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[发明专利]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202210064468.1有效
发明人：侯鹏飞;李建国 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：该工艺腔室的前法兰和后法兰分别设置在炉管的炉口和炉尾处；支撑机构设置于炉管内，支撑机构包括有两个支撑杆，支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟；两个第一电极机构分别套设于两个支撑杆的第一端，并且两个第一电极结构的极性相反，用于在第一晶舟装载于支撑杆上时，承载第一晶舟前端，并且分别与第一晶舟前端的两侧电连接，以将电极引入至第一晶舟；第二电极机构设置于炉管的炉尾处，用于在第二晶舟装载于支撑杆上时，将电极引入至第二晶舟。
半导体工艺设备及其工艺

[实用新型]半导体工艺设备及其工艺腔室-CN202120915318.8有效
发明人：宋晓彬;闫志顺 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：该工艺腔室包括：工艺管、支撑机构、第一射频机构及第二射频机构；支撑结构设置于工艺管内，支撑机构包括有绝缘材质的支撑杆，支撑杆的第一端与工艺管的炉口连接，支撑杆的第二端与工艺管的炉尾连接，支撑杆用于承载并定位第一晶舟及第二晶舟；第一射频机构设置于支撑杆上，并且靠近工艺管的炉口设置，用于将射频引入第一晶舟；第二射频机构设置于工艺管的炉尾处，用于将射频引入第二晶舟。本申请实施例通过两个射频机构分别向两个晶舟引入射频，使得两个晶舟的工艺更加稳定，并且能有效避免由于单个晶舟较长而导致晶舟变形以及产能较低问题，从而大幅提高本申请实施例的产能。
半导体工艺设备及其工艺

[实用新型]薄膜沉积装置-CN202122300153.6有效
发明人：王晓侠;蒲浩 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜沉积装置，包括反应室和设置于反应室内的晶舟、反应气管及调节气管，反应气管和调节气管沿晶舟的周向分布于晶舟的外侧。晶舟用于承载沿垂直方向间隔排布的多个晶片。调节气管的朝向晶舟的侧壁沿垂直方向自上而下依次开设有第一喷气孔组、第二喷气孔组以及第三喷气孔组。其中，第一喷气孔组、第二喷气孔组和第三喷气孔组分别与晶舟在垂直方向上的顶部区域、中部区域和底部区域一一正对，且分别用于向晶舟的对应区域喷射惰性气体，以调节晶舟对应区域内承载的多个晶片表面的反应气体的流量
薄膜沉积装置

[实用新型]一种用于析晶性能测试的梯温炉进出料装置-CN201921651523.7有效
发明人：孔令歆;曾召;王刚 -专利权人：彩虹显示器件股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01N25/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于析晶性能测试的梯温炉进出料装置，包括：“D”形管、导轨和输送舟；所述“D”形管包括平板和弧形板，所述平板与所述弧形板固定连接；所述弧形板用于与所述梯温炉的柱形炉膛相配合；所述平板上固定设置有所述导轨，所述导轨上可移动的设置有所述输送舟；所述输送舟用于输送盛装试样的铂金舟；所述导轨上设置有限位装置，用于防止输送舟滑落脱轨；其中，所述“D”形管的靠近炉口的一端的端面与所述导轨(1)的靠近炉口的一端的端面平齐本实用新型的用于析晶性能测试的梯温炉进出料装置，方便析晶试样从梯温炉中高温取放，具有较高的可靠性与安全性。
一种用于性能测试梯温炉进出装置

[实用新型]基于波动摇摆的晶圆清洗干燥节约型装置-CN202220434456.9有效
发明人：孙进;谢文涛;周威;梁立 -专利权人：扬州大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于波动摇摆的晶圆清洗干燥节约型装置，包括机身、晶舟、承载及摇摆机构、升降机构和承载盒；升降机构居中竖直安装在机身内部后壁，承载及摇摆机构安装于升降机构前部的抬升板上，承载盒放置在承载及摇摆机构之上，晶舟放置在承载盒之中，承载盒通过摇摆机构实现左右轻微摆动，从而使晶舟中的晶圆片充分干燥。本实用新型可实现清洗、干燥一体化，使晶圆干燥充分，并且装置足够轻量化、小型化的优点，提高了晶圆干燥的质量，提升晶圆生产效率，降低了晶圆损伤率，节约了空间。
基于波动摇摆清洗干燥节约装置

[实用新型]一种非晶、纳米晶薄带用喷嘴加热保温装置-CN201720006978.8有效
发明人：张宗宁;王肇飞;唐明明;张倩倩;林学政;夏颖涛;梁志军;姚志强;史戈平;赵景山;王风德 -专利权人：烟台万隆真空冶金股份有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： B22D11/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非晶、纳米晶薄带用喷嘴加热保温装置，包括外壳、电热元件及石墨舟，所述外壳的内壁上设有耐火砖，电热元件环绕在所述耐火砖与所述石墨舟之间，电热元件为电阻扁带，电阻扁带与所述耐火砖、石墨舟之间分别设有绝缘体，外壳底部设有用于喷嘴嵌入的外壳矩形孔，石墨舟的底部设有与外壳矩形孔相对应的石墨舟矩形孔。本实用新型套在喷嘴上对喷嘴加热保温，防止流经喷嘴的钢液失温，避免钢液粘度增大堵塞喷嘴的喷缝，也可提高钢液温度，增加钢液流动性，同时有效防止喷嘴长时间暴露氧化和喷缝变形，保证非晶、纳米晶带材表面光亮粗糙度低
一种纳米晶薄带用喷嘴加热保温装置

[发明专利]一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法-CN200710025505.3无效
发明人：王爱进 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法，在机台内壁晶舟附近设置光感传感器，在传送器上设置扫描传感器；在晶舟进入反应室之前，光感传感器自上而下进行扫描，晶圆有突出时即遮住光感传感器发出的红外线，光感传感器发出警报，机械动作停止；另外，在晶舟进入反应室之前以及从反应室出来后，传送器上扫描传感器自上而下扫描晶舟上的晶圆，有斜插时扫描传感器发出警告信号，传送即停止。本发明技术方案通过在机台内壁晶舟附近设置光感传感器和在传送器上设置扫描传感器，能够有效消除凸片和斜插现象的发生，避免工艺制程的不均匀和撞击破片及刮伤等不良后果。
一种垂直晶舟上大量侦测方法

[实用新型]晶舟以及沉积炉管-CN201821538802.8有效
发明人：陈腾飞;孟宪宇;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种能够对位于晶舟的支撑部上的颗粒进行及时清理的晶舟以及沉积炉管，该晶舟包括舟体以及多个支撑部，支撑部具有用于承接晶圆的第一面，相邻两个支撑部之间构成容纳晶圆的容纳空间，晶舟还包括收纳槽，收纳槽开设在第一面上。通过开设收纳槽，可以及时清理并收集形成在该支撑部上的颗粒，避免颗粒掉落到该支撑部的下面的晶圆上而造成下面的晶圆缺陷，增强所形成半导体器件的性能，提高产品良率。
晶舟支撑收纳槽晶圆沉积炉管半导体技术领域半导体器件本实用新型产品良率晶圆缺陷容纳空间掉落舟体承接容纳

[发明专利]一种负压吸附式转移晶舟-CN202010773701.4在审
发明人：魏运秀 -专利权人：赣州市业润自动化设备有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种负压吸附式转移晶舟，包括舟体，所述舟体上成型有半圆槽道、设置在半圆槽道下方的真空腔、连通半圆槽道与真空腔的多个线性均布的矩形孔，半圆槽道内设有多个左右方向均布的隔离板，所述隔离板包括固定连接的基板和吸附板，基板和吸附板形成一个负压腔和一个向下凸起的矩形管，矩形管与负压腔相通，所述矩形管插套并固定在矩形孔内，所述吸附板上成型有多个与负压腔相通的吸附孔；所述舟体上成型有负压接头，负压接头与真空腔相通。本发明可以将晶圆吸附在隔离板的同一侧面上，可避免相邻两个晶圆之间发生碰撞，可有效避免晶圆在转移过程中的磕碰、破损。
一种吸附转移

[发明专利]氮化硅沉积炉管及其自动去膜工艺流程优化的方法-CN201810378193.2有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本发明通过改进现有氮化硅沉积炉管硬件设施，避免了晶舟载台金属物质与腐蚀气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致晶圆产品缺陷的产生，提高了产品良率。
氮化沉积炉管及其自动工艺流程优化方法

[实用新型]氮化硅沉积炉管-CN201820598426.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体存储器组件领域，具体为一种氮化硅沉积炉管，该氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本实用新型通过改进现有氮化硅沉积炉管硬件设施，避免了晶舟载台金属物质与腐蚀气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致晶圆产品缺陷的产生，提高了产品良率。
晶舟石英管氮化硅沉积炉管载台遮护本实用新型环形遮护部微尘颗粒底座套半导体存储器化学反应边缘设置产品良率腐蚀气体金属物质晶圆产品硬件设施底端环套载盘匹配改进

[发明专利]一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法-CN201410043195.8有效
发明人：林伟华;王兵;兰天;宋辰龙 -专利权人：北京七星华创电子股份有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺中控制晶圆冷却的方法，针对氧化、低压化学气相沉积或低温退火的不同工艺，根据降舟前温度的高低，调整晶舟的降舟速度；同时，根据不同工艺对氧含量要求的不同，调节冷却风速，将氮气流量控制在高低不同的范围，在降舟过程及承载区域对晶圆进行充分冷却后取片。本发明通过对晶圆预冷温度、降舟速度、氮气流量、冷却风速等冷却控制参数进行优化组合使用，在控制氧含量达标的同时，实现对工艺降舟阶段晶圆冷却的有效控制，可快速有效地降低晶圆的温度，控制及缩短冷却时间，从而增加晶圆产能
一种半导体工艺控制冷却方法

[实用新型]晶舟清洗装置-CN201921085200.6有效
发明人：王磊;陈伯廷;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶舟清洗装置。所述晶舟清洗装置包括：清洗腔，包括多个均沿竖直方向延伸的清洗槽，所述清洗槽用于容纳并清洗直立的晶舟；传送腔，沿竖直方向叠置于所述清洗腔上方，用于在外界与所述清洗腔之间传送所述晶舟。本实用新型减小了单个清洗槽的占地面积，增大了单位面积上能够设置的清洗槽的数量，从而在提高晶舟清洗效率的同时，相应降低了对无尘室空间的占用，间接减少了晶圆制造成本。
清洗槽晶舟清洗腔本实用新型清洗装置竖直半导体制造技术方向延伸清洗效率制造成本传送腔无尘室直立减小晶圆种晶清洗传送容纳占用

[发明专利]晶硅电池石墨舟体光学检测方法-CN202210106931.4有效
发明人：翟树劼;冯佳斌;秦普云;吕辉;陈旺;吴群策;金秉文;蒋剑锋 -专利权人：杭州利珀科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明公开晶硅电池石墨舟体光学检测系统及方法。晶硅电池石墨舟体光学检测系统包括：用于检测舟体形变程度的舟体形变检测子系统。所述舟体形变检测子系统具有舟体形变检测工位的舟体形变检测机架、固定于所述舟体形变检测机架的一字激光装置及面阵相机。本发明的有益效果在于：能够有效地检测石墨舟体的舟体形变程度。
电池石墨光学检测方法

[实用新型]晶圆热处理设备-CN202020143366.5有效
发明人：王通;吕晓晨 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆热处理设备，所述晶圆热处理设备包括：主腔体、用于承载晶圆的晶舟、用于运载所述晶舟的晶舟托架、用于为所述主腔体提供气体的配气机构，以及相互独立设置于所述主腔体内部的加热管及冷却罩；其中，所述加热管及所述冷却罩分别用于所述晶圆的加热以及冷却。通过以子晶舟代替晶圆存储仓库作为晶圆传送载体，提高传送效率；通过增加冷却罩，将加热过程和冷却过程独立进行，提高工作效率。
热处理设备