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- [发明专利]半导体装置的制作方法-CN201611187173.4有效
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赖韦翰;张庆裕
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2016-12-20
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2022-06-21
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G03F1/56
- 一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
- 半导体装置制作方法
- [发明专利]掩模组件的制造方法-CN201810089595.0有效
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金桢国;任星淳;黄圭焕;金圣哲;文英慜
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三星显示有限公司
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2018-01-30
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2021-12-03
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C23C14/30
- 本发明涉及能够提升图案精度的掩模组件的制造方法，该方法包括以下步骤：准备载体衬底；在载体衬底上涂覆第一光致抗蚀剂；对第一光致抗蚀剂进行图案化以形成第一光致抗蚀剂图案；在载体衬底和第一光致抗蚀剂上涂覆第二光致抗蚀剂；对第二光致抗蚀剂进行图案化以形成第二光致抗蚀剂图案；在载体衬底上沉积金属层；去除布置在第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案上的金属层；以及将载体衬底与金属层分离以制造分割掩模，其中，第一光致抗蚀剂为正(positive)性光致抗蚀剂，而第二光致抗蚀剂为负(negative)性光致抗蚀剂。
- 模组制造方法
- [发明专利]双镶嵌制造工艺-CN200710148156.4有效
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陈柏仁;翁子展;陈建全
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2007-08-28
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2008-09-17
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H01L21/768
- 一种双镶嵌制造工艺，包括：提供上面形成介电层的半导体衬底；在介电层上形成第一光致抗蚀剂层，第一光致抗蚀剂层含有对应沟槽图案的第一开口；在第一光致抗蚀剂层以及部分介电层上覆盖形成第二光致抗蚀剂层，第二光致抗蚀剂层包含小于该沟槽图案的第二开口，第二开口位于第一开口上方，且第二光致抗蚀剂层的材料特性不同于第一光致抗蚀剂层的材料特性；利用第二光致抗蚀剂层作掩模进行介质孔蚀刻工艺，以形成穿过介电层的介质孔孔洞；进行光致抗蚀剂灰化工艺以除去第二光致抗蚀剂层；并利用第一光致抗蚀剂层作为掩模进行沟槽蚀刻工艺，以在介电层上方部分形成沟槽；在同一腔室内进行介质孔蚀刻、光致抗蚀剂灰化以及沟槽蚀刻等工艺。
- 镶嵌制造工艺
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