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[发明专利]在液体表面生长金刚石晶体的方法-CN97119937.X无效
发明人：方宝贤 -专利权人：方宝贤
申请日： 1997-10-29 - 公布日： 1999-05-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及到晶体生长,尤其是金刚石晶体的生长方法。本发明所述方法是用碳源在可防止氧化的气体里,在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。用液态衬底的特点是改善目前生长金刚石晶体的结果而制造大单晶金刚石,特别做电子材料及光学材料。
液体表面生长金刚石晶体方法

[发明专利]一种眼科器件植入器-CN202211460584.1有效
发明人：冷仲禹;曹霞;许丹凤;班娜娜;李诗琪;吕佳 -专利权人：齐齐哈尔建华医院有限责任公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： A61F9/007 文献下载
摘要：本发明公开了医疗器材技术领域的一种眼科器件植入器，包括控制杆，所述控制杆的内部安装有晶体夹持机构，所述晶体夹持机构包括连接在杆体前端的隐藏槽内的铰接轴，所述铰接轴的表面铰接有两组连杆呈镜像分布，所述连杆的前端连接有夹套，所述夹套设置为锥台状，所述连杆的尾端连接有滑块，本方案通过晶体调整机构可以对晶体夹持机构上的晶体进行角度方向调整，使得晶体夹持机构在对晶体进行夹持的过程中，无需对晶体进行调整，只需晶体夹持机构先对晶体进行固定在通过晶体调整机构进行调整，并且晶体调整机构通过风力作用于晶体表面，相较于传统的器械夹持，作用力更加缓和，可以避免对晶体造成损坏的同时，减少了污染的可能性。
一种眼科器件植入

[发明专利]磁性颗粒－凹凸棒石纳米复合材料及以凹凸棒石直接酸溶的制备方法-CN200610038913.8无效
发明人：陈天虎;谢巧勤 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C04B33/04 文献下载
摘要：磁性颗粒－凹凸棒石纳米复合材料及以凹凸棒石直接酸溶的制备方法，复合材料是在凹凸棒石晶体表面负载有纳米磁性颗粒。以沉积型凹凸棒石粘土为原料，首先对其进行酸溶，溶解出凹凸棒石晶体结构中的铁离子，再进行碱中和，使溶出的铁离子水解形成铁氢氧化物；最后对悬浮液进行脱水、洗涤，所得固形物还原焙烧，铁氢氧化物转变为纳米磁性颗粒，并负载在凹凸棒石晶体表面，获得磁性颗粒－凹凸棒石纳米复合材料。
磁性颗粒凹凸纳米复合材料直接制备方法

[发明专利]一种固相掺杂硅单晶的制备方法-CN202110523687.7在审
发明人：杨志;郭志荣;王林;程立波;钟旭;刘有益 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种固相掺杂硅单晶的制备方法，包括：将多晶料和掺杂剂混合成的原料放入坩埚内；将晶体生长装置内部抽真空，通入氩气；将所述坩埚置入所述晶体生长装置中并熔化所述原料，得到熔体；籽晶接触所述熔体表面，当所述熔体表面稳定后开始引晶，直至晶棒脱离所述熔体表面，引晶结束。
一种掺杂硅单晶制备方法

[发明专利]药物涂层球囊-CN201611179079.4在审
发明人：谢琦宗 -专利权人：先健科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： A61M25/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种药物涂层球囊，包括球囊本体及至少部分覆盖于所述球囊本体表面的药物涂层，所述药物涂层包括活性药物及载体，所述载体包括成核剂。本发明的药物涂层球囊中，通过亲水性成核剂干预亲脂性活性药物的结晶过程，使得球囊本体表面具有松散、均匀的药物涂层，且药物涂层中的活性药物晶体具有较大的粒径及较大的表面积。由此，本发明提供的药物涂层球囊在到达人体内部的病变部位并受压膨胀时，松散均匀的药物涂层与血管壁表面的亲脂位点充分接触，活性药物能快速自可扩张球囊表面转移至人体组织；之后，转移至人体组织的活性药物晶体能被血管组织快速吸收；同时，粒径较大的活性药物晶体能发挥长期药效并抑制远期再狭窄。
药物涂层活性药物球囊本体球囊人体组织成核剂粒径松散可扩张球囊表面转移病变部位充分接触结晶过程快速吸收血管组织亲水性亲脂性血管壁再狭窄亲脂受压位点膨胀干预覆盖

[发明专利]一种确定KDP晶体表面缺陷全塑性域微铣削修复工艺参数的方法-CN202310616295.4在审
发明人：程健;雷鸿钦;陈继祥;张紫晓;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B23C3/00 文献下载
摘要：本发明一种确定KDP晶体表面缺陷全塑性域微铣削修复工艺参数的方法，涉及光学元件加工领域，为解决现有方法未建立多种铣削方式下的最大未变形切削厚度模型，且并未考虑表面缺陷对未变形切削厚度的影响的问题。包括如下步骤：步骤一、测量KDP晶体表面缺陷的深度；步骤二、选择球头微铣削修复工艺参数；步骤三、分别构建正铣、负铣，顺铣和逆铣四种铣削模式下的最大未变形切削厚度模型并计算；步骤四、调整修复工艺参数，至各个铣削方式的最大未变形铣削厚度均小于脆塑转变临界切削深度；步骤五、确定表面缺陷全塑性域修复工艺参数。本发明以最大未变形切削厚度模型分析结果为基础对KDP晶体全塑性域微铣削修复工艺参数进行确定，可提高修复表面质量。
一种确定 kdp 晶体表面缺陷塑性铣削修复工艺参数方法

[发明专利]基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法-CN202310611108.3在审
发明人：陈明君;侯家锟;程健;赵林杰;武文强;刘启;王景贺;刘志超;王健;许乔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法，涉及精密光学加工技术领域，为解决现有对刀方法对加工条件要求较高，对刀精度相对较差，易受外界环境干扰，同时安全性方面不足的问题。本发明首先通过三点“试切法”确定待修复晶体表面的平面拟合方程，根据扫描显微镜获得的光学表面微缺陷的平面位置信息，计算不同待修复缺陷点至对刀表面的距离，以确定对刀进给距离，提高对刀效率的安全性；然后通过修复显微镜基于“倒影法”计算对刀过程中刀尖距离晶体待修复表面的距离；最后以扫描显微镜中出现的对刀凹坑作为对刀完成的判据。
基于显微镜协同光学晶体表面缺陷修复自动方法

[发明专利]一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法-CN202310613167.4在审
发明人：刘一军;程科木;吴洋;黎志升;聂光临 -专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法。所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案；在喷墨打印图案后的砖坯表面施第一道低膨胀耐磨全抛釉；在施第一道低膨胀耐磨全抛釉的坯体表面施第二道低膨胀耐磨全抛釉；烧成，得到所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖。
一种膨胀青石晶体耐磨釉陶瓷砖及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射光子晶体表面波激光器及其设计方法-CN200710037989.3有效
发明人：蒋寻涯;赵德印;周传宏;张永亮 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射光子晶体表面波激光器及其设计方法，所述的设计方法，包括如下步骤：步骤1.选定发光材料，确定材料折射率，选择光子晶体结构类型，确定结构参数；步骤2.利用超原胞技术和平面波展开法计算该结构的色散关系，得到表面模式；步骤3.设计表面波微腔腔体，该腔体的表面层具有周期性的波状起伏。本发明适当改变光子晶体表面层结构，使表面层或表面层的近邻层具有周期性的波状起伏，从而改变表面波激光器的发射方向，由原来的端发射转变为垂直腔面发射，而且出射光的等相位面非常平坦。本发明的设计思路简单，集成性好，适用范围广，可根据不同材料的发光特性设计不同波段的表面波激光器，特别是用半导体材料设计光通讯波段的光源器件具有更重要的实用价值。
一种垂直发射光子晶体表面波激光器及其设计方法

[发明专利]一种KDP晶体加工表面缺陷诱导的激光损伤动态行为模拟方法-CN202310613702.6在审
发明人：陈明君;丁雯钰;程健;赵林杰;刘志超;汪圣飞;许乔;胡健睿;陈广;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种KDP晶体加工表面缺陷诱导的激光损伤动态行为模拟方法，属于工程光学技术领域。为解决现有KDP晶体损伤模型并未考虑激光辐照下产生的多物理场对晶体作用，只能得到损伤终态形貌图，无法揭示表面缺陷与损伤之间关联问题。利用光强描述强激光在KDP晶体内聚集的能量，引入光增强因子，建立有限元模型并进行求解，再建立能量沉积方程，采用JH模型描述KDP晶体的损伤断裂行为，选择最大拉应力作为KDP晶体的失效准则，进而建立多物理场激光损伤动力学模型考虑多物理场在强激光辐照下对晶体的作用，可建立一个真实复现强激光辐照下晶体表面缺陷向损伤演化的动力学模型，填补了KDP晶体激光损伤动态行为模拟的技术空白。
一种 kdp 晶体加工表面缺陷诱导激光损伤动态行为模拟方法

[发明专利]用于太赫兹波段增透的碲化锌晶体表面微结构的制备方法-CN201810647411.8在审
发明人：董江鹏;徐亚东;周策;魏子涵;肖宝;李乐琪;介万奇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太赫兹波段增透的碲化锌晶体表面微结构的制备方法，用于解决现有方法制备的碲化锌晶体表面微结构透过率差的技术问题。技术方案是将碲化锌晶体机械抛光和化学抛光；用溴甲醇溶液腐蚀碲化锌晶片一定时间，运用反应离子刻蚀的方法采用合适的气氛、功率和气压在碲化锌的上下两个面刻蚀出微结构，刻蚀完之后最后将碲化锌晶片装入晶片夹具，形成器件使用由于使用了反应离子刻蚀的方法进行表面微结构的刻蚀，使用了优化的工艺和制备参数，相对于背景技术太赫兹透过率提高了30％以上，增透程度最高达到150％以上，总体均匀增透，同时也降低了生产成本，实用性好。
表面微结构碲化锌晶体增透制备碲化锌反应离子刻蚀太赫兹波段透过率晶片刻蚀化学抛光机械抛光甲醇溶液晶片夹具器件使用微结构面刻气压装入生产成本腐蚀优化

[实用新型]晶体表面波的玻印廷矢量方向测定实验仪-CN01279631.X无效
发明人：杨吉生 -专利权人：杨吉生
申请日： 2001-12-29 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： G09B23/06 文献下载
摘要：一种晶体表面波的玻印廷矢量方向测定实验仪，其特征在于在He－Ne激光器前方设置透镜，透镜前方一侧是铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体表面一端有叉指换能器和另一端有反射光栅，叉指换能器连接高频信号发生器，透镜后方一侧有刀口叉指换能器的指条数20条，叉指换能器的指长2.0m，叉指换能器的指条宽度和间距20μm，表面波频43.8kHz，测量范围2.0×4.0mm，相速度相对测量误差<0.5％。
晶体表面波玻印廷矢量方向测定实验

[实用新型]一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚-CN201521114037.3有效
发明人：孔海宽;忻隽;陈建军;郑燕青;施尔畏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种分体式碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托本实用新型的坩埚在生长过程中能够调节晶体表面与原料表面的距离，保持温度场的稳定性。
一种体式碳化硅晶体生长坩埚

[实用新型]柱面透射弯晶分析器-CN201520727433.7有效
发明人：徐涛;刘慎业;苏明;范松如 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：一种柱面透射弯晶分析器，包括支撑台，所述支撑台一个侧面为抛光后的圆弧凸面，该圆弧凸面中心位置设有用于待测X射线穿过的第一矩形测量孔，该支撑台两侧设有对称的圆形沉孔，且所述支撑台的圆弧凸面贴合有抛光后的平面薄晶体，本实用新型平面薄晶体的表面面型精度较高，而且降低装配难度，有效地保护晶体表面不被伤害，同时使平面薄晶体弯曲半径可控制得很小，提高分析器的应用灵活性。
柱面透射分析器

[发明专利]聚合物涂层-CN99802027.3无效
发明人： L·C·温特顿;J·沃格特;J·M·拉利;F·斯多金格 -专利权人：诺瓦提斯公司
申请日： 1999-01-07 - 公布日： 2001-03-14 - 主分类号： G02B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了生物医学制品如眼用晶体以及制造具有至少一层聚离子层的表面涂层的这类制品的方法。优选的方法包括向晶芯喷涂聚阳离子材料,漂洗和干燥晶体,接着喷涂聚阴离子材料、漂洗和干燥晶体。可采用多次涂敷的方法以使晶体表面获得多层涂层。一种特别优选的实施方案是一种由涂有5—20层双层亲水性聚离子材料涂层的、具有高透氧性的憎水性晶芯构成的隐形眼镜。
聚合物涂层