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[实用新型]一种用于智能消防的温度传感器-CN202121359883.7有效
发明人：马骏;李润青;卢欣欣;朱双春;高涛;苏冬云;徐艺瑄;陆滢滢;陶茜茜;彭景富;褚岩 -专利权人：江苏高山岭智能科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G08B17/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种温度传感器，尤其为一种用于智能消防的温度传感器，包括安装板，所述安装板表面开设有安装螺孔，所述安装板上表面固定连接有控制盒，所述控制盒上表面固定连接有感应盒，所述感应盒上表面固定连接有感应头，所述感应头下表面等距离固定连接有导热棒，所述感应盒内部底部表面固定连接有处理器，所述处理器上表面固定连接有光子晶体，所述光子晶体内部固定开设有气孔，所述气孔内部填充有荧光材料，所述光子晶体表面固定设有光栅，本实用新型中，通过设置的光子晶体和传输光纤，通过光子晶体和传输光纤进行温度的采集和传输，光子晶体和传输光纤的抗磁场能力较强，可再强磁场区进行监测，装置实用性较强。
一种用于智能消防温度传感器

[发明专利]适配体反蛋白石光子晶体传感材料和快速超灵敏无标记检测金黄色葡萄球菌肠毒素B的方法-CN202110495820.2有效
发明人：彭媛;秦康;白家磊;高志贤;李双;韩殿鹏;任舒悦;王瑜;韩铁;李森;申慧婧 -专利权人：军事科学院军事医学研究院环境医学与作业医学研究所
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明属于毒素检测领域，涉及适配体反蛋白石光子晶体传感材料和快速超灵敏无标记检测金黄色葡萄球菌肠毒素B的方法。该适配体反蛋白石光子晶体传感材料由包括如下步骤的方法制得：S1.制备聚甲基丙烯酸甲酯微球；S2.制备SiO2反蛋白石光子晶体；S3.制备适配体反蛋白石光子晶体传感材料，S3‑1：氨基化修饰；S3‑2：胶体金在光子晶体表面的修饰；S3‑3：在修饰胶体金后的反蛋白石光子晶体表面滴加SEB适配体溶液，得到所述适配体反蛋白石光子晶体传感材料。
适配体反蛋白石光子晶体传感材料快速灵敏标记检测金黄色葡萄球菌毒素方法

[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN202210356843.X在审
发明人：卢超群 -专利权人：发明与合作实验室有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明通过在不使用离子植入的情况下形成轻掺杂漏极来提供具有可控制的通道长度的新型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构。MOSFET结构包括具有半导体表面的半导体晶圆基板、半导体表面上方的栅极结构、半导体表面下方的通道区和电耦合至通道区的第一导电区。第一导电区包括独立于半导体晶圆基板的轻掺杂漏极区。
金属氧化物半导体场效应晶体管结构

[实用新型]一种多晶用石英坩埚-CN201920979439.1有效
发明人：王金灵;白平平;周铁军;刘留 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：管嘴与坩埚本体的内腔连通，且管嘴远离坩埚本体的一端的开口的位置不低于坩埚口，以避免半导体多晶液体从管嘴溢出；在半导体多晶合成过程中，与坩埚本体内腔连通的管嘴有助于半导体溶液内部的气体排出，同时也使液体加快凝固，消除多晶体表面的气孔和坑洼，提高多晶体表面质量。
一种多晶石英坩埚

[发明专利]一种在长石晶体中生长纳米材料的方法-CN202011212050.8有效
发明人：周青超;王成思;沈锡田 -专利权人：中国地质大学（武汉）;滇西应用技术大学
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在长石晶体中生长纳米材料的方法，该制备方法通过高温扩散的手段将金属元素引入到长石晶体内部，为了减少长石晶体在高温扩散过程中与扩散原料的化学反应对长石晶体表面造成的损伤，在高温扩散过程中将长石晶体的一部分包埋在扩散原料中这种方法得到的含有纳米材料的长石晶体露出的部分表面无损伤，可以最大程度地保留其作为宝石材料、光电材料的应用价值。
一种长石晶体生长纳米材料方法

[发明专利]提高红外非线性光学晶体的激光诱导损伤阈值的方法-CN202211186272.6在审
发明人：刘红军;潘晓光;王勇政;邱海龙;胡章贵;吴以成 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高红外非线性光学晶体的激光诱导损伤阈值的方法，采用激光束对红外非线性光学晶体表面进行辐照，所述激光束的光通量小于红外非线性光学晶体的光损伤阈值。通过合适的激光通量辐照可以有效地降低晶体的缺陷，从而降低晶体中缺陷引起的吸收导致的晶体损伤，进而提高红外非线性光学晶体的激光诱导损伤阈值。在激光辐照后可以大幅提高红外非线性光学晶体抗激光损伤的能力，为提高红外非线性光学晶体激光损伤阈值提供了新的途径。
提高红外非线性光学晶体激光诱导损伤阈值方法

[发明专利]一种基于光子晶体结构的QLED及制备方法-CN201610868897.9在审
发明人：李龙基;曹蔚然;钱磊 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种基于光子晶体结构的QLED及制备方法。所述QLED从下至上依次包括：基板、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；所述空穴注入层为具有光子晶体结构的空穴注入层。本发明在空穴注入层中制作光子晶体结构，利用光子晶体的表面效应，即全反射作用和量子点发射光与光子晶体表面状态的耦合作用，从而有效利用量子点射向金属电极一侧的光，提高量子点发光二极管的出光效率。
一种基于光子晶体结构 qled 制备方法

[发明专利]一种光子晶体仿生镀膜镜片及制备方法-CN202211021777.7在审
发明人：袁建伟;张安华 -专利权人：五彩司徕柏光学科技（江苏）有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G02C7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体仿生镀膜镜片及制备方法，光子晶体仿生镀膜镜片包括镜片基层和覆盖在所述镜片基层上的光子晶体仿生膜；所述光子晶体仿生膜具有反蛋白石结构。本发明提供的具有反蛋白石结构的仿生光子晶体膜，能够在镜片表面形成数百个犹如蜂窝形状的六边形小镜片，能够将强光和物体表面的杂、散光线反射出去，同时起到一定的防蓝光作用，避免了眼球受强光刺激，有利于保护眼睛
一种光子晶体仿生镀膜镜片制备方法

[实用新型]晶体用加工器具-CN202220934281.8有效
发明人：李佑仁;周育正;洪博耀;黃志昇 -专利权人：盛新材料科技股份有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B24D7/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体用加工器具，该晶体用加工器具适于对晶体进行表面加工。所述晶体用加工器具包括：一轮状主体，具有一处于径向方向上的加工面并具有一轴心；以及多个齿状凸起，设置于所述加工面上且围绕所述轴心等间距地排列，其中多个所述齿状凸起之间的间距为2mm至4mm，多个所述齿状凸起各自具有因此，能改善晶体表面加工质量，并能提高加工精度和效率。
晶体加工器具

[发明专利]一种硅晶体原生缺陷的检测方法-CN202111249604.6在审
发明人：薛忠营;刘赟;魏星 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定所述外延缺陷的类型
一种晶体原生缺陷检测方法

[发明专利]一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法-CN201710756515.8在审
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及高电子迁移率晶体管的制备技术领域，公开了一种减小氮化镓晶体管欧姆接触电阻率的方法，包括如下步骤在半导体表面光刻出漏源区域之后，经稀盐酸处理去除表面氧化物；在感应耦合等离子体刻蚀机中采用氩等离子体处理所述漏源区域表面；经过金属蒸发、剥离、退火，形成欧姆接触，其中通过采用氩等离子体处理漏源区域表面，既可以去除表面残留物，达到清洁表面的目的，又可将半导体表面粗糙化，增加欧姆金属与半导体的接触面积，使得高温退火过程中金属与半导体的合金反应可以更加充分
一种减小氮化晶体管欧姆接触电阻率方法

[实用新型]一种超高速光学扫描装置-CN202223519320.7有效
发明人：吕继强 -专利权人：东莞市迈创机电科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高速光学扫描装置，包括至少一组反射装置，每组反射装置均包括单晶体，单晶体的正极端与高频电源的高频正极相连接，单晶体的负极端与高频电源的高频负极相连接，单晶体的表面设有能够反射光线的形变膜体，在单晶体通入高频电流后，单晶体表面上的形变膜体能够发生形变，从而通过形变来改变照射在其表面的光线的反射方向。本实用新型的单晶体的表面上的形变膜体在单晶体通入高频电流后会发生形变，从而通过形变来改变照射在其表面的光线的反射方向，与传统的电机驱动振镜摆动来改变照射在其表面的光线路径的方式相比具有无需设置电机、结构更加简单
一种超高速光学扫描装置

[发明专利]一种湿法刻蚀去除晶体表面氮化膜方法-CN202211541493.0在审
发明人：韩政政;李冬强;姜凡;郑凯旋 -专利权人：南京中电熊猫晶体科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体刻蚀技术领域，具体涉及一种湿法刻蚀去除晶体表面氮化膜方法；将晶片置于清洗台上；在常温环境下，稀释BOE缓冲蚀刻液，得到稀释液，将晶片浸入稀释液中清洗30s，以清洗晶片暴露在空气中形成的原生氧化层
一种湿法刻蚀去除晶体表面氮化方法

[发明专利]超硬激光晶体表面粗糙度的加工方法-CN201910000512.0有效
发明人：程鑫;魏朝阳;邵建达;曹俊 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种超硬激光晶体表面粗糙度加工方法，该方法包括研磨、粗抛和精密环抛等步骤。本发明方法通过磨料粒径的检测，严格控制研磨阶段各工序的磨削量，从根本上去除亚表面缺陷；通过加入抛光助剂，使抛光液得到更均匀的分散和润滑，从而有效控制表面/亚表面缺陷的产生，大大提高了超硬激光晶体的表面粗糙度，对于规格为125mm×6mm×6mm及133mm×33mm×3mm的Nd：YAG晶体两个大面粗糙度达到0.3nm。
激光晶体表面粗糙加工方法

[发明专利]三硼酸锂晶体表面增透膜膜系及制备工艺-CN94106609.6无效
发明人：杨恕冰;张宝钦 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 1994-06-29 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：一种三硼酸锂晶体表面倍频增透膜膜系及制备工艺，该增透膜的膜系是GGd2O3(λ/4)LaF3(λ/4)MgF2(λ/4)A(其中G代表基底材料，A代表空气)，制备工艺的特点是用丙酮作表面清洁剂，外用调压器对被镀件缓慢加热、控温(不高于200℃)，用银箔包裹保护未镀面，成膜后的晶体在真空室中缓慢退火，取消空气中后坚膜处理。用该发明镀制了倍频增透膜的LBO晶体器件已出口千片以上，在激光损伤阈值和耐久性方面处于国际领先地位。
硼酸晶体表面增透膜制备工艺