“G03F1/78”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]描绘方法、母版制造方法及描绘装置-CN202110929920.1在审
发明人：香川譲德 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种描绘方法、母版制造方法及描绘装置。根据本发明的一实施方式，描绘方法包含取得表示衬底的落差部的配置状态的落差部配置信息。所述方法还包含取得表示所述落差部的高度的落差部高度信息。所述方法还包含测定所述衬底的高度。所述方法还包含基于所述取得的落差部配置信息及落差部高度信息、与所述测定出的高度，算出表示与所述衬底的描绘位置对应的电子束的射束聚焦值的分布的聚焦图。所述方法还包含由基于所述算出的焦点图决定的射束聚焦值的电子束，在所述衬底描绘图案。
描绘方法母版制造装置

[发明专利]光掩模的修正方法-CN202110571824.4在审
发明人：齐藤隆史;上南亮太 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供良好地修正相移光掩模的相移膜的白缺陷的方法。本发明的光掩模的修正方法，其是具备由相移膜构成的相移图案的光掩模的修正方法，包括：取得修正膜的光学特性的膜厚依赖性的步骤；为了使得从由修正膜构成的图案和相移图案转印的光致抗蚀剂的形状一致，而求出由修正膜构成的图案的修正量的修正膜厚依赖性的步骤；当在光掩模的相移图案中检出白缺陷的情况下，确定所检出的各白缺陷的位置的步骤；对应各白缺陷确定修正膜的膜厚及修正膜的图案的修正量的步骤；以及在包含各白缺陷的区域形成修正膜的步骤。
光掩模修正方法

[发明专利]将基于顶点的校正应用于半导体设计的方法-CN201580070905.9有效
发明人： T·夸利奥;M·米勒康;C·蒂菲尼 -专利权人：阿塞塔那诺格拉费克斯公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于以纳米级过程恰当地将半导体设计转移到晶片或掩模上的几何形状校正的改进的方法。对比一些现有技术，几何形状校正和可能的剂量校正在断裂之前应用。不同于平行地对边缘进行位移的基于边缘的校正，根据本发明的应用于所生成的几何形状校正的位移不维持边缘的平行，这尤其很好地适用于自由形式设计。种子设计根据目标设计生成。连接线段的顶点沿种子设计的轮廓放置。校正位点放置在线段上。将位移向量应用于顶点。生成模拟轮廓并将其与目标设计的轮廓进行比较。迭代该过程直到达到模拟设计与目标设计之间的匹配标准(或者另一停止标准)为止。
基于顶点校正应用于半导体设计方法

[发明专利]一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法-CN201810696045.5有效
发明人：陈宏;肖代琴 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：一种基于DNA折纸纳米结构的制作掩膜版的方法，涉及纳米制造领域。利用硅烷化试剂修饰基底，使基底表面的单分子层末端基团为惰性基团甲基；利用电子束曝光技术蚀刻单分子层；用带阳离子功能基团的试剂修饰经过处理的基底，使被电子束曝光出来的区域修饰上阳离子功能基团；将设计出特定形状和大小的DNA纳米结构经过退火合成，DNA折纸沉积在基底上，除去金属离子及多余DNA折纸；将基底放在容器中，容器内放入硅源试剂，反应得具有特定纳米图案的掩膜版；用紫外/臭氧处理掩膜版，除去表面的单分子层；利用DNA纳米结构作为图形骨架，硅源在自然条件或酸碱存在的条件下水解，生成二氧化硅包覆DNA骨架。
一种基于 dna 折纸纳米结构制作掩膜版方法

[发明专利]基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法-CN201710212027.0在审
发明人：李勇;倪惠彬 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：本发明提供一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，包括步骤：步骤1），于掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；步骤2），对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；步骤3），对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；步骤4），去除所述图形光刻胶；以及步骤5），对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。本发明取消了传统后烘和打胶两个步骤，将传统工艺中独立的两个程序显影和腐蚀合并成了连续的步骤，并考虑到取消了后烘和打胶两个步骤，将显影时间下降一部分以补偿关键尺寸的变化趋势，使得最终的线宽保持在一个良好的范围，大大简化了整个工艺流程，并大大提高了产品良率。
光刻胶掩模版化学增强显影电子束曝光图形光打胶后烘关键尺寸测量变化趋势产品良率传统工艺湿法腐蚀曝光工艺流程前烘线宽正型去除制造冷却腐蚀合并

[发明专利]用于电子束图案化的方法-CN201210451288.5有效
发明人：王文娟;林世杰;许照荣;林本坚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/78 文献下载
摘要：一种用于电子束图案化的方法，包括在衬底上形成导电材料层；在导电材料层上形成底部抗反射涂覆(BARC)层；在BARC层上形成抗蚀剂层；以及将电子束(电子束)引导至感光抗蚀剂层以用于电子束图案化工艺。设计BARC层，使得在电子束图案化工艺期间抗蚀剂层的顶部电势基本为零。
用于电子束图案方法