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[发明专利]一种无水柠檬酸晶体的生产方法-CN201310462436.8有效
发明人：李北;罗虎;周勇;满云;许贵珍 -专利权人：中粮生物化学（安徽）股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C07C59/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种无水柠檬酸晶体的生产方法，该方法包括，在循环搅拌的条件下，将柠檬酸溶液进行结晶，得到晶浆液，其中，该方法还包括改变晶浆液的初始温度以对晶浆液中的晶体进行修复，得到含有无水柠檬酸晶体的料液通过上述技术方案，能够有效地消除晶体表面的凹陷，降低晶体中母液的残留，从而降低了晶体中的水分含量。并且在修复的过程中晶体表面的无水柠檬酸分子发生重排，使其质量得到了有效的提高，并且降低了易碳化物。
一种无水柠檬酸晶体生产方法

[实用新型]一种晶体加工用打磨装置-CN202021541232.5有效
发明人：万文 -专利权人：安徽环巢光电科技有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体加工用打磨装置，涉及晶体加工技术领域，具体为一种晶体加工用打磨装置，包括打磨机，所述打磨机内腔的一侧固定安装有排气筒，所述打磨机内腔的底部固定连接有放置板，所述打磨机的前后两侧均固定连接有观察板该晶体加工用打磨装置，通过排气筒、吸风风机、活性炭除味板以及灰尘过滤板的配合使用，利用吸风风机将打磨产生的粉末碎屑通过排气筒吸入气体净化箱的内腔，进而保证打磨机构本体以及晶体表面的洁净，避免粉末残留在打磨机构本体以及晶体表面对打磨精度造成影响，同时通过活性炭除味板可以对打磨产生的异味进行净化，配合灰尘过滤板可以对粉末进行过滤，提高了该晶体加工用打磨装置的实用性。
一种晶体工用打磨装置

[实用新型]轮盘式金刚石片状晶体表面分粒度抛光装置-CN202023161379.4有效
发明人：王盛林;王笃福;徐昌;王希玮;曹振忠 -专利权人：济南金刚石科技有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种轮盘式金刚石片状晶体表面分粒度抛光装置，包括底座、底盘和抛光单元，底座上设置有立轴，底盘安装在立轴的下部，可绕立轴转动，立轴的上部安装有至少两个抛光单元，底盘与底座之间设置有定位机构。将待抛光的金刚石片状晶体置于底盘上，通过转动底盘使金刚石片状晶体依次在各个抛光单元下方进行抛光，通过抛光轮粒度和抛光速度的不同，金刚石片状晶体依次经过一次以上的粗质抛光和一次以上的细质抛光。该装置提高了抛光效率，同时保护金刚石晶体和抛光轮，在抛光过程中能够尽量避免因为金刚石晶体表面的不平整造成晶体出现断裂等损伤。
轮盘金刚石片状晶体表面粒度抛光装置

[发明专利]多孔碳化硅表面单层、b轴取向ZSM-5沸石涂层材料及其制备-CN201010199076.3有效
发明人：张劲松;矫义来;杨振明;田冲 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2010-06-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B01J29/40 文献下载
摘要：本发明属于结构催化剂及其应用技术领域，具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体，载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层，沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构，沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体，控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量，实现沸石晶体在碳化硅载体表面的可控生长。该结构催化剂孔道开放，分子扩散性能好，比表面积及负载量较大，沸石晶体与碳化硅载体接触面积大，有利于强化传质、传热，缩短反应物与反应产物与催化剂的接触时间。
多孔碳化硅表面单层取向 zsm 涂层材料及其制备

[发明专利]一种基体表面平坦化系统、方法及基体-CN202210845065.0在审
发明人：刘珩;潘冬 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种基体表面平坦化系统、方法及基体，该系统包括：载台、厚度测量组件以及表面处理组件；载台用于承载待平坦化基体，待平坦化基体具有第一晶体结构，待平坦化基体包括相背设置的第一表面和第二表面，且第二表面位于载台和第一表面之间；厚度测量组件用于获得待平坦化基体的至少部分第一表面相对第二表面的厚度差异情况；表面处理组件用于基于厚度差异情况从第一表面一侧改变至少部分待平坦化基体的晶体结构，以使得厚度差异较大位置处的第一晶体结构含量越低；减薄组件，用于至少从第一表面一侧进行减薄，第一晶体结构的浓度越低，减薄速率越大。通过上述方式，可以在刻蚀以及研磨过程中改善待平坦化基体表面不均匀性的问题。
一种基体表面平坦系统方法

[发明专利]促进电荷转移至纳米结构或自纳米结构转移出电荷的有机物-CN03824336.9有效
发明人：杰佛瑞·A·怀特佛德;米海·A·布勒堤;艾立克·C·雪尔 -专利权人：奈米系统股份有限公司
申请日： 2003-09-04 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明提供组合物(小分子、低聚物及聚合物)，其可用于改良横越奈米晶体表面或含有奈米晶体的基质内的电荷传送，本发明也提供制造及使用此新颖组合物的方法。
促进电荷转移纳米结构有机物

[发明专利]一种利用聚合物模板制备光子晶体闪烁体的方法-CN201510683737.2有效
发明人：刘波;程传伟;顾牡;陈鸿;陈亮;刘金良;欧阳晓平 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用聚合物模板制备光子晶体闪烁体的方法，包括闪烁体表面聚合物微球阵列的制备、反应离子束刻蚀、镀制覆盖层、去除微球等四个步骤，制备得到相应介质材料的反蛋白石结构光子晶体，即在闪烁体表面获得了具有六角周期孔洞结构的高折率透明介质与现有技术相比，本发明制备出的光子晶体具有大面积，无聚合物成分，折射率衬度大等优点，即可保证足够的光提取效率，又能够保证在核辐射环境下保持足够的抗辐照性能。
闪烁体制备制备光子晶体聚合物模板光子晶体反应离子束刻蚀反蛋白石结构表面聚合物光提取效率核辐射环境抗辐照性能介质材料孔洞结构透明介质微球阵列聚合物覆盖层折射率衬度镀制六角去除微球保证

[实用新型]一种基于压电测量的晶体清洁装置-CN201821635777.5有效
发明人：李星辉;吴豪;王晓浩;周倩;倪凯 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B08B5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及大气颗粒物检测领域，公开了一种基于压电测量的晶体清洁装置，晶体清洁装置包括用于引导气流向晶体的表面进行吹扫的流道；第一电极，以及可与晶体导电连接的第二电极；第一电极与第二电极之间可形成方向可变的电场本实用新型可以在不拆除晶体的基础上，对晶体表面的颗粒物进行清除，操作简单，可以极大的节省人工成本，有助于压电晶体测量法的推广和应用。
清洁装置本实用新型第二电极第一电极压电测量晶体的大气颗粒物电场导电连接方向可变检测领域晶体表面人工成本压电晶体测量法颗粒物吹扫流道拆除应用

[发明专利]光子晶体表面发射激光器及其制造方法-CN202180085208.6在审
发明人：河野直哉;伊藤友树;藤原直树;野田进;井上卓也;梅纳卡·德·索伊萨;石崎贤司 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人京都大学
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/11 文献下载
摘要：一种光子晶体表面发射激光器，其具备：第一半导体层；光子晶体层，其具有比所述第一半导体层高的折射率，并设置于所述第一半导体层之上；以及有源层，其设置于所述光子晶体层的与所述第一半导体层相反侧，所述光子晶体层包含第一区域和多个第二区域，这些第二区域具有与所述第一区域不同的折射率且在所述光子晶体层的面内周期性地配置于所述第一区域，所述第二区域从所述光子晶体层起延伸到所述第一半导体层。
光子晶体表面发射激光器及其制造方法

[实用新型]一种晶体表面剪切力测量装置-CN202022928391.7有效
发明人：王小见;牛小虎;康文盛;汪晓雪 -专利权人：兰州交通大学
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01N11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体剪切力技术领域，具体为一种晶体表面剪切力测量装置，包括有测试管道、阳极、阴极、直流电源、标准电阻、时间平均回路和数字记录仪，阳极和阴极连接在测试管道上，阳极、阴极、直流电源和标准电阻串联形成回路，时间平均回路和数字记录仪连接在所述的回路上，本实用新型阴极金属丝不会破坏测试晶体附近的流体流动，也不会改变晶体附近的边界层厚度，不会破坏晶体形貌和生长特征，测试后的晶体仍可以用于晶体生长实验，阴极电极可以安装在测试管道的任意位置，因此可以测试不同位置处晶体附近的剪切力，具有严谨的理论基础，测量精度高，结构简单，操作方便且制造成本价格低。
一种晶体表面剪切测量装置

[实用新型]一种晶体表面平整度检测设备-CN202122103491.0有效
发明人：邹维;陈炳寺 -专利权人：江苏晶杰光电科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体表面平整度检测设备，包括工作台，所述工作台的上表面设置有限位机构，所述工作台的上表面固定连接有检测机构，所述工作台的表面固定连接有取下机构，所述工作台的表面固定连接有成品箱和次品箱，所述限位机构包括基座，所述基座的上表面开设有取放槽，所述基座的上表面固定连接有限位块。本实用新型，通过气缸二推动插板移动，进而使得插板插入取放槽内部，电动推杆带动插板上升，将晶体从限位块中取出，电动转轴一带动插板转动至成品箱或次品箱上方，电动转轴二带动插板翻转，将晶体放入成品箱或次品箱内部
一种晶体表面平整检测设备

[发明专利]用于KDP晶体搬运和位置调整的真空吸附装置-CN201210265804.5有效
发明人：戴一帆;关朝亮;铁贵鹏;李圣怡;尹自强 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于KDP晶体搬运和位置调整的真空吸附装置，包括吸盘和抽真空部件，吸盘的一端设有用来与KDP晶体表面贴合的平整吸附面，吸附面上开设有与抽真空部件连通的导气槽。本发明可有效提供KDP晶体吸附时的支撑，减小KDP晶体吸附时的变形，防止KDP晶体爆裂和被吸附面的刮伤。
用于 kdp 晶体搬运位置调整真空吸附装置

[发明专利]一种改善取向ZSM-5型分子筛膜及其制备方法-CN202010945964.9有效
发明人：苏英钧;唐宇攀;汪旺华;刘军;钟台生 -专利权人：南京惟新环保装备技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明提供一种新型改善取向ZSM‑5型分子筛膜的制备方法，包括以下步骤：制备ZSM‑5型分子筛晶种；表面改性多孔载体，得到设定分子筛种子排列取向的多孔载体；涂覆ZSM‑5型分子筛晶种于多孔载体表面；添加添加剂至晶种生长液中得到合成液指导ZSM‑5型分子筛晶种在多孔载体表面的二次生长，其中添加剂包括第二元素或化合物；水热合成改善ZSM‑5型分子筛膜，该方法在载体表面进行改性使晶体更有序地密集地排列在载体表面，在二次生长的基础上加入添加剂直接控制晶体生长过程
一种改善取向 zsm 分子筛及其制备方法

[发明专利]一种微纳米结构定点缺陷掺杂的方法及NV色心传感器-CN202011178199.9在审
发明人：王孟祺;王亚;孙浩宇;叶翔宇;余佩;刘航宇;王鹏飞;石发展;杜江峰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于自对准工艺的微纳米结构定点缺陷掺杂的方法，包括：S1，在晶体衬底表面依次形成牺牲层、光刻胶层；S2，根据微纳米图形在光刻胶层光刻出掩模孔；S3，通过掩模孔对牺牲层各向同性刻蚀，将掩模孔图形放大至牺牲层；S4，对掩模孔下方裸露的晶体表面进行离子注入掺杂；S5，去除光刻胶层，沉积掩模材料；S6，去除牺牲层，牺牲层中微纳米放大图形转移为掩模材料图形；S7，对裸露晶体表面进行刻蚀，去除表面掩模材料并退火形成特定缺陷
一种纳米结构定点缺陷掺杂方法 nv 色心传感器

[发明专利]激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法-CN201711415752.4在审
发明人：房丰洲;吕鹏;张巨帆 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工方法，包括依次进行的预处理步骤、等离子体处理步骤、酸刻蚀步骤，抛光处理步骤。本发明方法避免了传统机械车、磨、抛加工过程，可能引入的加工缺陷及表面/亚表面损伤，显著改善倍半氧化物激光晶体的加工效率。可快速获得超光滑、低/无损伤、高精度的激光晶体表面。 1
激光晶体等离子体改性刻蚀辅助抛光加工等离子体处理激光晶体表面抛光处理步骤倍半氧化物亚表面损伤预处理步骤传统机械加工缺陷加工效率酸刻蚀无损伤光滑引入