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[发明专利]形成接触窗开口的蚀刻方法-CN200510079420.4无效
发明人：周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：提供具有至少例如栅极结构的一元件的基底，基底上依序形成有一金属硅化物层、一保护层、一间介电层、一掩模层与一图案化的光致抗蚀剂层。蚀刻形成接触窗开口的过程中，因金属硅化物层被保护层所覆盖且光致抗蚀剂去除步骤于移除部份保护层前进行，金属硅化物层不会损伤或劣化；且所采用的光致抗蚀剂去除步骤可有效率地移除光致抗蚀剂而较无光致抗蚀剂残留的问题
形成接触开口蚀刻方法

[发明专利]抗蚀显影方法-CN98108925.9无效
发明人：鲁志坚 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-05-22 - 公布日： 1999-04-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种抗蚀显影方法,在将抗蚀层浸入显影剂时,旋转抗蚀层。
显影方法

[发明专利]用于制造完全自对准双栅极薄膜晶体管的方法-CN201710252470.0在审
发明人： M·纳格 -专利权人： IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括在衬底的前侧上提供为栅极区域定界的第一栅电极；提供第一栅极介电层；提供经图案化的金属氧化物半导体层；提供第二栅极介电层；提供第二栅极导电层；提供光致抗蚀剂层；图案化该光致抗蚀剂层；图案化第二栅极导电层，由此形成第二栅电极；以及图案化第二栅极介电层。对光致抗蚀剂层进行图案化包括执行后侧照明步骤、前侧照明步骤和光致抗蚀剂显影步骤，其中后侧照明步骤包括使用第一栅电极作为掩模从衬底的后侧对光致抗蚀剂层的照明，并且其中前侧照明步骤包括仅在边缘部分中使用对栅极区域中的光致抗蚀剂层进行曝光的掩模来从前侧对光致抗蚀剂层的照明
用于制造完全对准栅极薄膜晶体管方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010221722.5有效
发明人：翁明晖;訾安仁;张庆裕;林进祥;刘朕与 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：此方法包括形成材料层于基板之上，且形成光致抗蚀剂层于材料层之上。光致抗蚀剂层包括无机材料及辅助剂。无机材料包括多个金属核及多个第一连结基团，且第一连结基团键结至金属核。此方法包括曝光光致抗蚀剂层的一部分。光致抗蚀剂层包括曝光区域及未曝光区域。在曝光区域中，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法包括使用显影剂移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。显影剂包括具有式(a)的基于酮的溶剂、或具有式(b)的基于酯的溶剂。
半导体结构形成方法

[发明专利]制造光传感器的方法-CN202011083708.X在审
发明人：全祐奭;金洸炫;河宪植 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：制造光传感器的方法包括：在基板上形成第一导电层，第一导电层包括金属层和形成在金属层上的透明导电氧化物层；在第一导电层上形成光电导层；在光电导层上形成第二导电层；在第二导电层上形成第一光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻第二导电层以形成第二电极；使第一光致抗蚀剂图案变形以形成第二光致抗蚀剂图案；以及使用第二光致抗蚀剂图案分别蚀刻光电导层和第一导电层，以形成光电导图案和第一电极。
制造传感器方法

[发明专利]半导体元件搭载用基板的制造方法-CN201480013843.3有效
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料株式会社
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：为了提高电极层与树脂之间密合性强度，提供一种增加电极层的厚度并且为了咬入树脂而使电极层的截面形状形成为具有凹凸的形状的半导体元件搭载用基板。该半导体元件搭载用基板的制造方法依次经过以下工序使用主感光波长不同的两种干膜抗蚀剂在基板(1)表面形成多个抗蚀层(10、11)的工序；第1曝光工序，自多个抗蚀层的上方使用第1曝光用掩模(20)从多个抗蚀层中选择性地使特定的抗蚀层(10)以第1图案感光；第2曝光工序，自多个抗蚀层的上方使用第2曝光用掩模(21)从多个抗蚀层中选择性地使特定的抗蚀层(11)以第2图案感光；显影工序，去除多个抗蚀层的未曝光部分(30、31)而使基板的表面局部露，出从而形成具有开口部(40、41)的抗蚀剂掩模(10、11)；对基板的表面的暴露的部分实施镀敷从而形成镀层(2)的工序；以及去除抗蚀剂掩模的工序。
半导体元件搭载用基板制造方法

[发明专利]修正凸块尺寸的方法及其凸块结构-CN200810213645.8无效
发明人：齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明是一种修正凸块尺寸的方法，包括：提供一晶片且具有一主动面；形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有一图案的光掩模层，其中该图案为一几何形状；执行一第一曝光工序，使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上；执行一显影及蚀刻步骤，以移除部份光致抗蚀剂层且在光致抗蚀剂层内形成具有几何形状的多个开口；填满金属层在具有几何形状的多个开口内；及移除光致抗蚀剂层，以形成具有几何形状的多个凸块在晶片的主动面上。
修正尺寸方法及其结构

[发明专利]用于经光刻加工的半导体器件的工艺控制方法-CN201910720035.5在审
发明人： S·布尔;B·哈贝茨;金晥洙 -专利权人：科尼亚克有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：使用曝光工具组件将光致抗蚀剂层曝光于曝光束，其中，光致抗蚀剂层涂覆半导体衬底，并且其中，对于每次曝光，使用至少包括散焦值和曝光剂量的当前曝光参数集。对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影，其中，从所述光致抗蚀剂层形成了抗蚀剂图案。测量所述抗蚀剂图案的特征特性和/或由所述抗蚀剂图案得到的衬底图案的特征特性。估计在不更新所述曝光参数集的情况下将形成的假想抗蚀剂图案的未经校正的特征特性。响应于从所述未经校正的特征特性获得的信息，可以改变对所述特征特性的测量策略或者可以更新所述当前曝光参数集。
用于光刻加工半导体器件工艺控制方法

[发明专利]排出口部件的制造方法以及液体排出头的制造方法-CN201010582101.6有效
发明人：池龟健;三原弘明 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： B41J2/16 文献下载
摘要：本发明公开了排出口部件的制造方法以及液体排出头的制造方法，该排出口部件的制造方法按如下顺序包括：制备至少其表面是导电性的基板，所述基板具有在所述表面上形成的用于形成排出口的第一绝缘抗蚀剂以及用于形成流路的壁的凹形部分的第二绝缘抗蚀剂，通过使用所述第一抗蚀剂和所述第二抗蚀剂作为掩模进行镀敷来在表面上形成第一镀敷层，去除所述第二抗蚀剂，在所述基板的已被去除所述第二抗蚀剂的暴露部分上形成第二镀敷层，所述第二镀敷层是通过使用所述第一抗蚀剂作为掩模进行镀敷形成的，所述第二镀敷层形成所述壁的所述凹形部分，并且去除所述第一抗蚀剂以形成所述排出口并且去除所述基板。
出口部件制造方法以及液体出头

[发明专利]抗蚀剂膜形成用装置和方法以及模具原版制造用方法-CN201210356483.X无效
发明人：城崎友秀 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了抗蚀剂膜形成用装置和方法以及模具原版制造用方法。所述装置包括：涂布部，其被设置成在让基板旋转的同时使抗蚀剂滴落、旋转并铺开；加热部，其被设置用于加热样品，所述样品中在所述基板上涂布有所述抗蚀剂；计量部，其被设置用于测量正在被加热的所述样品的重量；以及控制部，其被设置成通过如下方式来控制多个抗蚀剂层在所述样品上的层叠：基于所测量到的所述样品的重量，执行所述加热部的加热操作直到从涂布于所述样品上的抗蚀剂中蒸发掉预定量的溶剂，由此实现在所述基板上形成抗蚀剂层的工序，并且通过对所述涂布部和所述加热部进行同样的控制，使在形成于所述样品上的抗蚀剂层上形成新的抗蚀剂层的工序重复预定的次数。
抗蚀剂膜形成装置方法以及模具原版制造

[发明专利]三维结构、制作三维结构的方法、及流体喷射装置-CN201810920947.2在审
发明人：克里斯多夫·A·克拉夫特;大卫·C·格拉姆 -专利权人：船井电机株式会社
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：所述三维结构包括复合膜层。所述复合膜层包括第一光致抗蚀剂层及至少一第二光致抗蚀剂层。所述第一光致抗蚀剂层中包含第一光酸产生剂，所述第一光酸产生剂具有至少一第一辐射曝光波长。所述第二光致抗蚀剂层中具有第二光酸产生剂，所述第二光酸产生剂具有与所述第一辐射曝光波长不同的第二辐射曝光波长。所述复合膜层在所述第一光致抗蚀剂层与所述第二光致抗蚀剂层之间不具有粘附促进层。
光致抗蚀剂层三维结构光酸产生剂辐射曝光复合膜层波长流体处理装置流体喷射装置粘附促进层处理流体制作三维

[发明专利]基板结构化方法-CN202080034737.9在审
发明人：陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后，通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上，以在基板中形成期望的特征，同时抗蚀剂层的未曝光或未烧蚀部分屏蔽基板的其余部分。然后将基板暴露于蚀刻工艺和剥离工艺中以去除抗蚀剂层并释放载体。
板结方法

[发明专利]晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片-CN201610547901.1有效
发明人：谢安;张旻澍;陈文哲 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
晶圆级 led 芯片反射层制备方法

[发明专利]一种精准制备LED芯片反射层的方法及LED芯片-CN201610548054.0有效
发明人：张旻澍;谢安;陈文哲 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：一种精准制备LED芯片反射层的方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。
一种精准制备 led 芯片反射层方法

[发明专利]电致发光元件的制造方法-CN200610073237.8无效
发明人：柏原充宏 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2001-09-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：为了实现上述目的，本发明提供了一种电致发光元件的制造方法，在构成电致发光元件的有机电致发光层中至少缓冲层和发光层，利用光刻技术法形成图形，具有下述工序：通过利用不溶于用于形成缓冲层的溶剂的光致抗蚀剂，使不溶于光致抗蚀剂溶剂、光致抗蚀剂剥离液以及用于形成发光层的溶剂的缓冲层，形成图形而形成图形化的缓冲层的工序，通过利用不溶于用于形成发光层的溶剂的光致抗蚀剂，使不溶于光致抗蚀剂溶剂、光致抗蚀剂显影液以及光致抗蚀剂剥离液的发光层，形成图形而在前述图形化的缓冲层上形成图形化的发光层的工序。
电致发光元件制造方法