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[发明专利]制造用于安全装置的图像图案的方法-CN201780051397.9在审
发明人： A·李斯特 -专利权人：德拉鲁国际有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： B42D25/44 文献下载
摘要：所述方法包括：(a)提供一个金属化的衬底，所述金属化的衬底包括一种衬底材料，在所述衬底材料的第一表面上具有第一金属层，所述第一金属层在第一蚀刻剂物质中可溶；(b)将第一抗蚀剂层施加到所述第一金属层，所述第一抗蚀剂层包括一种抗蚀剂材料；(c)使所述第一抗蚀剂层与一个浮雕结构接触，所述浮雕结构包括一个支撑件，在所述支撑件上承载一个或多个突出部，所述一个或多个突出部各自远离所述支撑件延伸到一个远侧尖端，于是所述突出部中的至少一个延伸到所述第一抗蚀剂层中；(d)当所述第一抗蚀剂层和所述浮雕结构接触时，控制所述金属化的衬底和/或所述浮雕结构，以实现所述金属化的衬底和至少所述突出部中的至少一个突出部的尖端之间沿着一个移动方向的相对移动，使得延伸到所述第一抗蚀剂层中的所述突出部中的至少一个突出部将所述抗蚀剂材料的对应的至少一部分从所述金属化的衬底的对应的至少一个区域排出；(e)使所述第一抗蚀剂层与所述浮雕结构分离，使得从所述第一抗蚀剂层移除所述突出部中的至少一个突出部，留下位于所述至少一个区域外部保留在所述金属化的衬底上的抗蚀剂材料，从而形成具有存在所述抗蚀剂材料的一个或多个第一图案元件以及对应于所述至少一个区域且基本上不存在所述抗蚀剂材料的一个或多个第二图案元件的图案；以及(f)将所述第一蚀刻剂物质施加到所述金属化的衬底，于是所述第一金属层的第二图案元件被溶解，所述第一金属层的保留的第一图案元件形成一个图像图案。
抗蚀剂层突出部金属化衬底第一金属层抗蚀剂材料浮雕结构图案元件图像图案支撑件蚀刻剂物质安全装置衬底材料延伸施加第一表面区域外部相对移动移动方向保留可溶排出移除溶解制造承载图案

[发明专利]光刻方法-CN201410858501.3在审
发明人：朴钟根;C·N·李;C·安德斯;李忠奉 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种制造电子设备的方法，依次包括以下步骤：(a)提供包括一个或多个要图案化的层的半导体基材；(b)在所述一个或多个要图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层由包括以下组分的组合物制成：包括具有酸不稳定基团的单元的基体聚合物；光致酸产生剂；和有机溶剂；(c)在光致抗蚀剂层上涂覆光致抗蚀剂保护层组合物，其中保护层组合物包括淬灭聚合物和有机溶剂，其中所述淬灭聚合物包括含碱性部分的单元，其有效中和了在光致抗蚀剂层的表面区域内由光致酸产生剂产生的酸；(d)将光致抗蚀剂层曝光于活化辐射下；(e)在曝光后烘烤工艺中加热基材；和(f)将曝光的膜用有机溶剂显影剂显影。
光刻方法

[发明专利]沉积用掩模的制造方法-CN201710064161.0在审
发明人：文英慜;任星淳 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施方式公开了沉积用掩模的制造方法，该方法使用电铸镀将金属镀层在电极板上来制造包括焊接部、肋部和图案部的沉积用掩模，该方法包括将第一光致抗蚀剂层涂覆在电极板上；向第一光致抗蚀剂层照射光，其中，半色调掩模布置在光源与第一光致抗蚀剂层之间，以在第一光致抗蚀剂层上形成多个曝光区域，其中，半色调掩模具有阻断区域、透射区域以及一个或多个半透射区域；对多个曝光区域进行显影，以将第一镀层区域暴露至外部；将第一金属层镀层在第一镀层区域上；对第一光致抗蚀剂层进行灰化，以将第二镀层区域暴露至外部；将第二金属层镀层在第一金属层和电极板上的第二镀层区上；以及去除第一光致抗蚀剂层和电极板。
沉积用掩模制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201910486151.5在审
发明人：渡边健一 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。
光致抗蚀剂欧姆电极阻挡金属层开口图案开口蚀刻半导体基板半导体装置紫外线固化热处理膜形成覆盖制造

[发明专利]半导体装置-CN202110631068.X在审
发明人：渡边健一 -专利权人：住友电工光电子器件创新株式会社
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：在半导体基板上形成包含Al的欧姆电极的工序；形成将欧姆电极覆盖的SiN膜的工序；在SiN膜上形成具有与欧姆电极重叠的开口图案的第一光致抗蚀剂的工序；对第一光致抗蚀剂进行紫外线固化的工序；在从开口图案露出的SiN膜形成开口，使欧姆电极的表面露出的工序；在第一光致抗蚀剂上及从开口露出的欧姆电极上形成阻挡金属层的工序；在开口图案内形成第二光致抗蚀剂的工序；对第二光致抗蚀剂进行热处理，利用第二光致抗蚀剂将与开口重叠的阻挡金属层覆盖的工序；及使用第二光致抗蚀剂对阻挡金属层进行蚀刻的工序。
半导体装置

[发明专利]形成网状结构光阻层的方法-CN01118942.8有效
发明人：张文彬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-05-16 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成网状结构光致抗蚀层的方法，包括：提供一光致抗蚀层；以一光源照射所述光致抗蚀层；以及将所述照射过的光致抗蚀层，置于一交联剂(crosslinking agent)的蒸汽中，使形成一网状结构的光致抗蚀层它是一种形成网状结构的化学增强的光致抗蚀层的方法。
形成网状结构光阻层方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200710142599.2无效
发明人：全承镐 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，包括在具有底层的半导体基底上涂覆光致抗蚀剂层；在光致抗蚀剂层上执行软烤过程；在已经经过软烤过程的光致抗蚀剂层上执行曝光过程；在由曝光过程形成的光致抗蚀剂图形孔上执行曝后烤(PEB)过程；在已经经过PEB过程的光致抗蚀剂图形孔上执行显影过程；在已经经过显影过程的光致抗蚀剂图形孔上执行硬烤过程。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于电子束图案化的方法-CN201210451288.5有效
发明人：王文娟;林世杰;许照荣;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：一种用于电子束图案化的方法，包括在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
用于电子束图案方法

[发明专利]触控装置的制作方法-CN201210527816.0有效
发明人：陈建宇;叶家骏;庄文奇;陈逸祺 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开一种触控装置的制作方法，其包括提供具第一透明导电层的基板，图案化第一透明导电层形成下部触控感测层，再于基板上形成第一保护层与第一光致抗蚀剂层，利用一光掩模图案化第一光致抗蚀剂层使其具有第一开口并具有不同的厚度，移除厚度较小的部分以形成第二开口，然后图案化暴露出的第一保护层而形成开孔与接触洞。移除第一光致抗蚀剂层后，依序形成第二透明导电层与第二光致抗蚀剂层，利用同一光掩模以图案化第二光致抗蚀剂层，使第二光致抗蚀剂层具有对应于第一保护层开孔的第三开口，暴露出第二透明导电层，接着移除被暴露的第二透明导电层，形成上部触控感测层。
装置制作方法

[发明专利]包含碱活性组分的组合物及光刻工艺-CN201110462163.8有效
发明人： D·王;刘骢;李明琦;吴俊锡;C-B·徐;D·H·康;C·H·库明斯;M·S·奥伯 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
包含活性组分组合光刻工艺

[发明专利]光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺-CN200710128383.0无效
发明人：何青原;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种光致抗蚀剂层的重工方法。首先，提供材料层。之后，在材料层上依序形成保护层、第一硬掩模层与第一图案化光致抗蚀剂层，其中保护层与第一硬掩模层具有不同的蚀刻选择性。接着，移除第一图案化光致抗蚀剂层。然后，移除第一硬掩模层至暴露出保护层。随之，在材料层上依序形成第二硬掩模层与第二图案化光致抗蚀剂层。本发明还公开了一种图案化工艺。
光致抗蚀剂层重工方法图案化工

[发明专利]热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法、模具、显影方法以及图案形成材料-CN201280057187.8有效
发明人：三田村哲理;中田卓人 -专利权人：旭化成电子材料株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：一种热反应型抗蚀剂材料，含有氧化铜以及硅或氧化硅，所述热反应型抗蚀剂材料中的所述硅或氧化硅的含量以硅的摩尔量计为4.0mol％以上、不足10.0mol％。使用该热反应型抗蚀剂材料形成热反应型抗蚀层，将该热反应型抗蚀层曝光后在显影液中显影。以得到的热反应型抗蚀层作为掩膜，基材在氟利昂气体下进行干蚀刻，制得基材表面具有凹凸形状的模具。
反应型抗蚀剂材料模具制造方法显影以及图案形成

[发明专利]制造方解石纳米流体通道-CN201980056054.0在审
发明人：车东奎;穆罕默德·巴德里·阿勒奥泰比;阿里·阿卜杜拉·阿勒-优素福 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅(SiN)衬底的顶表面上。在涂覆光致抗蚀剂层后，用电子束以预定图案扫描光致抗蚀剂层。将扫描的光致抗蚀剂显影，从而以预定图案暴露SiN衬底的顶表面的部分。使用方解石前体气体，利用原子层沉积(ALD)以预定图案沉积方解石。使用溶剂移除光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在SiN衬底的顶表面上以预定图案沉积的方解石，其中沉积的方解石的宽度在50至100纳米(nm)的范围内。
制造方解石纳米流体通道

[发明专利]微结构的制造方法-CN200510131009.7无效
发明人：蔡欣昌;张育儒;邢泰刚 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微结构的制造方法包括下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一光致抗蚀剂层；于该光致抗蚀剂层之上提供一第一光掩模，该第一光掩模具有至少一不透光区与至少一第一透镜；提供一光源透过该第一光掩模而照射该光致抗蚀剂层；去除部分该光致抗蚀剂层，使该光致抗蚀剂层形成至少一凹部，且该凹部具有一侧壁、一深度与一宽度，其中该侧壁的倾斜角度不小于5度，且该深度与该宽度的比值不小于2。
微结构制造方法

[发明专利]图像传感器的制造方法-CN200710162192.6无效
发明人：黄俊 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种图像传感器的制造方法，包括下列步骤：在滤色镜层上形成光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行曝光，以形成从所述光致抗蚀剂层的上表面起具有预定深度的图案；热处理所述光致抗蚀剂层以形成微透镜前体；以及蚀刻所述微透镜前体以形成微透镜
图像传感器制造方法