极。栅电极形成在底基板上。栅极绝缘层形成在底基板上，以覆盖栅电极。表面处理层通过用含氮气体处理栅极绝缘层而形成在栅极绝缘层上，以防止泄漏电流。有源层形成在表面处理层上，以覆盖栅电极。彼此隔开预定距离的源电极和漏电极形成在有源层上。
用于显示面板薄膜晶体管

[发明专利]半导体装置与用于制造半导体装置的方法-CN201210271486.3有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明;高桥辰也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
半导体装置用于制造方法

[发明专利]半导体器件及形成其的方法-CN201911086122.6有效
发明人：许廷焕;金东赞;金旲炫;金依珠;李智修 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括交叉有源区域的栅极沟槽以及在栅极沟槽中的栅极结构。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的内壁上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上并部分地填充栅极沟槽的栅电极、设置在栅电极上的栅极盖绝缘层、以及设置在栅极沟槽中并设置在栅极盖绝缘层上的间隙填充绝缘层。栅极盖绝缘层包括通过氧化栅电极的一部分、氮化栅电极的一部分、或者氧化和氮化栅电极的一部分而形成的材料。
半导体器件形成方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法-CN200510100782.7无效
发明人：洪肇逸;陈智豪 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2005-10-26 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管基板制造方法，其步骤包括：提供一绝缘基底；依次在该绝缘基底上沉积一透明导电金属层和一栅极金属层；在一道光罩制程中形成预定图案的像素电极与栅极；在该绝缘基底、像素电极与栅极上沉积一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成具有预定图案的半导体层；在该栅极绝缘层上形成一接触孔图案；在该半导体层和该栅极绝缘层上形成源/漏极图案。本发明的制造方法采用一道光罩制程形成预定图案的像素电极与栅极，可简化制程，降低成本。本发明还提供一采用该方法制造的薄膜晶体管基板。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]显示基板、显示装置及显示基板的制作方法-CN202010067046.0有效
发明人：邓雷;魏悦;张震;潘康观;黎飞;邓伟;曹惠敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示基板，包括：衬底基板；依次设置于衬底基板的第一区域上的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一栅极金属层、介电绝缘层、第一源漏金属层和第二源漏金属层，第一源漏金属层通过介电绝缘层上的接触孔与第一栅极金属层连接，第一栅极金属层为金属走线，第二源漏金属层位于接触孔内的部分包括中间区域和边缘区域；第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间设置有第二栅极金属层，第二栅极金属层上设置有过孔，以在接触孔的边缘形成台阶结构，减小中间区域和边缘区域之间的段差
显示显示装置制作方法

[发明专利]一种显示面板、制作方法及显示装置-CN202111167869.1在审
发明人：王敏;华刚;邓立广;王光泉;王哲;李少波;王冬;胡锦堂;苏少凯;潘靓靓;刘景昊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种显示面板、制作方法及显示装置，该显示面板包括依次层叠设置在衬底上的包括栅极的栅极层、覆盖栅极层的栅极绝缘层、有源层、包括源极和漏极的源漏层、覆盖源漏层的辅助绝缘层、包括遮光金属的遮光金属层、覆盖遮光金属层的钝化层、以及包括辅助连接部的辅助连接层，所述辅助连接部用于转接向源极或漏极传输的电源信号；其中扇出区包括与所述栅极同层设置的传输栅极信号的栅极信号线、覆盖所述栅极信号线的栅极绝缘层、覆盖所述栅极绝缘层的辅助绝缘层、与所述遮光金属同层设置的传输电源信号的第一电源信号线、覆盖所述第一电源信号线的钝化层，所述辅助连接部通过贯通所述钝化层的过孔与所述第一电源信号线电连接。
一种显示面板制作方法显示装置