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[发明专利]晶圆解键合系统及其控制方法-CN202310352919.6在审
发明人：王金龙;温海涛;徐晓伟;孙璞;孙振聪 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆解键合系统及其控制方法，晶圆解键合系统包括用于承载键合片晶圆并吸附键合片晶圆的第一晶圆的承载吸附部；用于在解键合位置吸附键合片晶圆的第二晶圆，带动吸附模块在解键合位置处施加使第二晶圆远离第一晶圆移动的拉力，和在传出位置处翻转第二晶圆的拉拔翻转部；传动连接所述拉拔翻转部用于带动拉拔翻转部移动至解键合位置以进行解键合和移动至传出位置以传出第二晶圆的移动部；用于朝向键合片晶圆移动以在第一晶圆和第二晶圆之间的键合胶层处刺出缺口的刀具对准部该晶圆解键合系统的各部分结构配合能够完成快速稳定的晶圆解键合操作，通过晶圆解键合系统的控制方法进行控制能够进行自动化的晶圆解键合操作。
晶圆解键合系统及其控制方法

[实用新型]晶圆解键合装置-CN202320723183.4有效
发明人：王金龙;温海涛;孙璞;徐晓伟;孙振聪 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆解键合装置，包括：承载吸附部、移动部、拉拔翻转部和刀具对准部；承载吸附部用于承载键合片晶圆并吸附键合片晶圆的第一晶圆；移动部传动连接拉拔翻转部，用于带动拉拔翻转部在解键合位置和传出位置间移动；拉拔翻转部用于在解键合位置吸附键合片晶圆的第二晶圆，带动第二晶圆远离第一晶圆移动使第二晶圆和第一晶圆解键合，以及在传出位置翻转第二晶圆；刀具对准部用于对准第二晶圆和第一晶圆之间的键合胶层并刺出缺口。该晶圆解键合装置的各部分结构配合能够实现键合片晶圆的放置、晶圆解键合、转移及翻转和晶圆的取出，通过晶圆解键合装置完成晶圆解键合的全自动流程，提高解键合效率。
晶圆解键合装置

[实用新型]全自动晶圆解键合及清洗机-CN201920469822.2有效
发明人：邱新智 -专利权人：新睿精密股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种全自动晶圆解键合及清洗机，其包含基座、晶圆取放模块、晶圆匣体、预先对准模块、晶圆解键合模块以及贴合剂清洗模块，以晶圆取放模块将待解键合晶圆取出至预先对准模块进行中心校准，以晶圆解键合模块将待解键合晶圆解键合出半导体晶圆和载体，且由贴合剂清洗模块清洗已解键合的半导体晶圆和载体进行贴合剂的脱离，以完成全自动晶圆解键合及清洗的作业，藉此构成本实用新型。
晶圆键合贴合剂半导体晶圆本实用新型键合模块清洗模块清洗机取放对准清洗中心校准匣体取出脱离

[实用新型]整合式晶圆解键合与清洗设备-CN202221311137.5有效
发明人：王志成;吴宗恩;邱云正 -专利权人：弘塑科技股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种整合式晶圆解键合与清洗设备。整合式晶圆解键合与清洗设备包括输入口、解键合模组、晶圆清洗装置和传送装置。输入口配置为供待处理基板输入至整合式晶圆解键合与清洗设备的内部。待处理基板包括键合的晶圆和载板。解键合模组配置为将待处理基板解键合并且分离为彼此独立的所述晶圆和所述载板。晶圆清洗装置配置为清洗晶圆。传送装置配置为传送待处理基板、晶圆和载板。传送装置运行于输入口、解键合模组、晶圆清洗装置之间。本申请通过将解键合模组与晶圆清洗模组整合于相同设备，以形成连续式工艺。
整合式晶圆解键合清洗设备

[发明专利]避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法-CN202310160393.1在审
发明人：黄春梅 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法，通过提供键合晶圆对，键合晶圆对包括彼此键合的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有朝向第二晶圆的键合面和远离第二晶圆的背面，第一晶圆的背面上形成有第一金属层；执行氧化工艺，以使第一金属层的表层被氧化成金属氧化层；将键合晶圆对安置在解键合机台上，金属氧化层与解键合机台的载台接触，在加热的条件下利用解键合机台对键合晶圆对进行解键合；如此，避免了解键合印记的产生，保证了第一晶圆的背面材料一致、表面颜色均一；并且本申请实施例提供的方案对封装几乎无影响，符合封装需求。
避免解键合印记方法功率器件制备

[发明专利]用于晶圆解键合的系统以及方法-CN202110954249.6在审
发明人：韩浩;江蔼庭;王青;王健军;吴敦文 -专利权人：华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了用于晶圆解键合的系统以及方法，系统包括：加热浴槽，加热浴槽用于盛放水浴或油浴；支架，支架设在加热浴槽中；解键合液槽，解键合液槽设在支架上，解键合液槽用于盛放解键合液；晶圆容器，晶圆容器用于盛放待解键合的晶圆，晶圆容器可移动，晶圆容器的底壁和至少部分的侧壁设有多个孔；连接杆，连接杆用于固定待解键合的晶圆的陶瓷盘。该系统结构简单，易组装易拆解，应用广泛，正常的湿法机台槽位内均可临时加装拆卸；且该湿法解键合系统中，避免使用外力，解决了机台chuck吸附后推片解键合过程中由于出力不均匀而导致的晶圆暗裂等问题，从而减少了不良颗数
用于晶圆解键合系统以及方法

[发明专利]一种晶圆的解键合方法-CN202110145304.7在审
发明人：夏建文;黄明起;叶振文;刘彬灿;易玉玺 -专利权人：深圳市化讯半导体材料有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：(1)将键合的晶圆输入清洗腔；(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1‑10MPa。本发明所述晶圆的解键合方法中通过调整清洗腔中的喷嘴头的压力，使其对准边缘溢胶喷出适量的溶剂溶解边缘溢胶并去除，整个工艺过程简单，耗时短，利于提高晶圆的生产效率。
一种解键合方法

[实用新型]吸附组件以及解键合装置-CN202122507969.6有效
发明人：廖俊雄;何俊青;程威;陈晓宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种吸附组件以及解键合装置，吸附组件包括支撑件、吸附件以及形变件，吸附件与支撑件连接，且远离支撑件的表面用于吸附晶圆；形变件设置于支撑件与吸附件之间，且与支撑件以及吸附件连接，形变件产生形变使得吸附件产生形变；在对两个键合的晶圆解键合的过程中，利用卡盘固定其中一个晶圆，然后移动支撑件，使得吸附件吸附另一个晶圆远离卡盘的表面，通过吸附件的移动和形变，实现互相键合的两个晶圆解键合，因此通过吸附件吸附晶圆表面，增加晶圆在解键合过程中的受力面积，使得晶圆受力均匀，降低晶圆在解键合过程中产生破裂损坏导致报废的可能性，以提高晶圆的解键合效率。
吸附组件以及解键合装置

[发明专利]晶圆键合力测量装置、解键合装置以及键合晶圆检测装置-CN201910005861.1有效
发明人：严孟;王家文;胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合力测量装置、解键合装置以及键合晶圆检测装置。其中，所述晶圆键合力测量装置包括施力部件以及测力部件；所述施力部件，用于在被键合的晶圆上施加解键合作用力；所述测力部件，用于测量所述解键合作用力的大小，并根据测量结果确定晶圆键合力的大小。
晶圆键合力测量装置解键合以及键合晶圆检测

[发明专利]低温晶圆直接键合机台和晶圆键合方法-CN201910405744.4有效
发明人：周华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种低温晶圆键合机台和晶圆键合方法，其中所述低温晶圆键合机台包括表面处理单元，用于对待键合晶圆的表面进行活化处理；预键合单元，用于将经过活化处理后的一片待键合晶圆与经过活化处理后的另外至少一片待键合晶圆或者与未经过活化处理的另外至少一片待键合晶圆贴合，形成预键合晶圆对；缺失检测单元，用于检测所述预键合晶圆对是否存在缺失；解键合单元，用于将所述存在缺失的预键合晶圆对分离。本发明的低温晶圆键合机台的解键合的成功率提升。
低温直接机台晶圆键合方法

[发明专利]一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具-CN202011003935.7在审
发明人：王广阳;熊帅 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种晶圆片减薄方法、装置和卸片夹具，将多个待减薄晶圆片与基板进行键合处理，得到多个键合后晶圆片；对所述多个键合后晶圆片进行一次减薄处理，得到多个一次减薄后晶圆片；对所述多个一次减薄后晶圆片进行二次减薄处理，得到多个待解键合晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片；对所述多个待解键合晶圆片进行解键合处理，得到多个减薄后的晶圆片。这样，在第一设备对晶圆片进行减薄后，再利用第二设备对晶圆片进行减薄，能够去除一次减薄过程中所造成的放射纹和损伤层，有效避免了后续进行更加复杂的加工处理，从而降低了晶圆片减薄的加工成本，同时提高了晶圆片减薄的加工效率
一种晶圆片减薄方法装置夹具

[发明专利]基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法-CN202211393439.6在审
发明人：朱智源;王骏豪 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开一种基于电敏感聚合物的临时键合及解键脱粘方法，应用于具有晶圆与基板的叠层结构的临时键合及解键合过程中。其方法包括：基于电敏感聚合物临时键合的Al‑Cu结构、基于摩擦电的解键合方法及基于电敏感聚合物键合方法制备不同厚度芯片的工艺流程。本发明能够解决现有临时键合方式以及解键合方式存在的粘结胶残留、晶圆断裂变形及影响晶圆上器件或线路的性能的问题，减少晶圆损失，提高解键合效果。
基于敏感聚合物临时解键脱粘方法

[发明专利]晶圆键合的方法-CN202010511286.5在审
发明人：刘效岩;张凇铭;王建 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆键合的方法，属于集成电路芯片制造领域。该方法在集成电路芯片制造厂依次进行清洗工艺和烘烤工艺；通过晶圆键合设备进行如下键合工艺：机械手传送区将晶圆从晶圆存取区取出；晶圆ID阅读器和晶圆预对准器读取晶圆ID并预对准晶圆；对准预键合单元对晶圆进行对准和预键合；视觉检测区检测预键合后的晶圆对是否存在键合缺陷，若存在，则解键合单元对晶圆对进行解键合后将晶圆放到晶圆存取区；否则，直接将晶圆对放到晶圆存取区。键合工艺中，通过机械手传送区和/或后置机械手对晶圆和晶圆对进行传输。本发明优化了晶圆的键合方法，提高了键合工艺的产能，晶圆键合设备结构紧凑、占地面积小、成本低。
晶圆键合方法

[发明专利]半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件-CN202011256672.0有效
发明人：王淼;曾怀望;焦文龙;杨睿峰;李嗣晗 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。
半导体器件临时解键合方法以及

[发明专利]晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法-CN202210850359.2有效
发明人：陶磊;王厚有;王棒 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法，所述晶圆键合方法包括：提供一晶圆键合结构，晶圆键合结构包括器件晶圆和承载晶圆，器件晶圆包括第一衬底和位于第一衬底上的第一键合层，所述承载晶圆包括第二衬底和位于第二衬底上的第二键合层，所述第一键合层与所述第二键合层之间键合；对晶圆键合结构进行气泡检查并判断气泡是否合格；若不合格，对晶圆键合结构进行解键合处理以获得分离的器件晶圆和承载晶圆，再对解键合处理后的器件晶圆进行氢退火工艺处理，以去除第一键合层中的水分子，然后对器件晶圆和承载晶圆进行重新键合。在返工流程中，通过氢退火工艺降低了器件晶圆第一键合层中的水分子，降低了重新键合后的气泡。
晶圆键合方法以及背照式图像传感器形成

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