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[发明专利]光刻-CN200780028691.4无效
发明人：汉斯·奎因滕;彼得·赞德贝尔根;戴维·范斯滕温克尔;阿尼亚·范利恩霍夫 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻方法，包括步骤：提供基板并在基板上形成光致抗蚀剂层(100)；执行第一次曝光(120)，其中通过具有图案的掩膜照射所述光致抗蚀剂层的预定部分，以在所述光致抗蚀剂层内形成所述图案的潜像；在执行定影(140)前，对所述光致抗蚀剂层执行预处理(130)，以去除潜像的预定部分。本发明还涉及一种在本发明的方法中使用的光致抗蚀剂。
光刻

[发明专利]在选定材料中形成开口的方法-CN200880003584.0无效
发明人：斯图尔特·罗斯·韦纳姆;艾莉森·列农;罗兰·尤达迪布拉塔·乌塔马;艾尼塔·荣·易·霍-贝利 -专利权人：新南创新私人有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在选定材料的层中形成开口的方法。所述方法包括：在所述选定材料上形成聚合物抗蚀剂层；以及增塑其中要形成开口的所述抗蚀剂的区域。所述增塑通过将第一溶液沉积到所述聚合物抗蚀剂层的表面上而进行，其中所述第一溶液是被选择用于在已经吸收所述第一溶液的区域中增加所述聚合物抗蚀剂层对第二溶液的渗透性的增塑剂，并且所述第二溶液被选择为用于所述选定材料的蚀刻剂或溶剂在选择性增塑所述抗蚀剂层之后，使其与所述第二溶液接触，所述第二溶液渗透在渗透性增加的区域中的所述聚合物抗蚀剂层，并且在所述选定材料中形成开口。
选定材料形成开口方法

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN202111230313.2在审
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置及显示装置-CN201610919906.2有效
发明人：片山晃男;长田崇一郎 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置。提供能够制造图案直线性高的电路布线的干膜抗蚀剂。一种干膜抗蚀剂、电路布线的制造方法、电路布线、输入装置、显示装置，所述干膜抗蚀剂为在临时支承体上具有抗蚀剂层的正型干膜抗蚀剂，临时支承体的总光线雾度为0.3％以下。
干膜抗蚀剂电路布线制造方法输入装置显示装置

[发明专利]形成用于极紫外剂量减少的底层的方法及包括其的结构-CN202211054642.0在审
发明人： A.萨哈;D.德罗斯特;M.吉文斯;C.德泽拉;M.图克拉姆;D.皮尤米 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：公开了形成包括光致抗蚀剂吸收剂层的结构和包括位于极紫外(EUV)光致抗蚀剂下面的吸收剂层的结构的方法。base:Sup>6cm2/mol的EUV横截面(σα)的高原子序数(z)元素的氧化物形成光致抗蚀剂吸收剂层或底层，然后在高z底层上形成EUV光致抗蚀剂。
形成用于紫外剂量减少底层方法包括结构

[发明专利]一种溶液辅助软压印方法-CN201410459137.3在审
发明人：谢惠民;戴相录;吴丹 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶液辅助软压印方法，包括以下步骤：制作表面具有微结构的第一材料的软模板；将抗蚀剂和有机溶剂配成溶液，其中，抗蚀剂不能被第一材料吸收，并且有机溶剂能被第一材料吸收；提供基片，并将溶液滴加到基片上；将软模板置于基片和溶液液滴之上，以使软模板和基片通过溶液液滴充分接触；待有机溶剂全部被第一材料的软模板吸收并且抗蚀剂固化成为抗蚀剂层后，脱除掉软模板，得到载有抗蚀剂层的基片，其中，抗蚀剂层表面具有与软模板相反的微结构；以抗蚀剂结构层为掩膜层，对基片进行刻蚀或沉积加工。
一种溶液辅助压印方法

[发明专利]导电膜及其制造方法、导电体、抗蚀剂图形的形成方法及层叠体-CN201980016372.4有效
发明人：牧川早希;山嵜明;山田直子;入江嘉子;佐伯慎二;鹈泽正志 -专利权人：三菱化学株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01B1/12 文献下载
摘要：本发明的抗蚀剂图形的形成方法具有以下步骤：层叠步骤，在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成所述导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；曝光步骤，对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束本发明的层叠体具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，所述抗静电膜是所述导电膜。
导电及其制造方法抗蚀剂图形形成层叠

[发明专利]半导体光元件的制造方法-CN200910126180.7无效
发明人：楠政谕;冈贵郁 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光元件的制造方法，该方法可以通过简单的步骤防止波导脊顶部的半导体层和电极的接触面积的减少，并可以防止波导脊顶部的半导体层因蚀刻而受到损伤。该方法包括如下步骤：以抗蚀剂作为掩模对第二半导体层进行蚀刻，直至蚀刻到第二半导体层中途，从而形成在底部残留有第二半导体层的凹部以及与该凹部相邻的波导脊；在残留有抗蚀剂的状态下，在波导脊和凹部上形成绝缘膜；利用形成在抗蚀剂上的绝缘膜和形成在凹部上的绝缘膜的蚀刻速度的不同，除去形成在抗蚀剂上的绝缘膜使抗蚀剂露出，但同时保留形成在凹部上的绝缘膜；除去露出的抗蚀剂；除去抗蚀剂之后，在波导脊顶部形成电极。
半导体元件制造方法

[发明专利]屏蔽印制布线板的制造方法-CN201680053123.9在审
发明人：角浩辅;桥本和博;森元昌平;田岛宏;渡边正博;山内志朗 -专利权人：拓自达电线株式会社
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明所涉及的屏蔽印制布线板的制造方法包括以下工序：准备含有基础基材、设置在所述基础基材上的接地布线、覆盖所述接地布线且设置有使所述接地布线的一部分露出的开口部的绝缘层的印制布线板主体部的工序；将抗蚀剂树脂以一定的图形形状载于所述绝缘层之上的抗蚀剂载置工序；在从所述开口部露出的接地布线之上和载有所述抗蚀剂树脂的所述印制布线板主体部之上设置金属层的金属层形成工序；通过溶剂除去所述抗蚀剂树脂，由此将所述金属层中设置在所述抗蚀剂树脂上的部分与所述抗蚀剂树脂一起除去，使存在于所述一定的图形形状以外的部分的所述金属层形成屏蔽层的工序。
屏蔽印制布线制造方法

[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法-CN200810134017.0无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。
制造光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]安全装置及制造用于安全装置的图像图案的方法-CN201780039542.1有效
发明人： A·李斯特 -专利权人：德拉鲁国际有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B42D25/445 文献下载
摘要：所述方法包括：提供一个金属化的衬底，所述金属化的衬底包括一种衬底材料，在所述衬底材料的第一表面上具有第一金属层，所述第一金属层在第一蚀刻剂物质中可溶；将第一光敏抗蚀剂层施加到所述第一金属层，所述第一光敏抗蚀剂层包括可热活化的交联剂，所述交联剂可操作以优先使选定类的官能团交联，在施加到所述第一金属层时所述官能团不存在于所述第一光敏抗蚀剂层中。使所述第一光敏蚀刻剂层暴露于第一反应物物质，所述第一反应物物质与所述第一光敏抗蚀剂层的暴露的第二图案元件反应，以产生至少一个所述选定类的官能团，所述第一反应物物质基本上不与所述第一光敏抗蚀剂层的未暴露的第一图案元件反应使所述第一光敏抗蚀剂层中的交联剂活化，使得在暴露的第二图案元件中的至少一个所述选定类的官能团之间形成交联，由此所述第一光敏抗蚀剂层的暴露的第二图案元件在所述第二蚀刻剂物质中的可溶性降低。使所述第一光敏抗蚀剂层的第一图案元件和第二图案元件暴露于一个波长的辐射，所述抗蚀剂层响应于该波长的辐射，于是所述第一光敏抗蚀剂层的新暴露的第一图案元件反应，导致对所述第二蚀刻剂物质的可溶性增加，所述第二图案元件保持对于所述第二蚀刻剂物质相对不可溶
安全装置制造用于图像图案方法

[发明专利]一种制备微结构的方法-CN201110120117.X无效
发明人：刘若鹏;张贤高;赵治亚;缪锡根 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种制备微结构的方法，该方法包括：在衬底上形成一层所需金属材料；在所述金属材料上涂覆一层抗蚀剂；将预置的微结构图形模版与所述抗蚀剂进行压合；在所述抗蚀剂上形成微结构图形后，将所述微结构图形模版与所述抗蚀剂分开；将所述抗蚀剂上的微结构图形转移到所述金属材料上；去除所述金属材料上的所述抗蚀剂。
一种制备微结构方法

[发明专利]图像传感器的微透镜掩模及其用于形成微透镜的方法-CN200910266346.5无效
发明人：金钟满 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：在该方法中，在包括光电二极管和晶体管的半导体衬底上形成绝缘层。在绝缘层上形成钝化层。在垂直对应于光电二极管的绝缘层上形成穿过钝化层的滤色镜层。在半导体衬底的整个表面之上形成微透镜光致抗蚀剂层。在与滤色镜层相对应的微透镜光致抗蚀剂上形成微透镜掩模。以大约450/0至550/0曝光量/焦距(dose/focus)的光强执行一次曝光工艺；使微透镜光致抗蚀剂层图案化以通过除去经过曝光工艺的光致抗蚀剂形成图案化的微透镜光致抗蚀剂层。回流该图案化的微透镜光致抗蚀剂层以形成该微透镜。
图像传感器透镜及其用于形成方法

[发明专利]电光器件堆叠体-CN201380055543.7有效
发明人：贾斯珀·约斯特·迈克尔;保卢斯·威廉默斯·玛丽亚·布洛姆;乔治·托马斯·雅各布·格茨 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了制造电光器件堆叠体(10)的方法，该方法包括设置包括接触电荷注入层(12)的电光层(13)的多层结构，电荷注入层(12)包含酸性化合物(12m)；在电光层(13)上沉积抗蚀剂层(14)，抗蚀剂层(14)包含可阳离子交联的抗蚀剂材料(14m)；通过由来自电荷注入层(12)的质子(12p)而引发的交联反应来使抗蚀剂材料(14m)在与电光层(13)中的缺口(12’、13’)相邻处进行反应，由此用包含交联的抗蚀剂材料(14c)的补片(14p)来覆盖所述缺口(12’、13’)；以及去除抗蚀剂材料(14m)的没有交联的部分，其中补片(14p)被保留为布置成用于在电荷注入层(12)与后续沉积在电光层(13)和补片(14p)上的层之间提供电绝缘。
电光器件堆叠

[发明专利]布线电路基板的制造方法-CN200910004096.8无效
发明人：竹村敬史 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2009-02-11 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种布线电路基板的制造方法，包括：准备包含金属支持层与绝缘层的2层基材的工序；利用光致抗蚀剂覆盖绝缘层的上表面、绝缘层及金属支持层的侧端面的覆盖工序；配置光掩模，使其将在上表面形成端部及导体层的部分遮光，将覆盖上表面的光致抗蚀剂从上方通过光掩模曝光的工序；将覆盖侧端面的光致抗蚀剂从下方曝光的工序；去除光致抗蚀剂的未曝光部分，将曝光部分形成为图案，形成镀敷抗蚀膜的工序；以及形成端部导体层与导体层的工序。
布线路基制造方法