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[实用新型]一种无接触式配送箱-CN202320450545.7有效
发明人：裴晓英;李帅东;王启阳;潘茂林;郑婷予;邓建楷;胡欣然 -专利权人：新疆政法学院
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65D25/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无接触式配送箱，涉及配送箱技术领域，包括箱体，所述箱体内部下端滑动连接有底板，所述箱体内部两侧下端还设有用于对底板进行限位的限位条，所述箱体的底部设有用于驱动底板进行抽出或缩回的驱动组件；本实用新型通过设置的第二电动缸，可在使用时对夹板的形状进行改变，在使用时当需要固定方形物品时可将夹板和中间板调整成平板状，进而可便于对方形物品进行固定，当固定圆形物品时，可将夹板和中间板调整到折形类似V状，进而可便于对圆形物品进行固定，使得在使用上更加的方便。
一种接触配送

[发明专利]具有pGaN插入结构的GaN HEMT器件以及制作方法-CN202310646525.1在审
发明人： 潘茂林;王路宇;徐敏;王强;张鹏浩;谢欣灵;黄海;钱乐雯;杨妍楠;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有pGaN插入结构的GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层、势垒层、源极金属层、栅极以及漏极金属层；一个或两个以上的第一P型插入结构，形成于P‑GaN层与漏极金属层之间靠近P‑GaN层的一侧，贯穿势垒层，且伸入沟道层的表层中；两个以上的第一P型插入结构沿第二方向依次排列；其中，栅金属层连接P‑GaN层与第一P型插入结构；第一P型插入结构中离子的掺杂浓度低于p‑GaN层中离子的掺杂浓度；隔离层；形成于第一P型插入结构与沟道层和势垒层之间；其中，一个或两个以上的第一P型插入结构分别与沟道层形成一PN结。该技术方案解决了如何在提高器件的击穿电压的同时，充分发挥GaN本征击穿电场的全部潜力的问题。
具有 pgan 插入结构 gan hemt 器件以及制作方法

[实用新型]一种具有防护结构的碎纸机-CN202320897495.7有效
发明人： 潘茂林;裴晓英;张文新;徐乾东;刘智杰 -专利权人：新疆政法学院
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B02C18/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有防护结构的碎纸机，包括：主体模块以及防护模块，防护模块安装在凹槽内，用于对碎纸机主体的纸张进口进行防护，包括安装在凹槽内壁上的底座、固定在底座顶端的限位框、对称设置且活动嵌合在限位框内的挡板、安装在挡板顶端的红外传感器、对称设置在底座内腔且伸出底座的传动杆、对称固定套接在传动杆上且伸出底座的第一齿轮、固定在底座一侧的壳体、固定在传动杆端部上的同步齿轮以及安装在壳体内壁上且轴与一侧传动杆固定连接的马达，该具有防护结构的碎纸机，具有避免灰尘杂质从碎纸机的纸张进口进入碎纸机内腔的优点。
一种具有防护结构碎纸机

[发明专利]栅介质层的制作方法以及栅介质层-CN202310440155.6在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;陈鲲;王强;潘茂林;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。
介质制作方法以及

[实用新型]一种采用折叠结构的关灯杆-CN202320353440.X有效
发明人：裴晓英;李帅东;潘茂林;党圆坤 -专利权人：新疆政法学院
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F21V21/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用折叠结构的关灯杆，包括杆体、支撑件和限位件，所述杆体的顶部设置有支撑件，所述杆体的底端设置有限位件，所述支撑件包括框架、杆槽、圆槽、挂杆和支撑块，且框架的内部设置有杆槽，所述框架的内部中端设置有圆槽，所述杆槽的顶部设置有挂杆，所述框架的底部设置有支撑块。该采用折叠结构的关灯杆，关灯杆设置在床头边，通过连接杆进行伸缩延长，同时设置转轴可自由定位转动锁紧，通过凹状卡块与第二紧固件进行配合抵紧限位安装，随后杆体通过通孔进行嵌入，根据使用高度进行调节，随后通过右侧中部的第一紧固件进行抵紧，挂杆在杆槽内部来回调节滑动，从而达到折叠伸缩收纳的作用。
一种采用折叠结构灯杆

[发明专利]介质层的制备方法及介质层、器件及其制备方法-CN202310440157.5在审
发明人：王强;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王路宇;谢欣灵;黄海;杨妍楠;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。
介质制备方法器件及其

[发明专利]增强型氮化镓功率器件的制备方法-CN202310440159.4在审
发明人：王强;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王路宇;谢欣灵;黄海;杨妍楠;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件的制备方法，包括：提供一衬底；形成缓冲层、沟道层、势垒层、源极金属层以及漏极金属层；缓冲层、沟道层以及势垒层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上；源极金属与漏极金属沿第一方向排列于势垒层表面；第一方向垂直于缓冲层、沟道层以及势垒层的堆叠方向；形成第一介质层；第一介质层形成于部分势垒层的表面；在部分势垒层表面的第一介质层中注入固定正电荷，并激活固定正电荷；形成栅金属层；栅金属层形成于栅极区域的势垒层的上方。本发明提供的技术方案，解决了如何提高增强型氮化镓功率器件的输出电流密度和驱动能力的问题。
增强氮化功率器件制备方法

[发明专利]一种用于服务的扩缩容的方法及相关设备-CN202010245634.9有效
发明人：张书博;余阳;潘茂林;张超盟 -专利权人：华为云计算技术有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本申请提供一种用于服务扩缩容的方法及相关设备。其中，该方法包括：获取当前周期服务的指标信息和工作负载，并利用工作负载预测模型根据所述工作负载得到下个周期工作负载预测值；根据工作负载预测值以及指标信息，利用状态预测模型预测下个周期服务的状态；根据预测得到的状态，确定服务对应的实例扩缩策略并对服务对应的实例进行扩缩。上述方法能够及时的确定实例扩缩策略，提高所确定的实例扩缩策略的准确性。
一种用于服务扩缩容方法相关设备

[实用新型]一种风门装置及制冷机组-CN202320181603.0有效
发明人：晁剑;潘茂林;巨荣孝 -专利权人：冷王（上海）实业有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： F25D17/06 文献下载
摘要：本申请提供一种风门装置及制冷机组，风门装置包括风门本体，包括朝向彼此设置的第一侧壁和第二侧壁；所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的距离沿所述风门本体的宽度方向、自中心向边缘逐渐变小。本申请提供的风门装置，相较于传统的矩形板状风门，具有更高的强度，结构简单，且在使用过程中能够降低弯曲变形的风险，提高了使用寿命。
一种风门装置制冷机组

[发明专利]基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法-CN202310211021.7在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN衬底的pGaN增强型HEMT器件结构及其制备方法，该器件结构包括：衬底结构，所述衬底结构包括第一衬底以及沿远离所述第一衬底的方向上依次形成于所述第一衬底上的缓冲层、GaN层；肖特基势垒二极管，所述肖特基势垒二极管包括形成于所述GaN层内的p+掺杂区和形成于所述p+掺杂区内的n+掺杂区，所述p+掺杂区与所述n+掺杂区接触形成PN结以构成所述肖特基势垒二极管；隔离层，形成于所述GaN层上，且覆盖所述p+掺杂区与所述n+掺杂区；pGaN增强型HEMT器件，形成于部分所述隔离层上；其中，所述p+掺杂区及所述n+掺杂区分别与阳极及阴极电性连接，且所述阳极与所述pGaN增强型HEMT器件的源极电性连接；所述阴极与所述pGaN增强型HEMT器件的漏极电性连接。
基于 gan 衬底 pgan 增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]增强型氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备-CN202310219230.6在审
发明人：张鹏浩;王路宇;徐敏;潘茂林;王强;黄海;黄自强;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
增强氮化功率器件及其制备方法以及电子设备

[发明专利]一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法-CN202310211027.4在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
一种向导通电增强 gan hemt 制作方法

[发明专利]GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310223423.9在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;陈鲲;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaN/AlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaN HEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaN HEMT器件性能的效果。
gan hemt 器件及其制备方法

[发明专利]具有防破坏性击穿功能的GaN HEMT器件结构及制作方法-CN202310211079.1在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;王强;潘茂林;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。
具有破坏性击穿功能 gan hemt 器件结构制作方法

[发明专利]GaN HEMT器件、半导体器件、电子设备以及制备方法-CN202310211066.4在审
发明人：王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;谢欣灵;黄海;黄自强;徐赛生;王晨;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。
gan hemt 器件半导体器件电子设备以及制备方法

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